M28W160BT
M28W160BB
16兆位（ 1Mb的X16 ，引导块）低电压闪存
s
电源电压
– V
DD
= 2.7V至3.6V ：用于编程，擦除和
读
– V
DDQ
= 1.65V或2.7V ：输入/输出选项
– V
PP
= 12V ：可选的电源电压进行快速
节目
μBGA
s
存取时间
- 2.7V至3.6V ：为90ns
- 2.7V至3.6V ： 100ns的
s
编程时间：
- 典型为10μs
- 双字编程选项
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
μBGA46 （ GB）
8×6的焊锡球
s
s
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
通用闪存接口
- 64位验证码
内存块
- 参数块（顶部或底部的位置）
- 主块
图1.逻辑图
s
s
两个参数块保护
块
- WP的块保护
20
A0-A19
W
E
G
RP
WP
VDD VDDQ VPP
16
DQ0-DQ15
s
s
s
自动待机模式
编程和擦除挂起
每10万编程/擦除周期
块
20年的数据保存
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 顶级设备代码， M28W160BT ： 90H
- 底设备代码， M28W160BB ： 91H
s
M28W160BT
M28W160BB
s
VSS
AI02628
2000年5月
1/39
M28W160BT ， M28W160BB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
DD
, V
DDQ
V
PP
参数
工作环境温度
(2)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
编程电压
价值
-40到85
-40至125
-55至155
-0.6到V
DDQ
+0.6
-0.6 4.1
-0.6至13
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.取决于范围。
描述
该M28W160B是16兆位非易失性闪存
存储器可以电在块擦除
水平又上了一个在系统编程的字逐
字的基础。该器件提供了TSOP48
（ 10× 20毫米）和μBGA46 ， 0.75毫米焊球间距
包。出厂时的所有位
M28W160B处于“1”状态。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。每个块进行编程，
删除超过10万次。 V
DDQ
让开车
在I / O引脚下降到1.65V 。一个可选的12V V
PP
电源被提供给加速程序
相在客户生产线的环境。
内部命令接口（C.I。 ）解码
指令访问/修改内存的内容。
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ） automati-
执行美云服用的保健算法
必要的编程和擦除操作时序
系统蒸发散。执行验证过， unburdening
微控制器，而状态寄存器
跟踪操作的状态。
下面的说明是由执行
M28W160B ：读阵列，读取电子签名确保
TURE ，读状态寄存器，清除状态寄存器，
程序，双击Word程序，块擦除，
编程/擦除挂起，编程/擦除再
庙和CFI查询。
组织
该M28W160B由16位组织为1兆比特。
A0 - A19是地址线; DQ0 - DQ15是
数据输入/输出。存储器控制是通过提供
芯片使能E，输出使能G和写使能
W投入。在编程和擦除操作
由P / E.C自动管理。亲座
tection对编程或擦除提供额外
方面的资料的安全性。
上面的两个（或两个低）参数块
可以被保护，以确保该代码的内容
内存。 WP控制保护和解除保护
操作。
内存块
该器件采用不对称受阻AR-
民族形式。该M28W160B有39阵列
块： 4 KWord的31 8参数块
的32K字的主要模块。 M28W160BT有
参数块在存储器的顶部AD-
装扮空间，而M28W160BB的定位
参数块从底部开始。该
存储器映射图中的表3和表4 。
上面的两个参数块可保护
使用意外编程或擦除
WP 。每个块可以单独被删除。抹去
可为了执行任何读暂停
或程序中的任何其他块，然后重新开始。
程序可以暂停读取任何数据
其他的块，然后重新开始。
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