M27W102
1兆位（64KB ×16）低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
2.7V至3.6V低电压的READ
手术
读访问时间：
- 为70ns在V
CC
= 3.0V至3.6V
- 80ns的在V
CC
= 2.7V至3.6V
40
40
s
s
s
引脚兼容M27C1024
低功耗：
- 最大15μA待机电流
- 15mA最大值工作电流在5MHz
1
1
FDIP40W （ F）
PDIP40 （ B）
s
s
编程时间为100μs /字
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫保护
PLCC44 （ K）
s
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 器件代码： 008Ch
图1.逻辑图
TSOP40 （ N）
10× 14毫米
描述
该M27W102是一个低电压1兆比特的EPROM OF-
fered在两个范围内的UV （紫外线擦除）和
OTP （一次性可编程） 。它非常适合
微处理器系统需要大量的数据或
程序存储和组织为65,536
字由16位。
该M27W102操作与读出模式
电源电压可低至2.7V ，在-40到85°C温
温度范围内。在运行功率的降低
允许使用一减少了电池的大小的
或增加电池之间的时间再
收费。
该FDIP40W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用程序，其中所述内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27w102提供的PDIP40 ， PLCC44和
TSOP40 （ 10 ×14 MM）封装。
VCC
VPP
16
A0-A15
16
Q0-Q15
P
E
G
M27W102
VSS
AI01922
2000年4月
1/15
M27W102
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
X
V
IL
P
V
IH
X
V
IL
脉冲
V
IH
X
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
或V
SS
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
Q15-Q0
数据输出
高阻
数据输入
数据输出
高阻
高阻
代码
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
8Ch
注：输出Q15 - Q8设置为“0” 。
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