M28256
256千位（32KB ×8 ）并行EEPROM
与软件数据保护
初步数据
快速存取时间：
- 为90ns ，在5V
- 120ns的在3V
单电源电压：
– 5V
±
为M28256 10 ％
- 2.7V至3.6V的M28256 - XXW
低功耗
快速写入周期：
- 64字节页写操作
- 字节或页写入周期
增强的最终检测写的：
- 数据查询
- 触发位
状态寄存器
高可靠性双多晶硅，
CMOS技术：
- 耐力>100,000擦除/写周期
- 数据保留>10年
JEDEC核准的单字节宽， PIN OUT
地址和数据锁存片
软件数据保护
28
1
PDIP28 （BS）的
PLCC32 （ KA ）
28
1
SO28 （MS）的
300密耳
TSOP28 （ NS ）
8 x13.4mm
图1.逻辑图
VCC
描述
该M28256和M28256 -洁具32K ×8的低功耗
并行EEPROM fabricatedwith STMicroelectron-
集成电路专有的双多晶硅CMOS技
术。
表1.信号名称
A0-A14
DQ0-DQ7
W
E
G
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源电压
地
15
A0-A14
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M28256
VSS
AI01885
1999年1月
这是一个新产品的初步信息，现在在DevelopMentor的进行评价。详细s为随时更改，恕不另行通知。
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M28256
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
V
CC
V
IO
V
I
V
ESD
参数
工作环境温度
存储温度范围
电源电压
输入/输出电压
输入电压
静电放电电压（人体模型）
(3)
(2)
价值
- 40-85
- 65 150
- 0.3 6.5
- 0.3 V
CC
+0.6
- 0.3 6.5
4000
单位
°C
°
C
V
V
V
V
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.取决于范围。
3. 100pF的通过1500Ω ; MIL -STD- 883C ， 3015.7
图3.框图
E
G
W
VPP GEN
RESET
控制逻辑
X解码
A6-A14
（页面地址）
地址
LATCH
256K阵列
A0-A5
地址
LATCH
解码
SENSE和数据锁存器
I / O缓冲器
页面加载
定时器状态
切换位
数据轮询
AI01697
DQ0-DQ7
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M28256
表3.操作模式
(1)
模式
读
写
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意事项：
1， X = V
IH
或V
IL 。
E
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
G
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IH
W
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
DQ0 - DQ7
数据输出
DATA IN
高阻
数据输出或Hi -Z
数据输出或Hi -Z
高阻
描述
（续）
这些器件具有低功耗的快速存取时间
耗散和需要5V或3V的电源。
该电路被设计成提供了一个灵活
单片机的接口配备硬件
和软件握手与数据查询和
触发位，并获得一个状态寄存器。该
器件支持64字节页写操作。一
软件数据保护（ SDP） ，也可以
采用JEDEC标准的算法。
引脚说明
地址（ A0 - A14 ） 。
地址输入选择
在读或写一个8位的存储器位置
操作。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入必须是
低到让所有的读/写operations.When芯片
能为高，功耗减小。
输出使能（ G） 。
输出使能输入端接
指令对数据输出缓冲器和用于启动
读操作。
数据输入/输出（ DQ0- DQ7 ） 。
数据被写入或读
从通过I / O引脚的存储器。
写使能（ W） 。
写使能输入控制
数据写入到所述存储器。
操作
写保护
为了防止数据损坏和意外的
写操作;一个内部V
CC
comparatorinhib-
它的写操作，如果V
CC
低于VWI （见表
7 andTable 9 ） 。访问到memoryin写模式
如表7规定后，电是允许的
和表9 。
读
该设备被访问像一个静态RAM。当E
和G是低用W高，数据处理是
呈现在I / O引脚。在I / O引脚为高
阻抗时， G或E为高。
写
写操作开始时，包括了W和E
低G是high.The设备同时支持ê
和W控制的写周期。地址是
通过E的下降沿或W这永远锁
最后发生的数据上E的上升沿或
它先出现W的一旦开始写
操作内部计时，直到竣工
数据轮询的状态和切换位
在DQ7和DQ6的功能是控制与符合
多地。
页写
页写入允许多达64个字节内的同一
页面将被连续锁存到存储器
之前，启动一个编程周期。所有字节
必须位于单个网页的地址，即
A14 -A6必须是相同的所有字节;如果不是，则
不执行页写指令。页面
可以写任何字节写操作被启动。
页写是由连续的写
具有指令，以与一待测序
的时间连续两个之间的特定周期
写指令周期时间，该时间必须是
比吨小
万好万家
值（见表12和
表13）。
如果这段时间超过吨
万好万家
值，则
内部programmingcycle将启动。一旦启动
写操作在内部定时，直到完井
化和数据查询的状态和
在DQ7和DQ6切换位功能被控制
因此。
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M28256
状态寄存器
该器件提供了几个写操作状态
标记，它们可以被用来最小化的应用程序
写入时间。这些信号都可以在I / O
仅在编程周期端口位。
数据轮询位（ DQ7 ） 。
在内部写
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将
生产DQ7上的互补价值
先前锁存位。一旦写周期是装订
ished真正的逻辑值在DQ7中出现
读周期。
翻转位（ DQ6 ） 。
该器件可提供另一种方式
用于确定当内部写周期是
完成。在内部擦除/写周期，
DQ6将发生从“0”切换到“1”和“1”到“0”（在
第一次读值为“ 0 ” ）的后续尝试
读出的存储器的任何字节。当内部
循环完成触发将停止，
数据读取DQ7 - DQ0是寻址的存储器
字节。该装置现已为一个新的读访问
或写操作。
页面加载TimerStatus位（ DQ5 ） 。
Duringa页
写指令，所述设备希望接收的
数据随着时间的最低期限流
每个数据字节之间。这一段时间
(t
万好万家
）由片上页面加载的定时器定义
它的运行/溢出状态可以用DQ5 。
DQ5低表示计时器正在运行， DQ5
高表示超时之后，内部
写周期将开始。
图4.状态位分配
DQ7 DQ6 DQ5 DQ4 DQ3 DQ2 DQ1 DQ0
DP
TB
PLTS
X
X
X
X
X
DP
- 数据查询
TB
- 触发位
PLTS =页面加载定时器状态
软件数据保护
该器件提供了一个软件控制的写亲
tection设施，允许用户以抑制所有的写
模式到设备。这可以是在保护─有用
荷兰国际集团免受意外的写入周期的内存
可能会出现由于uncontrolledbus条件。
该设备出厂时为standardin的“外部器件了
tected “状态的含义，存储器中的内容
可以根据需要由用户来改变。后
软件数据保护使算法是 -
起诉时，器件进入的“保护模式”
操作在没有进一步的写命令有
上的存储器中的内容的任何影响。
该装置将保持在此模式下，直到一个有效
软件数据保护（ SDP ）禁用序列
收到由此设备恢复到它的“非
保护“状态。软件数据保护
完全非挥发性，并且不通过功率变
开/关序列。为了使软件数据
保护（SDP）的装置需要用户
写（用页写解决三个具体
数据字节的三个具体memorylocations ，每
在不同的页面位置）按照图6，西米
larly禁用软件数据保护
用户将特定数据写入字节分为六个differ-
耳鼻喉科位置按图5 （用页写
在不同的页面adressing不同字节）。
这complexseries确保userwill从不
启用或禁用软件数据保护
偶然。
写入装置时的SDP被设置，则
在图6所示的序列必须被使用。这
序提供的解锁键，使
写操作，并在同一时间的SDP继续
进行设置。
的扩展，这是其中SDP的需要是
集，并且数据是被写入。
使用相同的序列如上述，数据可
被写和SDP被设置在同一时间，给
在相同的写周期这两个操作（T
WC
).
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