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M29F080A
8兆位(1MB ×8 ,统一座)单电源闪存
s
单5V ± 10 %电源电压
编程,擦除和读取操作
访问时间: 70ns的
编程时间
- 8μs通过典型字节
44
s
s
s
s
16制服64千字节的内存块
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP40 ( N)
10× 20毫米
SO44 (M)的
1
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
临时块解除保护
模式
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 器件代码:为Fih
A0-A19
W
E
G
RP
M29F080A
RB
VCC
s
s
20
8
DQ0-DQ7
s
s
VSS
AI00501C
2000年4月
1/21
M29F080A
图2. TSOP连接
图3. SO连接
NC
RP
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
VSS
1
44
2
43
3
42
4
41
5
40
6
39
7
38
8
37
9
36
10
35
11
34
M29F080A
12
33
13
32
14
31
15
30
16
29
17
28
18
27
19
26
20
25
21
24
22
23
AI00521B
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
E
VCC
NC
RP
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
1
40
10
11
M29F080A
31
30
20
21
AI00520B
NC
NC
W
G
RB
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VCC
VSS
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
VCC
E
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
W
G
RB
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VCC
表1.信号名称
A0-A19
DQ0-DQ7
E
G
W
RP
RB
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
READY / BUSY输出
电源电压
在内部没有连接
概要说明
该M29F080A是8兆比特( 1Mb的x8的)非易失性
存储器可被读取,擦除和重现
编程。这些操作可以执行US-
荷兰国际集团的单一5V电源。上电时,存储
默认为它的浏览模式,其中它可以读取在
以同样的方式作为ROM或EPROM 。
所述存储器被划分成块,可以是
独立地被擦除,因此,能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。块可以是
在团体以防止意外保障计划
或修改存储器擦除命令。
编程和擦除命令写入
存储器的命令接口。片上
编程/擦除控制器简化的过程
编程或利用擦除记忆
照顾所有的特种作战是重的
引入来更新存储器的内容。年底
编程或擦除操作可以检测并
发现的任何错误情况。该命令集
控制存储器需要是一致
JEDEC标准。
芯片使能,输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机,通常无需额外的逻辑。
内存在一个TSOP40提供(10× 20毫米)
和SO44封装,它是与提供的所有的
擦除位(设置为' 1') 。
2/21
M29F080A
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度(温度范围选项1 )
T
A
工作环境温度(温度范围选项6 )
工作环境温度(温度范围选项3 )
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
表3.均匀块地址, M29F080A
#
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
SIZE
(千字节)
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
地址范围
F0000h-FFFFFh
7
E0000h-EFFFFh
D0000h-DFFFFh
6
C0000h-CFFFFh
B0000h-BFFFFh
5
A0000h-AFFFFh
90000h-9FFFFh
4
80000h-8FFFFh
70000h-7FFFFh
3
60000h-6FFFFh
50000h-5FFFFh
2
40000h-4FFFFh
30000h-3FFFFh
1
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
0
00000h-0FFFFh
保护
信号说明
参见图1 ,逻辑图和表1中,信号
名,对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入( A0 - A19 ) 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 ) 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
芯片启用( E) 。
该芯片使能, E,激活
内存,允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高,V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能( G) 。
输出使能,G ,连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能( W) 。
写使能, W,控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
复位/座临时撤消( RP ) 。
在重
集/座临时撤消引脚可用于
应用硬件复位到内存或温
porarily解除保护已被亲的所有块
tected 。
3/21
M29F080A
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低,V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高,V
IH
,内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
or
t
RHEL
,以先到为准过去。看到就绪/忙
输出部分,表14和图11 ,复位/
临时撤消AC特性更
详细信息。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出( RB ) 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出,可以用于识别
当在存储器阵列可以被读取。就绪/忙
是在阅读模式下,自动选择高阻抗
模式和擦除挂起模式。
硬件复位后,总线读取和写入总线
操作不能开始,直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。见表14和图
11 ,复位/临时撤消AC Characteris-
抽动。
在编程或擦除操作就绪/忙
是低电平,V
OL
。就绪/忙期间将保持低位
读/复位命令或硬件复位为止
内存准备进入阅读模式。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个,或多个,正忙。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作(读,亲
克,擦除等) 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压,
V
LKO
。这可以防止总线写操作,从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据,
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止, memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作,我
CC4
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
巴士业务
有迹象表明,控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读,写总线,输出
把禁用,待机和自动待机。看
表4 ,公交车运营,对于一个总结。通常
小于5ns的片上的毛刺启用或写
启用的内存被忽略,不自动对焦
FECT总线操作。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元,或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入,应用低信号,V
IL
,到芯片使能
和输出使能,并保持写使能
高,V
IH
。数据输入/输出将输出
值,见图8 ,阅读模式AC波形,
和表11 ,阅读交流特性,了解详细信息
的时,输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能,最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能,以先到为准。输出恩
能必须维持在高位,V
IH
,整辆巴士中
写操作。请参阅图9和图10中,收件交流
波形,以及表12和表13中,收件交流
特点,关于定时的细节要求一
求。
4/21
M29F080A
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高,V
IH
.
待机。
当芯片使能为高,V
IH
中,
数据输入/输出引脚置于高
阻抗状态,电源电流为重
缩小以待机水平。
当芯片使能为V
IH
供电电流
沦落到TTL待机电流,我
CC2
.
为了进一步降低电源电流的CMOS
待机电源电流,我
CC3
,芯片使能应
在V举行
CC
±
0.2V 。对于待机电流
水平见表10 ,直流特性。
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前,我
CC4
,对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
自动待机。
如果CMOS电平(V
CC
±
0.2V)
被用来驱动总线和总线处于非活动状态
为150ns或更多的存储器进入自动
待机状态,内部电源电流为重
缩小以待机电源电流,I
CC3
。该
数据输入/输出仍然会输出数据,如果公交车
读操作正在进行中。
表4.公交运营
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注:X = V
IL
或V
IH
.
特别巴士运营
附加的总线操作可以被执行以
阅读电子签名,也适用
和删除块保护。这些总线操作
系统蒸发散是专供编程使用的分析装备
精神疾病,而且通常不会在应用程序中使用。
他们需要V
ID
要应用到一些引脚。
电子签名。
该存储器具有两个
码,制造商代码和装置
码,可以读取,以确定存储器中。
这些代码可以通过施加的信号被读
表4中列出,公交车运营。
块保护
块unprotection的。
可以防止意外的亲群体得到保护
克或擦除。请参阅表3 ,块地址,对于
细节的块必须被保护起来
为一组。受保护的块可以被保护
允许数据被改变。块保护和
块unprotection的操作必须是per-
形成于编程设备。
欲了解更多信息,请参考应用笔记
AN1122 ,运用和保护,以unprotection的
M29系列闪存。
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IH
地址Inpu TS
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
数据
输入/ Outpu TS
数据输出
数据输入
高阻
高阻
20h
F1h
5/21
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    -
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
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M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
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MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
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联系人:朱先生
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20000
NA
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联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
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MACOM
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32570
SOP16
进口原装公司现货
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
M29F080A-120M3T
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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MACOM
22+
32570
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全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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