M28C64C ， M28C64X
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
参数
工作环境温度
存储温度范围
电源电压
输入/输出电压
输入电压
静电放电电压（人体模型）
价值
- 40 125
- 65 150
- 0.3 6.5
- 0.3 V
CC
+0.6
- 0.3 6.5
2000
单位
°C
°
C
V
V
V
V
注意：
除了评价“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或以上的任何其他条件
在该规范规定的经营部门所标明的是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关质量文件。
表3.操作模式
模式
读
写
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意：
X = V
IH
或V
IL
E
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
G
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IH
W
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
DQ0 - DQ7
数据输出
DATA IN
高阻
数据输出或Hi -Z
数据输出或Hi -Z
高阻
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据被写入或读
从通过I / O引脚的M28C64C 。
写使能（ W） 。
写使能输入控制
数据写入到M28C64C 。
就绪/忙（ RB ） 。
就绪/忙是一个开漏
输出可以被用来检测的结束
内部写周期。
手术
为了防止数据损坏和意外的
在上电，上电写入操作
复位（ POR ）电路，复位所有内部编程
cicuitry 。在写入模式下对存储器的访问是
如表6规定的后电允许的。
读
该M28C64C访问就像一个静态RAM 。
当E和G都是低用W高时，数据
解决的问题是呈现在I / O引脚。在I / O
引脚为高impedancewhen G或E为高。
写
写操作开始时，包括了W和E
低， G是high.The M28C64C支持
E和硬件控制的写周期。地址是
通过E的下降沿或W这永远锁
最后发生的数据上E的上升沿或
它先出现W的一旦开始写
操作内部定时，直到完成。
页写
页写允许最多32个字节是次连续
tively之前启动一个锁存到存储器
编程周期。所有字节必须位于一个
单页地址，即A 5 - A12必须是
相同的所有字节。页写可以启动
在任何字节写操作。
以下的第一个字节写指令中的主机
可以发送另一个地址和数据到一个马克西
后E或W的上升沿妈妈为100μs的哪
先出现（T
BLC
） 。如果E或W的过渡
在100没有检测
s时，内部编程
明周期将开始。
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M28C64C ， M28C64X
图3.框图
RB
E
G
W
VPP GEN
RESET
ATD &控制逻辑
X解码
A5-A12
（页面地址）
地址
LATCH
64K阵列
A0-A4
地址
LATCH
解码
SENSE和数据锁存器
I / O缓冲器
页面加载
定时器状态
切换位
数据轮询
AI00877C
DQ0-DQ7
单片机控制接口
该M28C64C提供了两个写操作状态
位和一个状态引脚可以用于最小化
系统写周期。这些信号可
在I / O端口上的位DQ7存储器或DQ6
在编程周期，或者仅作为RB信号
在一个独立的引脚。
图4.状态位分配
DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 DQ2 DQ1 DQ0
DP
TB
PLTS高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
DP =数据查询
TB =触发位
PLTS =页面加载定时器状态
数据轮询位（ DQ7 ） 。
在内部写
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将
生产DQ7上的互补价值
先前锁存位。一旦写周期是装订
ished真正的逻辑值在DQ7中出现
读周期。
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翻转位（ DQ6 ） 。
该M28C64C提供了另一种
方法，用于确定当内部写周期
就完成了。 Duringthe内部擦除/写周期，
DQ6将发生从“0”切换到“1”和“1”到“0”（在
第一次读值为“ 0 ” ）的后续尝试
读入内存中的任何地址。当内部
循环完成触发将停止，
设备将可为一新读或写
操作。
页面加载定时器状态位（ DQ5 ） 。
在页面
写模式数据可以通过电子邮件或W高达锁存
前一个字节后为100μs 。最多32个字节可
被输入。数据输出（ DQ5 ）表示
内部页面加载定时器状态。 DQ5可能
通过置输出使能低（T读
PLTS
).
DQ5低指示定时器正在运行，高
表示超时之后，在写周期将
就没有新的数据可被输入。
READY / BUSY引脚。
在RB引脚提供一个信号
它的开漏输出，低在
擦除/写周期，但其释放的
编程周期完成。
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