M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 LCC引脚连接
（ * ） RPNC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
AI02079C
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7
26
M29F002T 25
8
M29F002B
9 M29F002NT24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
AI02080C
VCC
W
A17
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A12
A15
A16
RPNC
VCC
W
A17
1 32
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M29F002T
M29F002B
25
17
注意：
1脚不连接的M29F002NT
图2C 。 TSOP引脚连接
表1.信号名称
A0-A17
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出，输入命令
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
电源电压
地
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
RPNC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
8
9
M29F002T
M29F002B
25
24
16
17
AI02361B
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
E
G
W
RPNC
(*)
V
CC
V
SS
描述
（续）
说明读/复位，自动选择为只读
荷兰国际集团的电子签名或块保护
状态，编程，块和芯片擦除，擦除
暂停和恢复被写入到设备中
指令周期为CommandInterfaceusing
标准的微处理器写时序。该装置
提供在PLCC32 ， PDIP32和TSOP32 （ 8 ×20
毫米）封装。
2/29
M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
(2)
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
(2)
(3)
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
CC
V
（ A9 ， E，G ， RPNC ）
A9 ，E ，G ， RPNC电压
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
组织
该M29F002组织为256K X 8内存
控制是由芯片提供启动E，输出恩
能够G和写使能W输入。
复位/座临时unprotection的RPNC
（上M29F002NT不可用）三电平输入亲
国际志愿组织一个hardwarereset拉为低电平，当
举高（在V
ID
）暂时取消保护块
先前保护使他们能够progra-
MED和删除。擦除和编程操作
通过内部编程/擦除CON-控制
控制器（ P / E.C ）。 StatusRegister数据outputon DQ7
提供了数据查询信号，并DQ6和DQ2
提供切换信号指示的状态
P / E.C操作。
内存块
这些器件具有非对称受阻架构设计师用手工
tecture提供系统内存的集成。该
M29F002有7块阵列，一是引导块
16千字节， 8千字节2参数块，
32千字节和三个主要模块1正座
64千字节。
存储器映射是显示在图3的每块
可单独擦除的任何组合
块可以为多块擦除或指定
整个芯片可以被擦除。擦除操作
是managedautomaticallyby的P / E.C.The块
擦除操作可以读暂停
从程序或任何块没有被ersased ，
然后重新开始。块保护提供了额外
方面的资料的安全性。每个块可以被分别
protectedor unprotectedagainstProgram或擦除
编程设备。所有以前亲
tected块可以是暂时的unprotectedin
应用程序。
巴士业务
下面的操作可以使用进行
在appropriatebus周期：读取（阵列，电子
签名，块保护状态） ，写的COM
命令，输出禁用，待机，复位，阻止亲
吨EC吨IO N， UNP RO TE CT IO N， P ro的忒CTI上Verif Y，
解除保护检查和阻止外部器件了临时
保护。见表4和5 。
命令接口
说明，由命令写在赛扬
克莱斯，可给予本程序/ EraseController
通过命令接口（ C.I. ） 。为了增加
数据保护，编程或擦除开始执行
后4个或6个周期。第一，第二，第四和第五
周期用于输入编码周期的C.I。
此编码序列是相同的所有亲
克/擦除控制器的指令。在“ COM的
命令“本身和它的确认，在适用时，
给出了在第三，第四或第六个周期。任何
不正确的命令或任何不正确的指令SE-
quence将复位器件来读取阵列模式。
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M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
图3.存储器映射和块地址表
M29F002T ， M29F002NT
3FFFFh
16K BOOT BLOCK
3C000h
3BFFFh
8K参数块
3A000h
39FFFh
8K参数块
38000h
37FFFh
32K主块
30000h
2FFFFh
64K主块
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
64K主块
00000h
00000h
AI02081C
M29F002B
3FFFFh
64K主块
30000h
2FFFFh
64K主块
20000h
1FFFFh
64K主块
10000h
0FFFFh
32K主块
08000h
07FFFh
8K参数块
06000h
05FFFh
8K参数块
04000h
03FFFh
16K BOOT BLOCK
表3A 。 M29F002T ， M29F002NT块地址表
地址范围
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-39FFFh
3A000h-3BFFFh
3C000h-3FFFFh
A17
0
0
1
1
1
1
1
A16
0
1
0
1
1
1
1
A15
X
X
X
0
1
1
1
A14
X
X
X
X
0
0
1
A13
X
X
X
X
0
1
X
表3B 。 M29F002B块地址表
地址范围
00000h-03FFFh
04000h-05FFFh
06000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
A17
0
0
0
0
0
1
1
A16
0
0
0
0
1
0
1
A15
0
0
0
1
X
X
X
A14
0
1
1
X
X
X
X
A13
X
0
1
X
X
X
X
4/29
M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
说明
七个指令被定义为执行读
阵列，自动选择（阅读ElectronicSignature
或阻止ProtectionStatus ） ，程序，块擦除，
芯片擦除，擦除暂停和擦除恢复。
内部P / E.C 。自动处理所有时序
荷兰国际集团和验证的编程和擦除的
operations.The状态寄存器的数据轮询，将触发
GLE ，错误比特可以随时读取，在此期间
编程或擦除，并监控进度
的操作。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令Interfacewhich iscommon所有指令
行动（见表8） 。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据，电子签名或
块保护现状进行读操作。在
为了给更多的数据保护，该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于Programinstruction ，
第四个命令周期输入的地址和
数据进行编程。对于擦除指令
（块或片） ，第四和第五个周期输入
擦除确认之前，进一步的编码序列
命令上的第六个周期。一个存储器的擦除
块可能会被暂停，在orderto读取数据
另一个块还是程序数据在另一个块中，
然后重新开始。
当首次加电或者V
CC
瀑布下方
V
LKO
中，命令界面被重置为读
数组。
信号说明
参见图1和表1中。
地址输入（ A0 - A17 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化片上的下降沿启动E或写
启用W.当A9提高到V
ID
，或者读
ElectronicSignature Manufactureror设备代码，
块保护状态或写块保护
或阻止unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A6 ，A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
的输入是数据
存储器阵列或一个COM中进行编程
命令要被写入到C.I。两者都锁定在
芯片的上升沿启动E或写使能
W的输出是从所述存储器阵列的数据，在
电子签名制造商或设备
代码块保护状态或状态
注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6
和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位
DQ3 。输出有效时，芯片使能E和
输出使能G为主动。的输出为高
或阻抗当芯片被取消了
输出被禁止，当RPNC处于低
的水平。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入激活
存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 高deselectsthe内存
并减少consumptionto备用电源
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。该芯片使能必须
被迫V
ID
块unprotection的操作过程
化。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。当G为高，输出为高电平
阻抗。摹必须强制V
ID
在水平
块保护和unprotection的操作。
写使能（ W） 。
该输入控件写
命令Registerand Addressand Datalatches 。
复位/座临时撤消/无连接
输入（ RPNC ） 。
该RPNC （不适用于
M29F002NT ）输入提供了硬件复位，
保护块（ S）暂时解除保护功能
系统蒸发散。在读或写操作模式下， RPNC引脚可
悬空（不接） ，或在V举行
IH
。复位
该存储器是通过拉动RPNC到V来达到的
IL
为
至少为500ns 。当复位脉冲被给定，如果
记忆是在读或待机模式，这将是
可在50ns的新业务的上涨后
RPNC的边缘。如果内存中的擦除，擦除
挂起或程序模式复位会
为10μs 。 Ahardware重置duringan Eraseor计划
操作将损坏的数据进行编程
或所属部门被删除。
临时块解除保护是通过举办制成
RPNC在V
ID
。在这种状态下先前保护
块可以被编程或擦除。的跃迁
化RPNC从V
IH
到V
ID
一定要慢
为500ns 。当RPNC从V返回
ID
到V
IH
所有
块暂时未受保护将被再次亲
tected 。
V
CC
电源电压。
对于所有的电源
操作（读取，编程和擦除） 。
V
SS
地面上。
V
SS
对于所有电压基准
测量。
设备操作
参照表4，5和6 。
读取。
读操作被用于输出
的存储器阵列，所述电子显的内容
性质，状态寄存器或块保护
状态。这两个芯片使能E和输出使能摹
必须低，以读取的输出
内存。
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