M27C516
512千位（32KB ×16） OTP EPROM
5V
±
在READ 10 ％电源电压
手术
快速存取时间： 35ns的
低功耗：
- 主动电流30mA在5MHz
- 待机电流100μA
编程电压： 12.75V
±
0.25V
编程时间： 100
S /字（典型值）
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 器件代码： 000FH
PLCC44 （ C）
TSOP40 （ N）
10× 14毫米
图1.逻辑图
描述
该M27C516是在提供了512 Kbit的EPROM
OTP系列（一次性可编程） 。它是理想的
适用于微处理器系统需要大
数据或程序存储和组织成
32768字的16位。
该M27C516提供一个PLCC44和TSOP40
（ 10× 14毫米）封装。
15
A0-A14
VCC
VPP
16
Q0-Q15
P
表1.信号名称
A0-A14
Q0-Q15
E
G
P
V
CC
V
PP
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
项目启用
电源电压
节目供应
地
M27C516
E
G
VSS
AI00932
1998年9月
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M27C516
图2A 。 LCC引脚连接
图2B中。 TSOP引脚连接
A9
A10
A11
A12
A13
A14
NC
NC
P
VCC
VPP
E
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
1
40
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
G
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
Q12
Q11
Q10
Q9
Q8
VSS
NC
Q7
Q6
Q5
Q4
Q13
Q14
Q15
E
VPP
NC
VCC
P
NC
NC
A14
1 44
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
NC
A8
A7
A6
A5
12
M27C516
34
10
11
M27C516
（普通）
31
30
23
Q3
Q2
Q1
Q0
G
NC
A0
A1
A2
A3
A4
AI00934
20
21
AI01600
警告：
NC =未连接。
警告：
NC =未连接。
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
(2)
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°
C
°C
°
C
V
V
V
V
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是我mplied 。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
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M27C516
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
为20ns （10％至90％）的
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
3.3k
设备
下
TEST
1N914
标准
2.4V
2.0V
0.8V
AI01822
OUT
CL = 30pF的或60pF或100pF的
0.4V
CL INCLUDES夹具电容
AI02024B
表6.电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注。
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时去除或V后
PP
.
2.该参数仅取样，而不是测试100 ％ 。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
，有三段
中进行的，所关心的系统设计师
待机电流水平，活性电流电平，
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
瞬态电流的峰值是依赖于
thedevice的在capacitiveand inductiveloading
输出。相关的瞬态voltagepeaks可以
通过与两线相符能够抑制
输出控制和properlyselected解耦
电容器。建议在一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高frequencycapacitor
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
大容量电容应靠近电源
大部分supplyconnection point.The目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
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M27C516
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 5V
±
5％或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
I
OH
= –100A
2.4
V
CC
–0.7V
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
中，f = 5MHz时，
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.3V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
民
最大
±
1
±5
30
1
100
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
注意事项：
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 5V
±
5％或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
M27C516
符号
ALT
参数
测试条件
-35
(3)
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
注意事项：
1.
2.
3.
4.
-45
(3)
民
最大
45
45
23
0
0
0
18
18
0
0
0
-55
(4)
民
最大
55
55
25
20
20
单位
最大
35
35
18
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到输出
有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低到
输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高到
输出高阻
地址过渡到
输出转换
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
0
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
18
18
V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时去除或V后
PP.
只有采样，而不是100 ％测试。
速度得到具有高速测量条件和30pF的一个负载电容。
速度获得具有60pF的负载电容。
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