M28W320CT
M28W320CB
32兆位（2MB X16 ，引导块）低电压闪存
初步数据
s
电源电压
– V
DD
= 2.7V至3.6V ：用于编程，擦除和
读
– V
DDQ
= 1.65V或2.7V ：输入/输出选项
– V
PP
= 12V ：可选的电源电压进行快速
节目
μBGA
s
存取时间
- 2.7V至3.6V ：为90ns
- 2.7V至3.6V ： 100ns的
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
BGA47
（ GB）
8×6的焊锡球
s
编程时间：
- 典型为10μs
- 双字编程选项
s
s
s
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
通用闪存接口
内存块
- 参数块（顶部或底部的位置）
- 主块
图1.逻辑图
s
块保护解除保护
- 在上电时保护所有块
- 模块的任意组合可以得到保护
- WP块锁
21
A0-A20
W
E
G
RP
WP
M28W320CT
M28W320CB
VDD VDDQ VPP
16
DQ0-DQ15
s
安全
- 64位用户可编程OTP细胞
- 64位的唯一设备标识符
- 一个参数块永久上锁
s
s
s
自动待机模式
编程和擦除挂起
每10万编程/擦除周期
块
20年的数据保存
- 在1ppm以下缺陷率/年
s
VSS
AI03521
s
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M28W320CT ： 88BAh
- 底设备代码， M28W320CB ： 88BBh
2000年5月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/42
M28W320CT ， M28W320CB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
DD
, V
DDQ
V
PP
参数
工作环境温度
(2)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
编程电压
价值
-40到85
-40至125
-55至155
-0.6到V
DDQ
+0.6
-0.6 4.1
-0.6至13
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.取决于范围。
描述
该M28W320C是32兆位非易失性闪存
存储器可以电在块擦除
水平又上了一个在系统编程的字逐
字的基础。该器件提供了TSOP48
（10× 20毫米）和
BGA47,
0.75毫米球间距
包。出厂时的所有位
M28W320C处于1状态。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。所有块保护，防止亲
编程和擦除在上电时。块可以是
无保护，使应用程序中的变化
然后再保护。参数块“安全
块“可以永久地保护，以防止亲
编程和擦除，以提高数据
安全性。每个块进行编程，
删除超过10万次。 V
DDQ
让开车
在I / O引脚下降到1.65V 。一个可选的12V V
PP
电源被提供给加速程序
相在客户生产线的环境。
内部命令接口（C.I。 ）解码
指令访问/修改内存的内容。
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ） automati-
执行美云服用的保健算法
必要的编程和擦除操作时序
系统蒸发散。执行验证过， unburdening
微控制器，而状态寄存器
跟踪操作的状态。
下面的说明是由执行
M28W320C ：读阵列，读取电子签名确保
TURE ，读状态寄存器，清除状态寄存器，
程序，双击Word程序，块擦除，
编程/擦除挂起，编程/擦除再
庙， CFI查询，块保护，锁座，座
取消保护，保护计划。
组织
该M28W320C由16位组织为2兆比特。
A0 -A20是地址线; DQ0 - DQ15是
数据输入/输出。存储器控制是通过提供
芯片使能E，输出使能G和写使能
W投入。在编程和擦除操作
由P / E.C自动管理。亲座
tection对编程或擦除提供额外
方面的资料的安全性。
内存块
该器件采用不对称受阻AR-
民族形式。该M28W320C有71阵列
块： 4 KWord的63 8参数块
的32K字的主要模块。 M28W320CT有
参数块在存储器的顶部AD-
装扮空间，而M28W320CB的定位
参数块从底部开始。该
存储器映射图中的表3和表4 。
所有的块被保护在加电。指令
提供保护，取消保护在任何块
应用程序。第二个寄存器锁定保护
状态，而WP为低电平（见块保护DE-
scription ） 。每个块可以单独被删除。
擦除可以执行任一暂停
在任何其他模块读取或程序，然后重新
SUMED 。程序可以暂停在读取数据
任何其他块，然后重新开始。
该体系结构包括一个128比特的保护
寄存器分为两个64位段。
在第一个，开始从地址81H到84H ，
被写入一个唯一的设备号，而仲
OND之一，从85H开始88H ，是可编
由用户竹叶提取。用户可编程的段
可以永久地保护编程
的保护锁注册bit.1 （见保护
置寄存器和安全模块） 。参数
块（＃0）是一个安全块。它可以是permanent-
通过编程的bit.2用户LY保护
保护锁定寄存器（见寄存器保护
器和安全模块） 。
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M28W320CT
M28W320CB
32兆位（2MB X16 ，引导块）低电压闪存
初步数据
s
电源电压
– V
DD
= 2.7V至3.6V ：用于编程，擦除和
读
– V
DDQ
= 1.65V或2.7V ：输入/输出选项
– V
PP
= 12V ：可选的电源电压进行快速
节目
μBGA
s
存取时间
- 2.7V至3.6V ：为90ns
- 2.7V至3.6V ： 100ns的
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
BGA47
（ GB）
8×6的焊锡球
s
编程时间：
- 典型为10μs
- 双字编程选项
s
s
s
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
通用闪存接口
内存块
- 参数块（顶部或底部的位置）
- 主块
图1.逻辑图
s
块保护解除保护
- 在上电时保护所有块
- 模块的任意组合可以得到保护
- WP块锁
21
A0-A20
W
E
G
RP
WP
M28W320CT
M28W320CB
VDD VDDQ VPP
16
DQ0-DQ15
s
安全
- 64位用户可编程OTP细胞
- 64位的唯一设备标识符
- 一个参数块永久上锁
s
s
s
自动待机模式
编程和擦除挂起
每10万编程/擦除周期
块
20年的数据保存
- 在1ppm以下缺陷率/年
s
VSS
AI03521
s
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M28W320CT ： 88BAh
- 底设备代码， M28W320CB ： 88BBh
2000年5月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M28W320CT ， M28W320CB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
DD
, V
DDQ
V
PP
参数
工作环境温度
(2)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
编程电压
价值
-40到85
-40至125
-55至155
-0.6到V
DDQ
+0.6
-0.6 4.1
-0.6至13
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.取决于范围。
描述
该M28W320C是32兆位非易失性闪存
存储器可以电在块擦除
水平又上了一个在系统编程的字逐
字的基础。该器件提供了TSOP48
（10× 20毫米）和
BGA47,
0.75毫米球间距
包。出厂时的所有位
M28W320C处于1状态。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。所有块保护，防止亲
编程和擦除在上电时。块可以是
无保护，使应用程序中的变化
然后再保护。参数块“安全
块“可以永久地保护，以防止亲
编程和擦除，以提高数据
安全性。每个块进行编程，
删除超过10万次。 V
DDQ
让开车
在I / O引脚下降到1.65V 。一个可选的12V V
PP
电源被提供给加速程序
相在客户生产线的环境。
内部命令接口（C.I。 ）解码
指令访问/修改内存的内容。
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ） automati-
执行美云服用的保健算法
必要的编程和擦除操作时序
系统蒸发散。执行验证过， unburdening
微控制器，而状态寄存器
跟踪操作的状态。
下面的说明是由执行
M28W320C ：读阵列，读取电子签名确保
TURE ，读状态寄存器，清除状态寄存器，
程序，双击Word程序，块擦除，
编程/擦除挂起，编程/擦除再
庙， CFI查询，块保护，锁座，座
取消保护，保护计划。
组织
该M28W320C由16位组织为2兆比特。
A0 -A20是地址线; DQ0 - DQ15是
数据输入/输出。存储器控制是通过提供
芯片使能E，输出使能G和写使能
W投入。在编程和擦除操作
由P / E.C自动管理。亲座
tection对编程或擦除提供额外
方面的资料的安全性。
内存块
该器件采用不对称受阻AR-
民族形式。该M28W320C有71阵列
块： 4 KWord的63 8参数块
的32K字的主要模块。 M28W320CT有
参数块在存储器的顶部AD-
装扮空间，而M28W320CB的定位
参数块从底部开始。该
存储器映射图中的表3和表4 。
所有的块被保护在加电。指令
提供保护，取消保护在任何块
应用程序。第二个寄存器锁定保护
状态，而WP为低电平（见块保护DE-
scription ） 。每个块可以单独被删除。
擦除可以执行任一暂停
在任何其他模块读取或程序，然后重新
SUMED 。程序可以暂停在读取数据
任何其他块，然后重新开始。
该体系结构包括一个128比特的保护
寄存器分为两个64位段。
在第一个，开始从地址81H到84H ，
被写入一个唯一的设备号，而仲
OND之一，从85H开始88H ，是可编
由用户竹叶提取。用户可编程的段
可以永久地保护编程
的保护锁注册bit.1 （见保护
置寄存器和安全模块） 。参数
块（＃0）是一个安全块。它可以是permanent-
通过编程的bit.2用户LY保护
保护锁定寄存器（见寄存器保护
器和安全模块） 。
3/42
M28W320CT
M28W320CB
32兆位（2MB X16 ，引导块）低电压闪存
初步数据
s
电源电压
– V
DD
= 2.7V至3.6V ：用于编程，擦除和
读
– V
DDQ
= 1.65V或2.7V ：输入/输出选项
– V
PP
= 12V ：可选的电源电压进行快速
节目
μBGA
s
存取时间
- 2.7V至3.6V ：为90ns
- 2.7V至3.6V ： 100ns的
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
BGA47
（ GB）
8×6的焊锡球
s
编程时间：
- 典型为10μs
- 双字编程选项
s
s
s
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
通用闪存接口
内存块
- 参数块（顶部或底部的位置）
- 主块
图1.逻辑图
s
块保护解除保护
- 在上电时保护所有块
- 模块的任意组合可以得到保护
- WP块锁
21
A0-A20
W
E
G
RP
WP
M28W320CT
M28W320CB
VDD VDDQ VPP
16
DQ0-DQ15
s
安全
- 64位用户可编程OTP细胞
- 64位的唯一设备标识符
- 一个参数块永久上锁
s
s
s
自动待机模式
编程和擦除挂起
每10万编程/擦除周期
块
20年的数据保存
- 在1ppm以下缺陷率/年
s
VSS
AI03521
s
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M28W320CT ： 88BAh
- 底设备代码， M28W320CB ： 88BBh
2000年5月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/42
M28W320CT ， M28W320CB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
DD
, V
DDQ
V
PP
参数
工作环境温度
(2)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
编程电压
价值
-40到85
-40至125
-55至155
-0.6到V
DDQ
+0.6
-0.6 4.1
-0.6至13
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.取决于范围。
描述
该M28W320C是32兆位非易失性闪存
存储器可以电在块擦除
水平又上了一个在系统编程的字逐
字的基础。该器件提供了TSOP48
（10× 20毫米）和
BGA47,
0.75毫米球间距
包。出厂时的所有位
M28W320C处于1状态。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。所有块保护，防止亲
编程和擦除在上电时。块可以是
无保护，使应用程序中的变化
然后再保护。参数块“安全
块“可以永久地保护，以防止亲
编程和擦除，以提高数据
安全性。每个块进行编程，
删除超过10万次。 V
DDQ
让开车
在I / O引脚下降到1.65V 。一个可选的12V V
PP
电源被提供给加速程序
相在客户生产线的环境。
内部命令接口（C.I。 ）解码
指令访问/修改内存的内容。
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ） automati-
执行美云服用的保健算法
必要的编程和擦除操作时序
系统蒸发散。执行验证过， unburdening
微控制器，而状态寄存器
跟踪操作的状态。
下面的说明是由执行
M28W320C ：读阵列，读取电子签名确保
TURE ，读状态寄存器，清除状态寄存器，
程序，双击Word程序，块擦除，
编程/擦除挂起，编程/擦除再
庙， CFI查询，块保护，锁座，座
取消保护，保护计划。
组织
该M28W320C由16位组织为2兆比特。
A0 -A20是地址线; DQ0 - DQ15是
数据输入/输出。存储器控制是通过提供
芯片使能E，输出使能G和写使能
W投入。在编程和擦除操作
由P / E.C自动管理。亲座
tection对编程或擦除提供额外
方面的资料的安全性。
内存块
该器件采用不对称受阻AR-
民族形式。该M28W320C有71阵列
块： 4 KWord的63 8参数块
的32K字的主要模块。 M28W320CT有
参数块在存储器的顶部AD-
装扮空间，而M28W320CB的定位
参数块从底部开始。该
存储器映射图中的表3和表4 。
所有的块被保护在加电。指令
提供保护，取消保护在任何块
应用程序。第二个寄存器锁定保护
状态，而WP为低电平（见块保护DE-
scription ） 。每个块可以单独被删除。
擦除可以执行任一暂停
在任何其他模块读取或程序，然后重新
SUMED 。程序可以暂停在读取数据
任何其他块，然后重新开始。
该体系结构包括一个128比特的保护
寄存器分为两个64位段。
在第一个，开始从地址81H到84H ，
被写入一个唯一的设备号，而仲
OND之一，从85H开始88H ，是可编
由用户竹叶提取。用户可编程的段
可以永久地保护编程
的保护锁注册bit.1 （见保护
置寄存器和安全模块） 。参数
块（＃0）是一个安全块。它可以是permanent-
通过编程的bit.2用户LY保护
保护锁定寄存器（见寄存器保护
器和安全模块） 。
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