M27V102
1兆位（64KB ×16 ）低电压UV EPROM和OTP EPROM
低电压读操作：
3V至3.6V
快速存取时间：为90ns
低功耗：
- 主动电流，15mA在5MHz
- 待机电流20μA
编程电压： 12.75V
±
0.25V
编程时间： 100μS /字节（典型值）
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 器件代码： 008Ch
描述
该M27W102是一个低电压1兆比特的EPROM
offeredin两个范围的UV （紫外线擦除）和
OTP （一次性可编程） 。它非常适合
微处理器系统需要大量的数据或
程序存储和组织为65,536字
由16位。
该M27V102操作与读出模式
电源电压低至3V 。在下降
工作电源既可以减少的
电池或增加的时间的大小变
吐温的电池充电。
该FDIP40W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户给
暴露出该芯片于紫外光擦除位
格局。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
表1.信号名称
A0 - A15
Q0 - Q15
E
G
P
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
40
40
1
1
FDIP40W （ F）
PDIP40 （ B）
PLCC44 （ K）
TSOP40 （ N）
10× 14毫米
图1.逻辑图
VCC
VPP
16
A0-A15
16
Q0-Q15
P
E
M27V102
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目
节目供应
电源电压
地
G
VSS
AI01912
1998年5月
1/15
M27V102
图2A 。 DIP引脚连接
VPP
E
Q15
Q14
Q13
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
G
1
40
2
39
3
38
4
37
5
36
6
35
7
34
8
33
9
32
10
31
M27V102
11
30
12
29
13
28
14
27
15
26
16
25
17
24
18
23
19
22
20
21
AI01913
图2B中。 LCC引脚连接
VCC
P
NC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
NC
Q7
Q6
Q5
Q4
Q13
Q14
Q15
E
VPP
NC
VCC
P
NC
A15
A14
1 44
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
NC
A8
A7
A6
A5
12
M27V102
34
23
Q3
Q2
Q1
Q0
G
NC
A0
A1
A2
A3
A4
AI01914
警告：
NC =未连接。
警告：
NC =未连接。
图2C 。 TSOP引脚连接
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
P
VCC
VPP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
1
40
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
G
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
描述
（续）
对于应用程序，其中所述内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27V102提供的PDIP40 ， PLCC32和
TSOP40 （ 10 ×14 MM）封装。
设备操作
该M27V102的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了Vpp的和12V的A9电子水平
签名。
读取模式
该M27V102具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性以obtaindata
在输出端。芯片启用（ E）是功率控制
并应被用于设备的选择。产量
使能（G）是输出控制和应使用
到栅极的数据到输出引脚，独立的
设备选择。假设该地址是
稳定，该地址访问时间（t
AVQV
）等于
从E中的延迟输出（T
ELQV
） 。数据可用
在t的延迟后的输出
OE
从下落
边的G ，假设E已经很低，
地址已经稳定至少吨
AVQV
-
t
GLQV
.
10
11
M27V102
（普通）
31
30
20
21
AI01915
警告：
NC =未连接。
2/15
M27V102
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
(3)
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°
C
°C
V
V
V
V
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
X
V
IL
X
X
V
IL
P
V
IH
X
V
IL
脉冲
V
IH
X
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
或V
SS
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
Q0 - Q15
数据输出
高阻
数据输入
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
8Ch
待机模式
该M27V102具有待机模式，该模式减少了
从15毫安有源电流20μA低
工作电压V
CC
≤
3.6V ，看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27V102是
通过施加一个高的TTL设置在待机模式下
信号到E输入。当在待机模式下，
的输出处于高阻抗状态，不知疲倦
吊灯对G输入。
两线输出控制
BecauseEPROMs通常在较大的MEM-使用
储器阵列，这款产品带有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
3/15
M27V102
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz）的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注意：
1.采样只，而不是100 ％测试。
对于最有效地使用thesetwo控制线，
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能，一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
控制总线。这确保了所有deselectedmem-
储器的设备都在其低功耗待机模式
并且，该输出引脚是唯一激活的数据时
从一个特定的存储设备是必需的。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
，有三段
中进行的，所关心的系统设计师
待机电流水平，活性电流电平，
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
4/15
transientcurrent峰是dependenton的电容
略去与该装置的感应装
输出。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个0.1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
VCC和V之间
SS
每八个设备。该
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
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