M29F016B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
工作环境温度（温度范围选项3 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
概要说明
该M29F016B是一个16兆位（的2Mb ×8 ）的非易失性
存储器可被读取，擦除和重现
编程。这些操作可以执行US-
荷兰国际集团的单一5V电源。上电时，存储
默认为它的浏览模式，其中它可以读取在
以同样的方式作为ROM或EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。块可以是
在团体以防止意外保障计划
或修改存储器擦除命令。
编程和擦除命令写入
存储器的命令接口。片上
编程/擦除控制器简化的过程
编程或利用擦除记忆
照顾所有的特种作战是重的
引入来更新存储器的内容。年底
编程或擦除操作可以检测并
发现的任何错误情况。该命令集
控制存储器需要是一致
JEDEC标准。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
内存在一个TSOP40提供（10× 20毫米）
和SO44封装，它是与提供的所有的
擦除位（设置为' 1'） 。
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M29F016B
硬件复位后，总线读取和写入总线
操作不能开始，直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。见表14和图
11 ，复位/临时撤消AC Characteris-
抽动。
在编程或擦除操作就绪/忙
是低电平，V
OL
。就绪/忙期间将保持低位
读/复位命令或硬件复位为止
内存准备进入阅读模式。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个，或多个，正忙。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC4
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
巴士业务
有迹象表明，控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读，写总线，输出
把禁用，待机和自动待机。看
表4 ，公交车运营，对于一个总结。通常
小于5ns的片上的毛刺启用或写
启用的内存被忽略，不自动对焦
FECT总线操作。
表4.公交运营
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注：X = V
IL
或V
IH
.
总线读。
总线读操作的读
存储器单元，或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入，应用低信号，V
IL
，到芯片使能
和输出使能，并保持写使能
高，V
IH
。数据输入/输出将输出
值，见图8 ，阅读模式AC波形，
和表11 ，阅读交流特性，了解详细信息
的时，输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能，最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能，以先到为准。输出恩
能必须维持在高位，V
IH
，整辆巴士中
写操作。请参阅图9和图10中，收件交流
波形，以及表12和表13中，收件交流
特点，关于定时的细节要求一
求。
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高，V
IH
.
待机。
当芯片使能为高，V
IH
中，
数据输入/输出引脚置于高
阻抗状态，电源电流为重
缩小以待机水平。
当芯片使能为V
IH
供电电流
沦落到TTL待机电流，我
CC2
.
为了进一步降低电源电流的CMOS
待机电源电流，我
CC3
，芯片使能应
在V举行
CC
±
0.2V 。对于待机电流
水平见表10 ，直流特性。
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前，我
CC4
，对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IH
地址Inpu TS
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
， A1 = V
IL
， A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
， A1 = V
IL
， A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
数据
输入/ Outpu TS
数据输出
数据输入
高阻
高阻
20h
ADH
5/22
QQ：2880707522 复制
