M29F512B
512千位（64KB ×8 ，散装）单电源闪存
初步数据
s
单5V ± 10 ％电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间：为45nS
编程时间
- 每个字节的典型8μs
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式芯片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
TSOP32 （ NZ ）
8× 14毫米
PLCC32 （ K）
s
s
s
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
低功耗
- 待机和自动待机
100,000编程/擦除周期
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 24小时
VCC
s
s
s
图1.逻辑图
s
16
A0-A15
W
E
G
M29F512B
8
DQ0-DQ7
VSS
AI02739
1999年7月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M29F512B
图2A 。 TSOPConnections
图2B中。 PLCC连接
A11
A9
A8
A13
A14
NC
W
VCC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
8
9
M29F512B
25
24
16
17
AI02741
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
AI02930
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A12
A15
NC
NC
VCC
W
NC
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M29F512B
25
17
表1.信号名称
A0-A15
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
在内部没有连接
引入来更新存储器的内容。年底
编程或擦除操作可以检测并
发现的任何错误情况。该命令集
控制存储器需要是一致
JEDEC标准。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
该存储器被提供在TSOP32 （8× 14毫米）和
PLCC32封装。为45nS的访问时间和
为70ns可用。存储与供给
全部被擦除的位（设置为' 1'） 。
信号说明
参见图1 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A15 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
概要说明
该M29F512B是一个512千位（ 64Kb的x8的）非vola-
瓷砖存储器可被读取，擦除和重现
编程。这些操作可以被执行
使用单一5V电源。上电时， memo-
Ry的默认为它的读取模式，其中它可以被读
以同样的方式作为ROM或EPROM 。
编程和擦除命令写入
存储器的命令接口。片上
编程/擦除控制器简化的过程
编程或利用擦除记忆
照顾所有的特种作战是重的
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M29F512B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关
质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC3
.
VSS地。
在V
SS
地面为参考
所有的电压测量。
巴士业务
有迹象表明，控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读，写总线，输出
把禁用，待机和自动待机。看
表3 ，公交车运营，对于一个总结。通常
小于5ns的毛刺被MEM-忽略
储器，不影响公交车运营。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元，或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入，应用低信号，V
IL
，到芯片使能
和输出使能，并保持写使能
高，V
IH
。数据输入/输出将输出
值，见图7 ，阅读模式AC波形，
表10 ，阅读交流特性，了解详细信息
的时，输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能，最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能，以先到为准。输出恩
能必须维持在高位，V
IH
，整辆巴士中
写操作。参见图8和9中，收件交流
波形，以及表11和表12中，收件交流
特点，关于定时的细节要求一
求。
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M29F512B
表4.命令
命令
长
总线写操作
1st
ADDR
X
555
555
555
555
X
X
555
数据
F0
AA
AA
AA
AA
A0
90
AA
2AA
2AA
2AA
2AA
PA
X
2AA
55
55
55
55
PD
00
55
555
80
555
AA
2AA
55
555
10
X
555
555
555
F0
90
A0
20
PA
PD
2nd
ADDR
数据
3rd
ADDR
数据
4th
ADDR
数据
5th
ADDR
数据
6th
ADDR
数据
1
读/复位
3
自动选择
节目
解锁绕道
解锁绕道
节目
解锁绕道复位
芯片擦除
3
4
3
2
2
6
注意： x无关， PA程序地址， PD程序数据。
表中的所有值均为十六进制。
命令接口仅使用地址位A0 -A10来验证命令，高位地址都不在乎。
读/复位。
读/复位命令后，读取内存正常，直到另一个命令发出。
自动选择。
经过自动选择命令，读取制造商ID或设备ID 。
程序，解锁绕道程序，芯片擦除。
经过这些命令读状态寄存器，直到编程/擦除控制器的COM
pletes和记忆返回到读取模式。
解锁绕道。
解锁绕道命令发出解锁绕道程序或解锁绕道复位后的命令。
解锁绕道复位。
解锁绕道复位命令后读取内存正常，直到另一个命令发出。
从自动选择模式制造商
代码可以使用总线读操作中读取
与A0 = V
IL
和A1 = V
IL
。其他地址位
可被设置在V
IL
或V
IH
。制造商
意法半导体的代码是20H 。
设备代码可以用总线读来读
操作A0 = V
IH
和A1 = V
IL
。另
地址位可以被设置为V
IL
或V
IH
。该
为M29F512B器件代码为24小时。
程序命令。
该计划的命令
可用于编程的一个值，以1地址
在一个时间的存储器阵列。该命令重
张塌塌米4总线写操作，最后写OP-
关合作锁存器中的内部地址和数据
状态机，并开始编程/擦除CON-
控制器。
在程序运行内存会会忽
诺尔的所有命令。它不可能发出任何
命令中止或暂停操作。典型
节目时间在表5中总线读给OP-
该程序运行将输出操作过程
在数据输入/输出的状态寄存器。
看到在状态寄存器中的章节更多
详细信息。
之后的编程操作已完成
存储器将返回到读模式，除非一个
已发生错误。当发生错误的
内存将继续输出状态雷吉斯 -
之三。读/复位命令必须发出重新
设置错误条件并返回到读取模式。
需要注意的是该程序的命令不能改变
位设置为'0'回到'1' ，并试图这样做会
导致错误。芯片擦除命令必须是
用于设置在存储器中的所有位从“0”到“1”。
解锁绕道命令。
解锁绕道
命令一起使用的解锁
绕道程序命令编程memo-
RY 。时的存取时间的设备是长期（如
一些EPROM编程器）相当
节省时间可以使用这些命作
mands 。需要三个总线写操作
发出解锁绕道命令。
一旦解锁绕道命令一直是─
状告内存将只接受解锁附例
通过程序指令和解锁绕道
复位命令。存储器可以被理解为，如果在
阅读模式。
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