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M27V322
32兆位(2MB ×16)低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
3.3V ±在READ 10 %电源电压
手术
读取时间
- 为100ns在V
CC
= 3.0V至3.6V
引脚兼容M27C322
字宽可配置
32 Mbit的MASK ROM更换
1
42
42
s
s
s
s
s
低功耗
- 主动电流30mA在5MHz
- 待机电流60μA
FDIP42W ( F)
1
PDIP42 (P)的
s
s
s
编程电压: 12V ± 0.25V
编程时间:为50μs /字
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 器件代码: 0034H
图1.逻辑图
描述
该M27V322是32兆比特的EPROM中提供
UV系列(紫外线擦除)和OTP范围。这是
非常适合微处理器系统要求还
荷兰国际集团庞大的数据或程序存储。它的组织结构
作为2 MWords 16位。该引脚输出兼容
有32兆掩膜ROM 。
该FDIP42W (窗口陶瓷熔块密封包装)
具有透明的盖,其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式就可以快速写入
该装置由以下所述的编程proce-
杜热。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除,所述
M27V322在PDIP42封装。
VCC
21
A0-A20
16
Q0-Q15
E
GVPP
M27V322
VSS
AI03050
2000年3月
1/13
M27V322
图2A 。 DIP连接
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
GVPP
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
42
2
41
3
40
4
39
5
38
6
37
7
36
35
8
9
34
10
33
M27V322
32
11
31
12
30
13
29
14
28
15
27
16
17
26
18
25
19
24
20
23
22
21
AI03051
表1.信号名称
A0-A20
地址输入
数据输出
芯片使能
输出使能/供应计划
电源电压
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A20
VSS
Q15
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q0-Q15
E
GV
PP
V
CC
V
SS
设备操作
该M27V322的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V兼容
PP
和12V上A9的
电子签名。
读取模式
该M27V322有一个字宽的组织。芯片
使(E)是功率控制和应
用于设备的选择。输出使能( G)是
输出控制,并应被用于栅极的数据
输出引脚独立的设备选择。
假设该地址是稳定的,这种吸附
礼服的访问时间(t
AVQV
)等于延迟
从E到输出(T
ELQV
) 。数据可在
T的延迟后输出
GLQV
从下降沿
GV的
PP
,假设E已经很低,
地址已经稳定至少吨
AVQV
-
t
GLQV
.
待机模式
该M27V322具有待机模式,该模式减少了
供电电流范围为30mA至30μA 。该
M27V322被置于待机模式通过硐
荷兰国际集团的CMOS高信号到E input.When在
待机模式下,输出处于高阻抗
ANCE状态,独立的GV
PP
输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备选择功能,而GV
PP
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式,输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
2/13
M27V322
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压(除A9 )
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注: 1。除了评级"Operating温度Range" ,上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ,可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
输出禁用
节目
禁止程序
待机
电子签名
注:X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
V
ID
Q15-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
0
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
34h
注:输出Q15 - Q8设置为“0” 。
3/13
M27V322
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
10
12
单位
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
供应给设备。电源电流ICC
具有重要意义的三段给系统
设计师的待机电流,有功电流
以及由所产生的瞬态峰值
下降和E的上升沿的大小
瞬态电流的峰值是依赖于钙
该装置的pacitive和感性负载输出
放。相关的瞬态电压峰值可
通过与两线相符能够抑制输出
把控制和正确选择脱钩
电容器。建议在一个0.1μF ceram-
IC电容器用于V之间的每一个设备上
CC
和V
SS
。这应该是一个高频率型
低固有电感与应尽可能地
关闭尽可能到设备。此外,一个
4.7μF的电解电容,应使用BE-
吐温V
CC
和V
SS
每八个设备。这
电容应安装在靠近电源支持
帘布层的连接点。该电容的目的
是克服造成在 - 的电压降
的PCB走线导电的作用。
4/13
M27V322
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= -40 85℃,或0至70℃ ; V
CC
= 3.3V ± 10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC
1
I
CC
2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
, GV
PP
= V
IL
, I
OUT
= 0毫安,
F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.6
0.7V
CC
最大
±1
±10
30
1
60
10
0.2V
CC
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8.读模式AC特性
(1)
(T
A
= -40 85℃,或0至70℃ ; V
CC
= 3.3V ± 10%; V
PP
= V
CC
)
M27V322
符号
ALT
参数
测试条件
-100
(3)
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ (2)
t
GHQZ (2)
t
AXQX
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出
有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出
高阻
地址转换到输出
过渡
E = V
IL
,G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,G = V
IL
0
0
5
最大
100
100
50
45
45
0
0
5
-120
最大
120
120
60
50
50
0
0
5
-150
最大
150
150
60
50
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
2.采样只,而不是100 %测试。
3.与高速测量条件获得的速度。
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    -
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