M29F160BT
M29F160BB
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块）
单电源闪存
初步数据
s
单5V ± 10 ％电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间： 55ns
编程时间
- 每个字节8μs /字典型
35内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和32个主要模块
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 热门器件代码M29F160BT ： 22CCh
- 底设备代码M29F160BB ： 224Bh
A0-A19
W
E
G
RP
VCC
s
20
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
M29F160BT
M29F160BB
字节
RB
s
s
s
s
VSS
AI02920
2000年3月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M29F160BT ， M29F160BB
图2. TSOP连接
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
W
RP
NC
NC
RB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
G
VSS
E
A0
表1.信号名称
A0-A19
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
字节/字组织的选择
电源电压
地
在内部没有连接
12
13
M29F160BT
M29F160BB
37
36
24
25
AI02921
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
工作环境温度（温度范围选项3 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
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M29F160BT ， M29F160BB
概要说明
该M29F160B是16兆（2MB X8或X16的1Mb ）
非易失性存储器可以被读，擦除和
重新编程。这些操作可以per-
使用单一5V电源形成。上电时
内存默认的阅读模式，它可以
读以同样的方式作为ROM或EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作，可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
在存储器中的块是不对称AR-
列，参见表3和表4中，块地址。该
第一个或最后64字节被分成四个
附加块。 16 KB的引导块可以
用于小初始化代码以启动微
处理器，两个8字节参数块可
用于参数存储和剩余
32K是一个小的主座，其中应用程序
可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存在一个TSOP48提供（ 12× 20毫米）
封装，它与所有的位擦除提供
（设置为' 1'） 。
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M29F160BT ， M29F160BB
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A19 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
当字节期间总线读操作地址
是高电平，V
IH
。当字节为低，V
IL
，这些引脚
不使用，它们是高阻抗。在公交车
写操作命令寄存器不
使用这些位。当读状态寄存器
这些
位
应
be
忽略不计。
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1 ） 。
当字节为高，V
IH
，该引脚表现为
数据输入/输出引脚（如DQ8 - DQ14 ） 。当
字节是低，V
IL
，该引脚表现为一个地址
销; DQ15A - 1低会选择Word中的LSB
在其他地址， DQ15A - 1高将选择
的MSB。通篇考虑引用
数据输入/输出，包括该引脚时，
字节是高和引用的地址在 -
把包含该引脚时，字节是除了低
明确指出，否则当。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
复位/座临时撤消（ RP ） 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低，V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高，V
IH
，内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
or
t
RHEL
，以先到为准过去。看到就绪/忙
输出部分，表17和图10 ，复位/
临时撤消AC特性更
详细信息。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出（ RB ） 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出，可以用于识别
当在存储器阵列可以被读取。就绪/忙
是在阅读模式下，自动选择高阻抗
模式和擦除挂起模式。
硬件复位后，总线读取和写入总线
操作不能开始，直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。请参阅表17和图
10 ，复位/临时撤消AC Characteris-
抽动。
在编程或擦除操作就绪/忙
是低电平，V
OL
。就绪/忙期间将保持低位
读/复位命令或硬件复位为止
内存准备进入阅读模式。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个，或多个，正忙。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该字节/
文字组织选择引脚用于切换BE-
补间的MEM-的8位和16位总线模式
ORY 。当字节/字组织的选择是低，
V
IL
中，存储器是在8位模式下，当它为高电平时，
V
IH
，内存是16位模式。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC4
.
VSS地。
在V
SS
地面为参考
所有的电压测量。
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