M27V801
8兆位（1MB ×8 ）低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
低电压读操作：
3V至3.6V
快速存取时间： 120ns的
低功耗：
- 主动电流，15mA在5MHz
- 待机电流20μA
32
32
s
s
s
s
s
编程电压： 12.75V
±
0.25V
编程时间： 100μS /字节（典型值）
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 42H
1
1
FDIP32W （ F）
PDIP32 （ B）
描述
该M27V801是一款低电压8兆比特的EPROM OF-
fered在两个范围内的UV （紫外线擦除）和
OTP （一次性可编程） 。它非常适合
微处理器系统需要大量的数据或
程序存储，并通过组织为1,048,576
8位。
该M27V801操作与读出模式
电源电压低至3V 。在OP-减少
展业务的功率允许使用减小的尺寸的
电池或之间的增加的时间的
电池充电。
该FDIP32W （窗口陶瓷熔块密封包装）
有透明盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
PLCC32 （ K）
TSOP32 （ N）
8 ×20mm的
图1.逻辑图
VCC
20
A0-A19
8
Q0-Q7
E
GVPP
M27V801
表1.信号名称
A0-A19
Q0-Q7
E
GV
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
输出使能/供应计划
电源电压
地
VSS
AI01902
1998年5月
1/16
M27V801
图2A 。 DIP引脚连接
图2B中。 PLCC引脚连接
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7
26
8
25
M27V801
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
AI01903
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
GVPP
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
A12
A15
A16
A19
VCC
A18
A17
1 32
A14
A13
A8
A9
A11
GVPP
A10
E
Q7
9
M27V801
25
17
VSS
Q3
Q4
Q5
Q6
AI01904
图2C 。 TSOP引脚连接
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27V801提供的PDIP32 ， PLCC32和
TSOP32 （8 ×20mm的）封装。
GVPP
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VSS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
A19
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
8
9
M27V801
（普通）
25
24
16
17
AI01905
设备操作
该M27V801的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了GV水平
PP
和12V的A9的Elec-
TRONIC签名和保证金模式设置或重置。
读取模式
该M27V801具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚， indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的，地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据可在一个延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
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Q1
Q2
M27V801
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
V
ID
Q0-Q7
数据输出
高阻
DATA IN
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
1
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
0
Q2
0
0
Q1
0
1
Q0
0
0
十六进制数据
20h
42h
待机模式
该M27V801具有待机模式，该模式减少了
从15毫安有功电流为20μA的低电压
年龄操作V
CC
≤
3.6V ，看阅读模式DC
特性表details.The M27V801是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗状态，
独立的GV
PP
输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。
两线控制功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能，一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
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