M27V512
512千位（64KB ×8 ）低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
低电压读操作：
3V至3.6V
快速存取时间： 100ns的
低功耗：
- 主动电流10mA在5MHz
- 待机电流10μA
28
28
s
s
s
s
s
编程电压： 12.75V
±
0.25V
编程时间： 100μS /字节（典型值）
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码：为3Dh
1
1
FDIP28W （ F）
PDIP28 （ B）
描述
该M27V512是一个低电压512千比特的EPROM
在两个范围内的UV提供（超viloet擦除）
和OTP （一次性可编程） 。它是理想的
适合于微处理器的系统，是奥尔加
8位认列之为65,536。
该M27V512操作与读出模式
电源电压低至3V 。在OP-减少
展业务的功率允许使用减小的尺寸的
电池或之间的增加的时间的
电池充电。
该FDIP28W （窗口陶瓷熔块密封包装）
有透明盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27V512提供的PDIP28 ， PLCC32和
TSOP28 （ 8× 13.4毫米）封装。
表1.信号名称
A0-A15
Q0-Q7
E
GV
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源电压
地
PLCC32 （ K）
TSOP28 （ N）
8× 13.4毫米
图1.逻辑图
VCC
16
A0-A15
8
Q0-Q7
E
GVPP
M27V512
VSS
AI00732B
1998年5月
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M27V512
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关qua-
lity文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
V
ID
Q0-Q7
数据输出
高阻
DATA IN
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
3Dh
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能，一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
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M27V512
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3.测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz）的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试康迪特离子
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
，有三段
中进行的，所关心的系统设计师
待机电流水平，活性电流电平，
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
瞬态电流的峰值是依赖于
该装置的电容性和电感性负载
的输出。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个0.1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高频电容
低固有电感与器应
尽可能靠近器件摆放。此外
化，一个4.7μF的大容量电解电容应该是
V之间使用
CC
和V
SS
对于每一个8 devic-
ES 。大容量电容应靠近
功率supplyconnection point.The目的
大容量电容器是克服电压降
引起PCB走线电感的影响。
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