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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第3086页 > M29F400B-55N6R
M29F400T
M29F400B
4兆位( 512KB ×8或256Kb的X16 ,引导块)
单电源闪存
不适用于新设计
M29F400T和M29F400B被替换
分别由M29F400BT和
M29F400BB
5V ±10%电源电压程序,
擦除和读取操作
快速存取时间: 55ns
快速编程时间
- 为10μs按字节/ 16μs由Word典型
编程/擦除控制器( P / E.C 。 )
- 程序逐字节或字的字
- 状态寄存器的位和就绪/忙输出
内存块
- 引导块(顶部或底部的位置)
- 参数及主要街区
块,多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 设备代码, M29F400T : 00D5h
- 设备代码, M29F400B : 00D6h
描述
该M29F400是一个非易失性存储器可
可在块或芯片级电擦除和
在逐字节或者字处理在系统编程
由字只用单5V V基础
CC
供应量。
进行必要的编程和擦除操作
内部产生高电压。该装置
也可以在标准编程编程
聚体。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程,而不影响
其他模块。块可以防止亲
1999年11月
44
1
TSOP48 ( N)
12 ×20mm的
SO44 (M)的
图1.逻辑图
VCC
18
A0-A17
W
E
G
RP
M29F400T
M29F400B
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI01726B
1/34
这是在生产一种产品还是老样子升信息,但不推荐用于新设计。
M29F400T , M29F400B
图2A 。 TSOP引脚连接
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
图2B中。 TSOP反向引脚连接
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
1
48
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
12
13
M29F400T
M29F400B
(普通)
37
36
12
13
M29F400T
M29F400B
(反转)
37
36
24
25
AI01727B
24
25
AI01728B
警告:
NC =未连接。
警告:
NC =未连接。
图2C 。 SO引脚连接
表1.信号名称
A0-A17
地址输入
数据输入/输出,输入命令
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织
电源电压
NC
RB
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
44
2
43
3
42
4
41
5
40
6
39
7
38
8
37
9
36
10
35
11 M29F400T 34
12 M29F400B 33
13
32
14
31
15
30
16
29
17
28
18
27
19
26
20
25
21
24
22
23
AI01729B
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
警告:
NC =未连接。
2/34
M29F400T , M29F400B
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
( A9 , E,G , RP)
(2)
(1)
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ,E ,G , RP电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°
C
°
C
°C
V
V
V
注意事项:
1.除评级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
描述
(续)
graming和擦除编程设备,
暂时无保护做出改变
该应用程序。
说明读/复位,自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态,编程,块和芯片擦除,擦除
暂停和恢复被写入到设备中
cyclesof使用命令到CommandInterface
标准的微处理器写时序。
该器件采用TSOP48 ( 12× 20毫米)和
SO44封装。正常和反向引脚
可用于TSOP48封装。
组织
该M29F400组织为512K ×8或256K X16
位选择的字节信号。当字节是
低字节宽度x8组织的选择和
地址线是DQ15A -1和A0 -A17 。该
数据输入/输出信号DQ15A - 1作为AD-
裙线A -1 ,其选择的下或上
字节的内存字上DQ0 - DQ7输出,
DQ8 - DQ14保持在高阻抗。当
字节是高内存使用的地址输入
A0 - A17和数据输入/输出DQ0 - DQ15 。
内存控制是由芯片使能E中提供,
输出使能G和写使能W输入。
复位/座临时RP unprotection的三电平
输入提供了一个硬件复位时被拉至低电平,
当举行高(在V
ID
)暂时取消保护
此前块保护使他们能够
程序性和擦除。擦除和编程操作
系统蒸发散是由内部编程/擦除控制
控制器( P / E.C 。 ) 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号,和DQ6和
DQ2提供切换信号来指示的状态
在P / E.C操作。一就绪/忙RB输出
表示完成内部算法。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29F400T和M29F400B设备有一个数组
11块, 16 KB或8 1引导块
K字, 8 KB或4两参数块
K字, 32 KB或16 1正座
K字和64 KB或32七个主要模块
K字。该M29F400T具有引导块在
所述存储器地址空间和顶
M29F400B定位引导块起始于
底部。该存储器映射显示在图
3.每个块可以单独被删除,任何命
块bination可以为多块被指定
擦除或整个芯片可以被擦除。擦除
操作由自动管理
P / E.C 。块擦除操作可以可持
挂起,以便读取或程序的任何
阻止未ersased ,然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
相应的总线周期:读取(阵列,电子
签名,块保护状态) ,写的COM
命令,输出禁用,待机,复位,阻止亲
吨EC TI上, Unprot EC吨离子,普罗特ECT我的VERI风云,
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
3/34
M29F400T , M29F400B
图3.存储器映射和块地址表( X8 )
M29F400T
7FFFFh
16K BOOT BLOCK
7C000h
7BFFFh
8K参数块
7A000h
79FFFh
8K参数块
78000h
77FFFh
32K主块
70000h
6FFFFh
64K主块
60000h
5FFFFh
64K主块
50000h
4FFFFh
64K主块
40000h
3FFFFh
30000h
2FFFFh
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
64K主块
00000h
00000h
AI01730
M29F400B
7FFFFh
64K主块
70000h
6FFFFh
64K主块
60000h
5FFFFh
64K主块
50000h
4FFFFh
64K主块
40000h
3FFFFh
64K主块
30000h
2FFFFh
64K主块
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
32K主块
08000h
07FFFh
8K参数块
8K参数块
04000h
03FFFh
16K BOOT BLOCK
64K主块
64K主块
06000h
05FFFh
命令接口
说明,由命令写在赛扬
克莱斯,可以给编程/擦除控制器
通过命令接口( C.I. ) 。为了增加
数据保护,编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。第一,第二,第四和第五
周期用于输入编码周期的C.I。
此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认,在适用时,
给出了在第三,第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
说明
七个指令被定义为执行读
阵列,自动选择(阅读电子签名
或块保护状态) ,程序,块擦除,
芯片擦除,擦除暂停和擦除恢复。
内部P / E.C 。自动处理所有时序
荷兰国际集团和验证的编程和擦除的
操作。状态寄存器的数据轮询,将触发
GLE ,错误比特和RB的输出可以被读出
4/34
任何时候,编程或擦除过程中,监控
的操作的进度。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令接口是通用于所有指令
行动(见表8) 。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据,电子签名或
块保护现状进行读操作。在
为了给更多的数据保护,该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于程序指令,
第四个命令周期输入的地址和
数据进行编程。对于擦除指令
(块或片) ,第四和第五个周期输入
擦除确认之前,进一步的编码序列
命令上的第六个周期。一个存储器的擦除
块可被暂停,以便从读出的数据
另一个块还是程序数据在另一个块中,
然后重新开始。
当首次加电或者V
CC
瀑布下方
V
LKO
中,命令界面被重置为读
数组。
M29F400T , M29F400B
表3A 。 M29F400T块地址表
地址范围( X8 )
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-77FFFh
78000h-79FFFh
7A000h-7BFFFh
7C000h-7FFFFh
地址范围( X16 )
00000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3BFFFh
3C000h-3CFFFh
3D000h-3DFFFh
3E000h-3FFFFh
A17
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
A16
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
A15
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
表3B 。 M29F400B块地址表
地址范围( X8 )
00000h-03FFFh
04000h-05FFFh
06000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
地址范围( X16 )
00000h-01FFFh
02000h-02FFFh
03000h-03FFFh
04000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3FFFFh
A17
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
A16
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
A15
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
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