M28F008
8兆比特（ 1兆比特×8 ）Flash存储器
Y
高密度对称阻止
架构
十六个64字节块
扩展循环能力
10K块擦除周期最短
每芯片160K块擦除周期
自动字节写和块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
系统性能增强
RY BY状态输出
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
Y
极高性能的读取
100 ns的最大访问时间
硬件数据保护功能
擦除功率在写锁定
TRANSITIONS
行业标准包装
40引脚DIP Sidebrazed
42引脚扁平封装
ETOX
TM
非易失性闪存技术
12V字节写块擦除
独立软件供应商支持
微软闪存文件系统（ FFS ）
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
英特尔M28F008 8兆位FlashFile内存固态最高密度非易失性读写解决方案
存储M28F008的延伸循环受阻对称架构的快速存取时间写自动化
化和低功耗提供了更可靠的低功率更轻的重量和更高的性能
替代传统的旋转磁盘技术的M28F008带来了新的功能，便携式计算
存储在居民的闪存阵列的应用程序和操作系统软件提供即时的快速
执行就地和保护从过时通过在系统软件更新常驻软件
还扩展系统电池寿命，并通过减少磁盘驱动器的访问增加了可靠性
对于高密度的数据采集应用M28F008提供一个更具成本效益和可靠的alterna-
略去SRAM和电池传统的高密度嵌入式应用，如电信可以
采取灵活的M28F008的非易失性阻塞和最小的系统规范要求的优势
固件和软件的模块化设计
该M28F008提供40引脚DIP sidebrazed和42引线扁平封装该器件采用
集成命令的用户界面和状态机简化块擦除和字节写的
M28F008内存映射由16个单独可擦写64千字节块
英特尔M28F008采用了先进的CMOS电路用于需要低功耗和噪音系统
当有磁性存储介质相比它的免疫力100 ns访问时间提供卓越的性能
深省电模式可降低功耗500
mW
最大通V
CC
RP的功率控制
输入还系统上电时提供了绝对的数据保护下来
英特尔的ETOX制程技术制造的M28F008提供优质的了可靠性最高水平
性和成本效益
Microsoft是微软公司的商标。
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或
版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定
修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表
版权
英特尔公司1995年
1994年11月
订单号271232-004
M28F008
271232 –3
图3 M28F008阵列接口英特尔386
TM
SL微处理器的超集，通过PI总线
在系统（含RY通过屏蔽和选择性掉电）的DRAM备份SUSPEND
居民操作系统和应用程序，主板固态硬盘
操作原理
该M28F008包括片上写自动化
管理写入和擦除功能写状态
机允许100％的TTL电平控制输入
在块擦除和字节固定电源
写和RAM-最小的处理器开销
像接口时序
经过最初的设备上电或返回后
深掉电模式（见公交车运营）的
M28F008用作只读存储器而不对
外部存储器控制引脚LATION允许阵列
阅读待机和输出禁用这两种操作
状态寄存器和智能标识符可以
还可以通过命令用户访问接口
脸当V
PP
e
V
PPL
此相同的操作的子集也可
当高电压被施加于V
PP
脚在额外
在V化高压
PP
使成功的块
该设备的擦除和写入字节的所有功能
以改变存储器的内容字节相关
写块擦除状态，智能识别
通过命令的用户界面对其进行访问
验证直通状态寄存器
命令使用标准microproces-写
SOR写时序命令的用户界面内容
作为输入来控制该块的WSM
5
表5
2013罗彻斯特电子有限责任公司。版权所有04242013
M28F008
该M28F008 8兆位FlashFile内存固态最高密度非易失性读/写解决方案
存储。该M28F008的扩展循环，阻塞对称架构，快速的存取时间，写
自动化和低功耗提供了更可靠的，低功耗，重量轻和高
性能替代传统的旋转磁盘技术。该M28F008带来了新的功能，便携
计算。存储在居民的闪存阵列的应用程序和操作系统软件提供instant-
上，迅速通过在系统内的软件更新执行就地和保护从废弃。居民
软件还可以延长系统的电池寿命，并通过减少磁盘驱动器的访问提高了可靠性。
用于高密度的数据采集应用， M28F008提供一个更具成本效益和可靠的替代
SRAM和电池。传统的高密度嵌入式应用中，例如电信，可以采取
优势M28F008的非易失性的，阻塞和最小的系统规范要求进行灵活的固件
和模块化的软件设计。
该M28F008在40引脚DIP sidebrazed和42引线扁平封装。该器件采用
集成命令的用户界面和状态机简化块擦除和字节写操作。该
M28F008内存映射由16个单独可擦写64千字节块。
该M28F008采用了先进的CMOS电路用于需要低功耗和噪音系统
免疫力。当有磁性存储介质相比，其100 ns访问时间提供卓越的性能。
深省电模式可降低功耗500
W
最大通V
CC
。 RP的功率控制
输入还系统上电/关断期间提供了绝对的数据保护。
有关完整的罗切斯特订购指南，请参阅第2页
请联系工厂特定的软件包的可用性和
军事/航空航天规格/可用性。
罗彻斯特电子有限公司保证其半导体产品的性能达到了原来的OEM规格。 “典型”值供参考
只。一定的最小或最大额定值可根据产品的特性，设计，仿真，或样品测试。罗彻斯特电子有限公司储备
规范号28F008 -M （ I） REV -
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有权更改，恕不另行通知任何规格于此。
规格编号28F008 -M （ I） REV C
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M28F008
罗切斯特订购指南
*大多数产品还可以提供如符合RoHS标准，通过-G后缀指定。有关更多信息，请联系工厂。
罗切斯特型号
MC28F008-10/B
MC28F008-12/B
MF28F008-10/B
MF28F008-12/B
英特尔部件号
MC28F008-10
MC28F008-12
MF28F008-10
MF28F008-12
包
CDIP-40
CDIP-40
FP- 42 ，陶瓷
FP- 42 ，陶瓷
温度
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
-55 °C至+ 125°C
规格编号28F008 -M （ I） REV C
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