M28C17
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
参数
工作环境温度
存储温度范围
电源电压
输入/输出电压
输入电压
静电放电电压（人体模型）
(2)
价值
- 40 125
- 65 150
- 0.3 6.5
- 0.3 V
CC
+0.6
- 0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
V
V
V
V
注意：
1.除评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他
相关的质量文件。
2. 100pF的通过1500Ω ; MIL -STD- 883C ， 3015.7
表3.操作模式
(1)
模式
待机
输出禁用
写禁止
读
写
E
1
X
X
0
0
G
X
1
X
0
1
W
X
X
1
1
0
DQ0 - DQ7
高阻
高阻
高阻
数据输出
DATA IN
芯片擦除
注意：
1. 0 = V
IL
; 1 = V
IH
; X = V
IL
或V
IH ;
V = 12
±
5%.
0
V
0
高阻
手术
为了防止数据损坏和意外的
写操作的内部V
CC
比较抑制
写操作时，如果V
CC
低于V
WI
（见表7）。
进入写模式的内存后，允许
如表7规定的电。
读
该M28C17访问就像一个静态RAM 。当
E和G是低用W高时，数据处理
呈现在I / O引脚。在I / O引脚为高
阻抗时， G或E为高。
写
写操作开始时，包括了W和E
低， G是high.The M28C17支持
E和硬件控制的写周期。地址是
通过E的下降沿或W这永远锁
最后发生的数据上E的上升沿或
它先出现W的一旦开始写
操作内部定时，直到完成。
页写
页写允许最多64个字节是次连续
tively之前启动一个锁存到存储器
编程周期。所有字节必须位于一个
单页地址，即A6 -A10必须是
相同的所有字节。页写可以启动
在任何字节写操作。
以下的第一个字节写指令中的主机
可以发送另一个地址和数据与迷你
的1 /吨妈妈的数据传输速率
万好万家
（参见图13） 。
如果没有T内检测到E或W的转变
万好万家
,
内部编程周期将开始。
芯片擦除
整个存储器的内容可以被擦除
为FFH通过使用芯片擦除命令
设置芯片启用（ E）和低输出使能
（ G）到V
CC
+ 7.0V 。该芯片被清除时10毫秒
低脉冲被施加到写使能引脚。
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M28C17
图3.框图
RB
E
G
W
VPP GEN
RESET
控制逻辑
X解码
A6-A10
（页面地址）
地址
LATCH
64K阵列
A0-A5
地址
LATCH
解码
SENSE和数据锁存器
I / O缓冲器
页面加载
定时器状态
切换位
数据轮询
AI01488
DQ0-DQ7
单片机控制接口
在M28C17提供了两个写操作状态
位和一个状态引脚可以用于最小化
系统写周期。这些信号可
在I / O端口上的位DQ7存储器或DQ6
在编程周期，或者仅作为RB信号
在一个独立的引脚。
图4.状态位分配
DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 DQ2 DQ1 DQ0
DP
TB
PLTS高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
DP =数据查询
TB =触发位
PLTS =页面加载定时器状态
数据轮询位（ DQ7 ） 。
在内部写
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将
生产DQ7上的互补价值
先前锁存位。一旦写周期是装订
ished真正的逻辑值在DQ7中出现
读周期。
翻转位（ DQ6 ） 。
该M28C17提供了另一种方式
用于确定当内部写周期是
完成。在内部擦除/写周期，
DQ6将发生翻转，从"0"到"1"和"1"到"0" （中
第一次读值"0" ）的后续尝试
读出的存储器。当内部循环的COM
pleted触发将停止该设备将
访问一个新的READ或WRITE操作。
页面加载定时器状态位（ DQ5 ） 。
在页面
写模式数据可以通过E或W.最多被锁定
64个字节可被输入。数据输出（ DQ5 ）
表示内部页面加载的状态
定时器。 DQ5可以通过断言输出读取恩
能低（T
PLTS
） 。 DQ5低表示定时器
跑步，高电平表示超时之后，
写周期将开始，没有新的数据可被输入。
READY / BUSY引脚。
在RB引脚提供一个信号
它的开漏输出，低在
擦除/写周期，但其释放的
编程周期完成。
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M28C17
图5.软件数据保护使算法和存储器写
在寄存器写入AAH
地址555H
页面
写
指令
（注1 ）
页面
写
指令
（注1 ）
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
在写55H
地址2AAh
在写的A0h
地址555H
在写的A0h
地址555H
写
已启用
SDP设置
写页面
（1到64个字节）
SDP ENABLE算法
写记忆
当SDP SET
AI01509B
注意：
1. MSB地址位（ A6至A10 ），在这些特定的页写操作有所不同。
图6.软件数据保护禁用
算法
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
页面
写
指令
在写80H
地址555H
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
在写20H
地址555H
无保护状态
AI01510
软件数据保护
该M28C17提供了一个软件控制的写
保护功能，允许用户以抑制所有
写模式，该设备包括芯片擦除
指令。这可以是在保护有用
从无意写周期内存可能
发生由于不受控制的总线条件。
该M28C17发货作为"unpro-标准
tected"状态意味着存储器内容
可以根据需要由用户来改变。后
软件数据保护使算法是 -
起诉时，器件进入的"Protect Mode"
操作在没有进一步的写命令有
上的存储器中的内容的任何影响。该装置
保持在这种模式下，直到一个有效软件数据
收到保护（ SDP ）禁用序列
从而使设备恢复到其"unprotected"
状态。该软件数据保护是完全不
挥发性和电源开/关SE-不会改变
quences 。
为了使软件数据保护（ SDP ）的
装置需要用户写（带有页写入）
三个特定数据字节3特定存储器
位置按照图5类似地，以禁用
软件数据保护，用户必须写
具体的数据字节分为六个不同的位置按
图6 （与页写） 。这种复杂的系列
确保用户永远不会启用或禁用
软件数据保护意外。
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