M28C16B
M28C17B
16千位（ 2K ×8 ）并行EEPROM
与软件数据保护
初步数据
s
s
快速访问时间： 90 ns的在V
CC
=5V
单电源电压：
- 4.5 V至5.5 V的M28CxxB
- 2.7 V至3.6 V的M28CxxB -W
s
s
低功耗
快字节和页写（最多64个字节）
- 3毫秒V
CC
=4.5 V
- 5毫秒V
CC
=2.7 V
s
增强型写过检测和监控：
- 数据查询
- 触发位
- 页面加载定时器状态
PLCC32 （ K）
s
s
s
s
JEDEC批准字节宽度引脚分配
软件数据保护
100000擦除/写周期（最小）
数据保留（最小） ： 40年
描述
该M28C16B和M28C17B设备包括
低功耗，并行EEPROM ， fabri-的2048x8位
cated与意法半导体专有的单
多晶硅CMOS技术。该器件提供
快速访问时间，低功耗，
需要单电源电压。
图1.逻辑图
VCC
表1.信号名称
A0-A10
DQ0-DQ7
W
E
G
RB
V
CC
V
SS
地址输入
11
A0-A10
8
DQ0-DQ7
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
就绪/忙（ M28C17B只）
电源电压
地
W
E
G
M28C16B
M28C17B
RB
（仅M28C17B ）
VSS
AI02816
1999年2月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/17
M28C16B ， M28C17B
图2A 。 PLLC连接
NC
NC
VCC
W
NC
A7
NC
图2B中。 PLLC连接
NC
RB
VCC
W
NC
1 32
A8
A9
NC
NC
G
A10
E
DQ7
DQ6
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
A8
A9
NC
NC
G
A10
E
DQ7
DQ6
M28C17B
25
17
DQ1
DQ2
VSS
NC
DQ3
DQ4
DQ5
AI02817
AI02830
1 32
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ0
9
M28C16B
25
9
17
DQ1
DQ2
VSS
NC
DQ3
DQ4
DQ5
注：1， NC =不连接
注：1， NC =不连接
该M28C17B就像M28C16B以各种方式，
不同之处在于它有一个额外就绪/忙（ RB ）输出。
该设备被设计为提供一种灵活的
微控制器接口，配备的软件手工
晃动，有数据查询和切换位。 DE-的
副支持64字节页写操作。
软件数据保护（ SDP ）也支持，
采用JEDEC标准的算法。
信号说明
的外部连接到该设备被sum-
marized在表1中，并且它们在表3中使用。
地址（ A0 - A10 ） 。
该地址输入是
用于选择从所述存储器阵列的一个字节
在读或写操作。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据的内容
字节被写入或从存储器阵列读出
通过数据I / O引脚。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入必须是
保持为低电平，使读取和写入操作。
当芯片使能高，电耗
减少。
输出使能（ G） 。
输出使能输入端接
指令对数据输出缓冲器，以及用来发起
读操作。
写使能（ W） 。
写使能输入控制
被寻址单元是否被读取，从
或写入。
就绪/忙（ RB ） 。
就绪/忙（上M28C17B
只）是漏极开路输出，可以用于
检测内部写周期的结束。
设备操作
为了防止数据损坏和意外的
写操作，内部V
CC
比较IN-
hibits的写操作，如果在V
CC
电压
比V低
WI
（参见表4A）。一旦该电压
施加在V
CC
脚越过V
WI
阈值
旧（V
CC
＆ GT ; V
WI
） ，写访问内存AL-
后超时吨lowed
PUW
如表中指定
4A.
防止数据损坏进一步保护OF-
通过对E和W的低通滤波器fered ：任何毛刺，
在E和W输入，用脉冲宽度小于
10纳秒（典型值）的内部过滤掉，以防止
误写入的操作的存储器。
读
该设备被访问像一个静态RAM。当E
和G是低，且W为高时，所述内容
地址位置都在I / O引脚。
否则，当G或E为高电平时， I / O引脚
恢复到其高阻抗状态。
写
写操作开始时，包括了W和E
是低，且G为高。该器件支持
W-控制， E-控制的写周期（如
在图11和图12）所示。的地址是
W或E的下降沿时锁存在（其
以后不断发生）和数据被锁存的
W或的E上升沿（其中先出现） 。自动对焦
器的延迟，T
WLQ5H
中，不能比短
在表10A中，内部写指定值赛扬
CLE启动。再这样下去，根据内部时序CON-
控制，直到写操作完成。该
可通过检测开始这段
阅读DQ5的页面加载定时器状态。该
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A7
NC
M28C16B ， M28C17B
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
电源电压
输入或输出电压
输入电压
静电放电电压（人体模型）
2
价值
-40至125
-65到150
-0.3 6.5
-0.6到V
CC
+0.6
-0.3 6.5
4000
单位
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C ， 3015.7 （ 100 pF的， 1500
)
图3.框图
E
G
W
VPP GEN
RESET
控制逻辑
X解码
A6-A10
（页面地址）
地址
LATCH
16K ARRAY
A0-A5
地址
LATCH
解码
SENSE和数据锁存器
I / O缓冲器
页面加载
定时器状态
切换位
数据轮询
AI02818
DQ0-DQ7
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M28C16B ， M28C17B
表3.操作模式
1
模式
待用
输出禁用
写禁止
读
写
芯片擦除
E
1
X
X
0
0
0
G
X
1
X
0
1
V
W
X
X
1
1
0
0
DQ0-DQ7
高阻
高阻
高阻
数据输出
DATA IN
高阻
注： 1。 0 =
V
IL
; 1=
V
IH
; X =
V
IH
或V
IL
; V=12V ± 5%.
循环的结束可以通过读取来检测
数据轮询的状态，并触发位功能
系统蒸发散在DQ7和DQ6 。
页写
页写模式，允许最多64个字节是
在一个单一的去写一个页面上。这是
通过一系列连续的写操作实现OP-
操作，没有两个以上为更分开
比T
WLQ5H
值（如表10A中指定）。
页写可以在任何字节启动
写操作。继第一个字节写入IN-
梁支主机可以发送另一个地址，
数据的最小数据传输率：
1/t
WLQ5H
.
内部写周期可以在任何时刻开始自动对焦
之三吨
WLQ5H
。一旦启动，写操作是IN-
ternally定时，并且继续不间断，直到
完成。
所有字节必须位于同一页AD-
裙（A10 -A6必须是相同的所有字节）。
否则，页写操作不execut-
ED 。
与单字节写操作，描述
如上所述， DQ5 ， DQ6和DQ7的线可以用来
检测的内部开始和结束时
页写周期的控制阶段。
软件数据保护（ SDP ）
该器件提供了一个软件控制的写亲
适用性而允许用户以抑制所有
写操作的装置。这可能是有用的
为了保护内存免受意外写
在不稳定的时期可能出现的周期
（不受控制的总线条件过多时，
噪声检测，或当电源电平
他们指定的值以外） 。
默认情况下，该设备出厂时处于“ unprotect-
ED “状态：存储器的内容可以自由
由用户更改。一旦软件数据亲
tection模式被启用，所有的写命令
表4A 。上电时序
1
对于M28CxxB （ 5V范围内）
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.5 5.5 V ）
符号
t
PUR
t
PUW
V
WI
参数
时间延迟到读操作
时间延迟写操作（一次V
CC
≥
V
WI
)
写保护阈值
3.0
分钟。
马克斯。
1
10
4.2
单位
s
ms
V
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
表4B 。上电时序
1
对于M28CxxB -W （ 3V范围内）
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 2.7 3.6 V ）
符号
t
PUR
t
PUW
V
WI
参数
时间延迟到读操作
时间延迟写操作（一次V
CC
≥
V
WI
)
写保护阈值
1.5
分钟。
马克斯。
1
15
2.5
单位
s
ms
V
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
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M28C16B ， M28C17B
图4.软件数据保护使算法和存储器写
在寄存器写入AAH
地址555H
页写
定时
（见注1 ）
页写
定时
（见注1 ）
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
在写55H
地址2AAh
在写的A0h
地址555H
在写的A0h
地址555H
写
已启用
SDP设置
物理
页写
指令
页写
（1到64个字节）
SDP ENABLE算法
写入内存
当SDP SET
AI02819
注意事项： 1。最显著的地址位（ A10至A6）在这些特定的页写操作有所不同。
忽略，并且对存储器没有影响CON-
帐篷。
该器件仍然在该模式下，直到一个有效的软
洁具数据保护禁用序列是重
可察觉。该设备恢复到它的“无保护”
状态。
软件数据保护的状态（恩
体健或禁止）由非易失性表示
锁存器，以及跨越的时段记住
电源被关闭。
该软件数据保护使能命令
由三个特定的数据字节的写入
三个特定的内存位置（每个位置
是在不同的页面），如示于图4 。
同样禁用软件数据保护，
用户具有将特定数据写入字节到6昼夜温差
同的位置，如图6所示。这个化合物
一系列复杂的操作防止了
无意的机会，启用或禁用的
软件数据保护机制。
图6.软件数据保护禁用
算法
在寄存器写入AAH
地址555H
在写55H
地址2AAh
图5.状态位分配
页写
定时
在写80H
地址555H
在寄存器写入AAH
地址555H
DQ7
DP
DQ6
TB
DQ5
PLTS
DQ4
高阻
DQ3
高阻
DQ2
高阻
DQ1
高阻
DQ0
高阻
在写55H
地址2AAh
DP
TB
PLTS
高阻
- 数据查询
- 触发位
- 页面加载定时器状态
=高阻
AI02815
在写20H
地址555H
无保护状态
AI02820
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QQ：2880707522 复制
