M27W400
4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ）
低压UV EPROM和OTP EPROM
s
2.7 3.6V低电压的READ
手术
读访问时间：
- 80ns的在V
CC
= 3.0 3.6V
- 为100ns在V
CC
= 2.7 3.6V
40
40
s
s
字节宽度或字宽
CON连接可配置
4兆位MASK ROM更换
低功耗
- 主动电流20mA为8MHz
- 待机电流15μA
1
1
FDIP40W （ F）
PDIP40 （ B）
s
s
s
s
s
编程电压： 12.5V ± 0.25V
编程时间：为50μs /字
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： B8H
图1.逻辑图
PLCC44 （ K）
描述
该M27W400是一个低电压4兆比特的EPROM OF-
fered在这两个范围内的UV （紫外线擦除）和
OTP （一次性可编程） 。它非常适合
微处理器系统需要大量的数据或
程序存储。它是作为使用512
8位K字或256 K字16位。该引脚
出是最常见的4兆位兼容
掩膜ROM 。
该M27W400操作与读出模式
电源电压可低至2.7V ，在-40到85°C温
温度范围内。在运行功率的降低
允许使用一减少了电池的大小的
或增加电池之间的时间再
收费。
该FDIP40W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用程序，其中所述内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27W400是提供在PDIP40和PLCC44封装
老少皆宜。
VCC
18
A0-A17
15
Q15A–1
Q0-Q14
E
G
BYTEVPP
M27W400
VSS
AI03096
2000年1月
1/15
M27W400
图2A 。 DIP连接
图2B中。 LCC连接
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
40
2
39
3
38
4
37
5
36
6
35
7
34
33
8
32
9
31
10
M27W400
30
11
29
12
28
13
27
14
26
15
25
16
17
24
18
23
19
22
20
21
AI03097
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A–1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
A5
A6
A7
A17
NC
NC
NC
A8
A9
A10
A11
1 44
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A–1
Q7
Q14
Q6
12
M27W400
34
23
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
NC
VCC
Q4
Q12
Q5
Q13
AI03604
表1.信号名称
A0-A17
Q0-Q7
Q8-Q14
Q15A–1
E
G
BYTEV
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
数据输出
数据输出/输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
字节模式/程序供应
电源电压
地
设备操作
该M27W400的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V兼容
PP
和12V上A9的
电子签名。
读取模式
该M27W400有两个组织，字宽
和字节范围内。该组织选择了
在BYTEV信号电平
PP
引脚。当BYTEV
PP
是V
IH
字级组织选择
和Q15A - 1引脚用于Q15数据输出。
当BYTEV
PP
引脚为V
IL
该字节宽度或 -
ganisation被选定并且Q15A -1引脚用于
在地址输入A - 1 。当存储器是
在逻辑上被视为16位宽，但读了
字节宽的组织，然后用A-1在V
IL
该
低8位的16位数据被选择，并与
A- 1在V
IH
高8位的16位数据是
选择。
2/15
M27W400
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读字宽
读字节宽度上
读字节宽度低
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
BYTEV
PP
V
IH
V
IL
V
IL
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
Q7-Q0
数据输出
数据输出
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
Q14-Q8
数据输出
高阻
高阻
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
Q15A–1
数据输出
V
IH
V
IL
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
CODE
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q15
或者Q7
0
1
Q14
或Q6
0
0
Q13
或Q5
1
1
Q12
或Q4
0
1
Q11
或Q3
0
1
Q10
或Q2
0
0
Q9或
Q1
0
0
Q8或
Q0
0
0
十六进制数据
20h
B8h
3/15
QQ：2880707522 复制
