M28F101
1 MB（ 128K ×8 ，芯片擦除）闪存
5V
±10%
电源电压
12V编程电压
快速存取时间： 70ns的
字节编程时间： 10μs的典型
在1秒范围电气芯片擦除
低功耗
- 待机电流：最大100μA
万次擦除/编程
集成擦除/编程-STOP
定时器
OTP兼容封装与引脚
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 07H
描述
该M28F101 FLASH存储器是非易失性的
内存可电在被删除
芯片级和编程的逐字节。这是或 -
ganised为128K字节的8位。它使用一个命令
注册架构来选择工作模式
从而提供了一种简单的微处理器接口
脸上。该M28F101 FLASH存储器，适用于
应用中，存储器必须是重现
编程的设备。的访问时间
为70ns使该器件适合于在高的使用
高速微处理器系统。
32
1
PDIP32 （P）的
PLCC32 （ K）
TSOP32 （ N）
8 ×20mm的
图1.逻辑图
VCC
VPP
17
A0-A16
8
DQ0-DQ7
表1.信号名称
A0-A16
DQ0-DQ7
E
G
W
V
PP
V
CC
V
SS
1997年4月
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
节目供应
电源电压
地
W
E
G
M28F101
VSS
AI00666B
1/23
M28F101
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
项目电源电压，擦除时
或编程
价值
-40至125
-65到150
-0.6 7
-0.6 7
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评价“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或以上的任何其他条件
在该规范规定的经营部门所标明的是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。
设备操作
该M28F101 FLASH存储器采用了技
术类似于一个1兆比特的EPROM但增加了
通过提供的电擦除设备功能
和编程。这些功能是管理
由命令寄存器。属于功能
通过命令寄存器寻址取决于
施加到V中的电压
PP
，编程电压
输入。当V
PP
小于或等于6.5V ，则
命令寄存器被禁用， M28F101功能
系统蒸发散作为只读存储器提供操作
模式类似，一个EPROM （读取，输出显示
能，电子签名阅读和待机） 。
当V
PP
被升高到12V的指令值寄存器
被启用，这提供了，此外，擦除和
编程操作。
READ ONLY模式，V
PP
≤
6.5V
对于所有只读模式，除了待机模式，
写使能W输入应该是很高的。在
待机模式下该输入不在乎。
阅读模式。
该M28F101有两个使能输入，
E和G ，它们都必须按顺序是从低到
从存储器输出的数据。芯片使能（ E）
是功率控制和应使用的设备
选择。输出使能（G）是在输出控制
并且应当用于栅极的数据到输出，
独立的设备选择。
待机模式。
在待机模式下的马克西 -
妈妈电源电流减小。该装置是
通过施加高至放置在待机模式
芯片使能（ E）的输入。当在待机
模式的输出处于高阻抗状态，
输出的独立使能（ G）输入。
输出禁止模式。
当输出使能
（G）是高的输出处于高阻抗
状态。
电子签名方式。
这种模式允许
从设备中读取的两个二进制码出的
识别制造商和设备类型。这
模式用于通过编程使用分析装备
换货自动选择正确的擦除和
编程算法。电子签名
模式被激活时，一个高电压（ 11.5V至13V ）
适用于地址线A9与E和G低。同
A0低的输出数据是制造商代码，
当A0为高，输出是设备类型的代码。
所有其他地址线应保持低
在阅读代码。电子签名
也可以在读/写模式访问。
读/写模式， 11.4V
≤
V
PP
≤
12.6V
当V
PP
是高读取和写入操作
可被执行。这些是由CON组定义
内部命令寄存器帐篷。命令
可写入该寄存器来设置和exe-
可爱，擦除，擦除校验，方案，方案验证
和复位模式。每种模式都需要2
周期。 EAH模式启动的写操作，以
建立的命令，这是后跟读
或写操作。该设备预计第一
周期是一个写操作，并不会破坏
于在存储器中的任何位置的数据。阅读模式
设置只用一个周期，并且可以随后
任何数目的读取操作，以输出数据。
电子签名阅读模式被设置与一个
周期和随后的读周期中，输出
制造商或设备代码。
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