M29F200BT
M29F200BB
2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）
单电源闪存
初步数据
s
单5V ± 10 ％电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间：为45nS
编程时间
- 每个字节8μs /字典型
7内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和4个主要模块
1
44
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
SO44 （M）的
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- M29F200BT器件代码： 00D3h
- M29F200BB器件代码： 00D4h
A0-A16
W
E
G
RP
VCC
s
17
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
M29F200BT
M29F200BB
字节
RB
s
s
s
s
VSS
AI02912
1999年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/22
M29F200BT ， M29F200BB
图2A 。 TSOP连接
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
图2B中。 SO连接
12
13
M29F200BT
M29F200BB
37
36
NC
RB
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
44
2
43
3
42
4
41
5
40
6
39
7
38
8
37
9
36
10
35
11 M29F200BT 34
12 M29F200BB 33
13
32
14
31
15
30
16
29
17
28
18
27
19
26
20
25
24
21
22
23
AI02914
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
24
25
AI02913
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
NC
2/22
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
电源电压
地
在内部没有连接
概要说明
该M29F200B是2兆比特（ 256Kb的X8或128KB
×16）的非易失性存储器，可进行读取，擦除
和重新编程。这些操作可以per-
使用单一5V电源形成。上电时
内存默认的阅读模式，它可以
读以同样的方式作为ROM或EPROM 。该
M29F200B完全向后兼容
M29F200.
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
M29F200BT ， M29F200BB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
工作环境温度（温度范围选项3 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
在存储器中的块是不对称AR-
列，看表3A和3B中，块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器，两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩下的32K是小主座，其中AP-
褶皱可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存提供的TSOP48 （ 12× 20毫米）
和SO44封装。的为45nS ， 55ns存取时间，
为70ns和为90ns可用。记忆被抑制
合股所有擦除的位（设置为' 1'） 。
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A16 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
当字节期间总线读操作地址
是高电平，V
IH
。当字节为低，V
IL
，这些引脚
不使用，它们是高阻抗。在公交车
写操作命令寄存器不
使用这些位。当读状态寄存器
这些位将被忽略。
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1 ） 。
当字节为高，V
IH
，该引脚表现为
数据输入/输出引脚（如DQ8 - DQ14 ） 。当
字节是低，V
IL
，该引脚表现为一个地址
销; DQ15A - 1低会选择Word中的LSB
在其他地址， DQ15A - 1高将选择
的MSB。通篇考虑引用
数据输入/输出，包括该引脚时，
字节是高和引用的地址在 -
把包含该引脚时，字节是除了低
明确指出，否则当。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
3/22
M29F200BT ， M29F200BB
表3A 。 M29F200BT块地址
SIZE
（千字节）
16
8
8
32
64
64
64
地址范围
(x8)
3C000h-3FFFFh
3A000h-3BFFFh
38000h-39FFFh
30000h-37FFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
地址范围
(x16)
1E000h-1FFFFh
1D000h-1DFFFh
1C000h-1CFFFh
18000h-1BFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
00000h-07FFFh
表3B 。 M29F200BB块地址
SIZE
（千字节）
64
64
64
32
8
8
16
地址范围
(x8)
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
地址范围
(x16)
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
04000h-07FFFh
03000h-03FFFh
02000h-02FFFh
00000h-01FFFh
复位/座临时撤消（ RP ） 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低，V
IL
对于至少
t
PLPX
。复位后/座临时撤消云
高，V
IH
，内存将准备总线读
和T后总线写操作
PHEL
或T
RHEL
,
为准过去。看到就绪/忙输出
把节，表14和图10，复位/温
porary撤消AC特性更
详细信息。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出（ RB ） 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出，可以用于识别
当在存储器阵列可以被读取。就绪/忙
是在阅读模式下，自动选择高阻抗
模式和擦除挂起模式。
硬件复位后，总线读取和写入总线
操作不能开始，直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。见表14和图
10 ，复位/临时撤消AC Characteris-
抽动。
在编程或擦除操作就绪/忙
是低电平，V
OL
。就绪/忙期间将保持低位
读/复位命令或硬件复位为止
内存准备进入阅读模式。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个，或多个，正忙。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该字节/
文字组织选择引脚用于切换BE-
补间的MEM-的8位和16位总线模式
ORY 。当字节/字组织的选择是低，
V
IL
中，存储器是在8位模式下，当它为高电平时，
V
IH
，内存是16位模式。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC4
.
VSS地。
在V
SS
地面为参考
所有的电压测量。
4/22
M29F200T
M29F200B
2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）
单电源闪存
5V ±10％电源电压程序，
擦除和读取操作
快速存取时间： 55ns
快速编程时间
– 10
S按字节/ 16
S按字典型
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
- 程序逐字节或字的字
- 状态寄存器的位和就绪/忙输出
内存块
- 引导块（顶部或底部的位置）
- 参数及主要街区
块，多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 设备代码， M29F200T ： 00D3h
- 设备代码， M29F200B ： 00D4h
描述
该M29F200是一个非易失性存储器可
可在块或芯片级电擦除和
在系统编程的逐Byteor字处理
由字只用单5V V基础
CC
供应量。
进行必要的编程和擦除操作
内部产生高电压。该装置
也可以在标准编程编程
聚体。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。块可以防止亲
graming和擦除编程设备，
暂时无保护做出改变
该应用程序。
1998年7月
44
1
TSOP48 （ N）
12 ×20mm的
SO44 （M）的
图1.逻辑图
VCC
17
A0-A16
W
E
G
RP
M29F200T
M29F200B
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI01986
1/33
M29F200T ， M29F200B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
（ A9 ， E，G ， RP）
(2)
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9 ，E ，G ， RP电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°
C
°
C
°
C
V
V
V
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
描述
（续）
说明读/复位，自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态，编程，块和芯片擦除，擦除
暂停和恢复被写入到设备中
的commandsto命令Interfaceusing周期
标准的微处理器写时序。
该器件采用TSOP48 （ 12× 20毫米）和
SO44封装。正常和反向引脚
可用于TSOP48封装。
组织
该M29F200是organisedas 256Kx8或128K X16
位选择的字节信号。当字节是
低字节宽度x8组织的选择和
地址线是DQ15A -1和A0 A16 。该
数据输入/输出信号DQ15A - 1作为AD-
裙线A -1 ，其选择的下或上
字节的内存字上DQ0 - DQ7输出，
DQ8 - DQ14维持在高位impedan CE 。当
字节是高内存使用的地址输入
A0 - A16和数据输入/输出DQ0 - DQ15 。
内存控制是由芯片使能E中提供，
输出使能G和写使能W输入。
AReset /座TemporaryUnprotection RP三级
输入提供了一个硬件复位时被拉至低电平，
当举行高（在V
ID
）暂时取消保护
此前块保护使他们能够
程序性和擦除。擦除和编程操作
系统蒸发散是由内部编程/擦除控制
控制器（ P / E.C 。 ） 。状态寄存器的数据输出上
DQ7提供了数据查询信号，和DQ6和
DQ2提供切换信号来指示的状态
在P / E.C操作。一就绪/忙RB输出
表示完成内部算法。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。两
M29F200T和M29F200B设备有一个数组
7块， 16 KB或8 1引导块
K字， 8 KB或4两参数块
K字， 32 KB或16 1正座
K字和64 KB或32三个部分组成
K字。该M29F200T具有引导块在
所述存储器地址空间和顶
M29F200B定位引导块起始于
底部。该存储器映射显示在图
3.每个块可以单独被删除，任何命
块bination可以为多块被指定
擦除或整个芯片可以被擦除。擦除
操作由自动管理
P / E.C 。块擦除操作可以可持
挂起，以便读取或程序的任何
阻止未ersased ，然后重新开始。
块保护提供额外的数据的安全性。
每个块可以被单独的保护或外部器件了
对编程编程或擦除tected
设备。所有以前受保护的块可以是
暂无保护的应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
在appropriatebus周期：读取（阵列，电子
签名，块保护状态） ，写的COM
命令，输出禁用，待机，复位，阻止亲
吨EC吨IO N， UNP RO TE CT IO N， P ro的忒CTI上Verif Y，
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
3/33
M29F200T ， M29F200B
命令接口
说明，由命令写在赛扬
克莱斯，可以给编程/擦除控制器
通过命令接口（ C.I. ） 。为了增加
数据保护，编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。第一，第二，第四和第五
周期用于输入编码周期的C.I。
此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认，在适用时，
给出了在第三，第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
说明
七个指令被定义为执行读
阵列，自动选择（阅读ElectronicSignature
或阻止ProtectionStatus ） ，程序，块擦除，
芯片擦除，擦除暂停和擦除恢复。
内部P / E.C 。自动处理所有时序
荷兰国际集团和验证的编程和擦除的
operations.The状态寄存器的数据轮询，将触发
GLE ，错误比特和RB的输出可以被读出
任何时候，编程或擦除过程中，监控
的操作的进度。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令Interfacewhich iscommon所有指令
行动（见表8） 。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据，电子签名或
块保护现状进行读操作。在
为了给更多的数据保护，该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于Programinstruction ，
第四个命令周期输入的地址和
数据进行编程。对于擦除指令
（块或片） ，第四和第五个周期输入
擦除确认之前，进一步的编码序列
命令上的第六个周期。一个存储器的擦除
块可能会被暂停，在orderto读取数据
另一个块还是程序数据在另一个块中，
然后重新开始。
当首次加电或者V
CC
瀑布下方
V
LKO
中，命令界面被重置为读
数组。
信号说明
参见图1和表1中。
地址输入（ A0 - A16 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化片上的下降沿启动E或写
启用W.在Word内的组织的地址
线A0 - A16 ，在字节宽度的组织
DQ15A -1作为一个额外的LSB的地址线。
当A9提高到V
ID
，或者是读电子
签名制造商或设备代码，座
保护状态或写块保护或
块unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A6 ，A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
牛逼电子旗下e口正
却将/ Outputsare在用字节宽度和字处理
广泛的组织。的输入是数据是
存储器阵列或命令的程序
要写入的C.I。两者都锁定在
芯片的上升沿启动E或写使能W.
的输出是从存储器阵列的数据，在
电子签名制造商或设备
代码块保护状态或状态
注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6
和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位
DQ3 。输出有效时，芯片使能E和
输出使能G为主动。的输出为高
或阻抗当芯片被取消了
outputsare残疾人和RP的时候是处于较低的水平。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14和DQ15A - 1 ） 。
这些输入/输出的附加使用
字宽organisation.When BYTEis高DQ8-
DQ14和DQ15A -1充当数据的MSB
输入或输出，用作描述DQ0-
DQ7以上，而DQ8 - DQ15是“不关心”的
命令输入或状态输出。当字节是
低， DQ8 - DQ14是高阻抗， DQ15A -1
地址A-1输入。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入激活
存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 高deselectsthe内存
并减少consumptionto备用电源
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。该芯片使能必须
被迫V
ID
块unprotection的操作过程
化。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。当G为高，输出为高电平
阻抗。摹必须强制V
ID
在水平
块保护和unprotection的操作。
写使能（ W） 。
该输入控件写
命令Registerand Addressand Datalatches 。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该
字节输入选择的输出配置
设备：字节宽的（x8）模式或字宽（ X16 ）
模式。当字节为低电平时，字节宽度模式
选择并且该数据被读出和编程的
DQ0 - DQ7 。在这种模式下， DQ8 - DQ14是在高
阻抗和DQ15A -1是LSB地址。
当字节为高，字宽模式是SE-
lected并且该数据被读出和编程的
DQ0-DQ15.
5/33
M29F200BT
M29F200BB
2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）
单电源闪存
初步数据
s
单5V ± 10 ％电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间：为45nS
编程时间
- 每个字节8μs /字典型
7内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和4个主要模块
1
44
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
SO44 （M）的
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- M29F200BT器件代码： 00D3h
- M29F200BB器件代码： 00D4h
A0-A16
W
E
G
RP
VCC
s
17
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
M29F200BT
M29F200BB
字节
RB
s
s
s
s
VSS
AI02912
1999年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M29F200BT ， M29F200BB
图2A 。 TSOP连接
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
W
RP
NC
NC
RB
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
图2B中。 SO连接
12
13
M29F200BT
M29F200BB
37
36
NC
RB
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
44
2
43
3
42
4
41
5
40
6
39
7
38
8
37
9
36
10
35
11 M29F200BT 34
12 M29F200BB 33
13
32
14
31
15
30
16
29
17
28
18
27
19
26
20
25
24
21
22
23
AI02914
RP
W
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
24
25
AI02913
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
NC
2/22
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
电源电压
地
在内部没有连接
概要说明
该M29F200B是2兆比特（ 256Kb的X8或128KB
×16）的非易失性存储器，可进行读取，擦除
和重新编程。这些操作可以per-
使用单一5V电源形成。上电时
内存默认的阅读模式，它可以
读以同样的方式作为ROM或EPROM 。该
M29F200B完全向后兼容
M29F200.
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
M29F200BT ， M29F200BB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
工作环境温度（温度范围选项3 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
在存储器中的块是不对称AR-
列，看表3A和3B中，块地址。
第一个或最后一个64字节被分成
另外四个区块。 16 KB的引导块
可用于小的初始化代码开始
微处理器，两个8 KB的参数
块可用于存储参数和
剩下的32K是小主座，其中AP-
褶皱可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存提供的TSOP48 （ 12× 20毫米）
和SO44封装。的为45nS ， 55ns存取时间，
为70ns和为90ns可用。记忆被抑制
合股所有擦除的位（设置为' 1'） 。
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A16 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
当字节期间总线读操作地址
是高电平，V
IH
。当字节为低，V
IL
，这些引脚
不使用，它们是高阻抗。在公交车
写操作命令寄存器不
使用这些位。当读状态寄存器
这些位将被忽略。
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1 ） 。
当字节为高，V
IH
，该引脚表现为
数据输入/输出引脚（如DQ8 - DQ14 ） 。当
字节是低，V
IL
，该引脚表现为一个地址
销; DQ15A - 1低会选择Word中的LSB
在其他地址， DQ15A - 1高将选择
的MSB。通篇考虑引用
数据输入/输出，包括该引脚时，
字节是高和引用的地址在 -
把包含该引脚时，字节是除了低
明确指出，否则当。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
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M29F200BT ， M29F200BB
表3A 。 M29F200BT块地址
SIZE
（千字节）
16
8
8
32
64
64
64
地址范围
(x8)
3C000h-3FFFFh
3A000h-3BFFFh
38000h-39FFFh
30000h-37FFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
地址范围
(x16)
1E000h-1FFFFh
1D000h-1DFFFh
1C000h-1CFFFh
18000h-1BFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
00000h-07FFFh
表3B 。 M29F200BB块地址
SIZE
（千字节）
64
64
64
32
8
8
16
地址范围
(x8)
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
地址范围
(x16)
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
04000h-07FFFh
03000h-03FFFh
02000h-02FFFh
00000h-01FFFh
复位/座临时撤消（ RP ） 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低，V
IL
对于至少
t
PLPX
。复位后/座临时撤消云
高，V
IH
，内存将准备总线读
和T后总线写操作
PHEL
或T
RHEL
,
为准过去。看到就绪/忙输出
把节，表14和图10，复位/温
porary撤消AC特性更
详细信息。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出（ RB ） 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出，可以用于识别
当在存储器阵列可以被读取。就绪/忙
是在阅读模式下，自动选择高阻抗
模式和擦除挂起模式。
硬件复位后，总线读取和写入总线
操作不能开始，直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。见表14和图
10 ，复位/临时撤消AC Characteris-
抽动。
在编程或擦除操作就绪/忙
是低电平，V
OL
。就绪/忙期间将保持低位
读/复位命令或硬件复位为止
内存准备进入阅读模式。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个，或多个，正忙。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该字节/
文字组织选择引脚用于切换BE-
补间的MEM-的8位和16位总线模式
ORY 。当字节/字组织的选择是低，
V
IL
中，存储器是在8位模式下，当它为高电平时，
V
IH
，内存是16位模式。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC4
.
VSS地。
在V
SS
地面为参考
所有的电压测量。
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