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M28C64
64千位( 8K ×8 )并行EEPROM
与软件数据保护
s
快速存取时间:
- 90纳秒在V
CC
= 5 V为M28C64和M28C64 -A
- 120纳秒在V
CC
= 3 V为M28C64 - XXW
s
单电源电压:
- 4.5 V至5.5 V的M28C64和M28C64 -A
- 2.7 V至3.6 V的M28C64 - XXW
28
s
s
低功耗
快字节和页写(最多64个字节)
- 1 ms的V
CC
= 4.5 V为M28C64 -A
- 3毫秒V
CC
= 4.5 V为M28C64
- 5毫秒V
CC
= 2.7 V为M28C64 - XXW
1
PDIP28 (BS)的
PLCC32 ( KA )
s
增强型写过检测和监控:
- READY / BUSY开漏输出
- 数据查询
- 触发位
- 页面加载定时器状态
1
28
s
s
s
s
JEDEC批准字节宽度引脚分配
软件数据保护
100000擦除/写周期(最小)
数据保留(最小值) :
- 40年M28C64和M28C64 - XXW
- 10年M28C64 -A
SO28 (MS)的
300密耳宽
TSOP28 ( NS )
8 X 13.4毫米
图1.逻辑图
VCC
表1.信号名称
13
A0-A12
DQ0-DQ7
W
E
G
RB
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
READY / BUSY
电源电压
8
DQ0-DQ7
A0-A12
W
E
M28C64
RB
G
VSS
AI01350C
2000年6月
1/24
M28C64
图2A 。 DIP连接
RB
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
M28C64
8
21
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
AI01351C
图2C 。 SO连接
VCC
W
NC
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
RB
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
M28C64
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
W
NC
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
AI01353C
注:1, NC =不连接
注:1, NC =不连接
图2B中。 PLLC连接
RB
DU
VCC
W
NC
A7
A12
图2D 。 TSOP连接
G
A11
A9
A8
NC
W
VCC
RB
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
21
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
1 32
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
A8
A9
A11
NC
G
A10
E
DQ7
DQ6
9
M28C64
25
28
1
M28C64
15
14
17
DQ1
DQ2
VSS
DU
DQ3
DQ4
DQ5
7
8
AI01354C
AI01352D
注:1, NC =不连接
2. DU =不使用
注:1, NC =不连接
描述
在M28C64设备包括低8192x8位
电力,并行EEPROM ,与制造
意法半导体专有的单多晶硅
CMOS技术。该器件提供快速访问
时,具有低功耗,并且需要
单电源电压(5V或3V时,根据不同的
所选选项) 。
该设备被设计为提供一种灵活的
微控制器接口,具有硬件
和软件握手,与Ready / Busy(忙)
数据轮询和切换位。该器件支持
一个64字节页写操作。软件数据
保护( SDP )也支持使用
JEDEC标准的算法。
2/24
M28C64
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
电源电压
输入或输出电压
输入电压
静电放电电压(人体模型)
2
价值
-40至125
-65到150
-0.3到V
CC
+1
-0.6到V
CC
+0.6
-0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
V
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C , 3015.7 ( 100 pF的, 1500
)
图3.框图
RB
E
G
W
VPP GEN
RESET
控制逻辑
X解码
A6-A12
(页面地址)
地址
LATCH
64K阵列
A0-A5
地址
LATCH
解码
SENSE和数据锁存器
I / O缓冲器
页面加载
定时器状态
切换位
数据轮询
AI01355
DQ0-DQ7
3/24
M28C64
表3.操作模式
1
模式
待用
输出禁用
写禁止
芯片擦除
E
1
X
X
0
0
0
G
X
1
X
0
1
V
W
X
X
1
1
0
0
DQ0-DQ7
高阻
高阻
高阻
数据输出
DATA IN
高阻
注: 1。 0 =
V
IL
; 1=
V
IH
; X =
V
IH
或V
IL
; V=12V
±
5%.
信号说明
的外部连接设备的
总结在表1中,并且它们在表3中使用。
地址( A0 - A12 ) 。
该地址输入是
用于选择从所述存储器阵列的一个字节
在读或写操作。
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 ) 。
该数据的内容
字节被写入或从存储器阵列读出
通过数据I / O引脚。
芯片启用( E) 。
该芯片使能输入必须是
保持为低电平,使读取和写入操作。
当芯片使能高,电耗
减少。
输出使能( G) 。
输出使能输入
控制数据输出缓冲器,以及用来
开始读操作。
写使能( W) 。
写使能输入控制
被寻址单元是否被读取,从
或写入。
就绪/忙( RB ) 。
就绪/忙是一个开漏
输出可以被用来检测的结束
内部写周期。
设备操作
为了防止数据损坏和意外的
写操作,内部V
CC
比较
禁止写操作,如果在V
CC
电压
比V低
WI
(见表4A和表4B)。一旦
施加在V的电压
CC
脚越过
V
WI
阈值(V
CC
& GT ; V
WI
) ,写权限
后超时吨内存允许
PUW
作为
在表4A和表4B中指定。
防止数据损坏进一步保护
通过对E和W的低通滤波器提供:任何毛刺,
在E和W输入,用脉冲宽度小于
10纳秒(典型值)的内部过滤掉,以防止
误写入的操作的存储器。
表4A 。上电时序
1
为M28C64 ( 5V范围内)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C
或-40 125
°C;
V
CC
= 4.5 5.5 V )
符号
t
PUR
t
PUW
V
WI
参数
时间延迟到读操作
时间延迟写操作(一次V
CC
V
WI
)
写保护阈值
3.0
分钟。
马克斯。
1
10
4.2
单位
s
ms
V
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
表4B 。上电时序
1
为M28C64 - XXW ( 3V范围内)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 2.7 3.6 V )
符号
t
PUR
t
PUW
V
WI
参数
时间延迟到读操作
时间延迟写操作(一次V
CC
V
WI
)
写保护阈值
1.5
分钟。
马克斯。
1
15
2.5
单位
s
ms
V
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
4/24
M28C64
该设备被访问像一个静态RAM。当E
和G是低,且W为高时,所述内容
地址位置都在I / O引脚。
否则,当G或E为高电平时, I / O引脚
恢复到其高阻抗状态。
写操作开始时,包括了W和E
是低,且G为高。该器件支持
W-控制, E-控制的写周期(如
在图11和图12)所示。的地址是
W或E的下降沿时锁存在(其
以后不断发生)和数据被锁存的
W或的E上升沿(其中先出现) 。
经过延时,T
WLQ5H
中,不能短于
在表10A至10C表中指定的值,则
内部写入周期开始。再这样下去,下
内部定时控制,直到写操作是
完整的。这一时期的开始可以
通过阅读页面加载定时器进行检测
状态上DQ5 。在循环结束时可以
通过读取数据轮询的状态检测
和DQ7和DQ6切换位功能。
页写
页写模式,允许最多64个字节是
在一个单一的去写一个页面上。这是
通过一系列连续的写操作实现
操作,没有两个以上为更分开
比T
WLQ5H
值(如表10A中指定的
表10C)。
所有字节必须位于同一页上
地址(A12 -A6必须是相同的所有字节)。
内部写周期可以就在任何时刻
吨后
WLQ5H
。一旦启动,写入操作是
内部定时,并持续的,不间断的,
直到完成。
与单字节写操作,描述
如上所述, DQ5 , DQ6和DQ7的线可以用来
检测的内部开始和结束时
页写周期的控制阶段。
软件数据保护( SDP )
该器件提供了一个软件控制的直写
保护机制,该机制允许用户
抑制所有的写操作的装置。这可以
是有用的,用于保护存储器从
期间可能发生的无意写入周期
不稳定的时期(不受控制的总线条件
当噪音过大被检测到,或者当动力
供应水平是他们指定的值以外) 。
默认情况下,该设备出厂时的
“无保护”状态:存储器的内容可以是
由用户自由地改变。一旦软件
数据保护模式被启用,所有的写
命令将被忽略,并且对没有影响
存储器的内容。
该装置保持在这个模式下,直到一个有效
软件数据保护禁用序列
收到。该设备恢复到它的“无保护”
状态。
软件数据保护的状态
(启用或禁用)由非表示
图4.软件数据保护使算法和存储器写
在寄存器写入AAH
地址1555h
页写
定时
(见注1 )
页写
定时
(见注1 )
在寄存器写入AAH
地址1555h
在写55H
地址0AAAh
在写55H
地址0AAAh
在写的A0h
地址1555h
在写的A0h
地址1555h
已启用
物理
页写
指令
页写
(1到64个字节)
SDP设置
SDP ENABLE算法
写入内存
当SDP SET
AI01356C
注意事项: 1。最显著的地址位( A12至A6)在这些特定的页写操作有所不同。
5/24
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