M27C400
4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ） UV EPROM和OTP EPROM
s
5V±在READ 10 ％电源电压
手术
存取时间： 55ns
字节宽度或字宽
CON连接可配置
4兆位MASK ROM更换
低功耗
- 工作电流70毫安为8MHz
- 待机电流100μA
40
40
s
s
s
s
1
1
FDIP40W （ F）
PDIP40 （ B）
s
s
s
编程电压： 12.5V ± 0.25V
编程时间： 100μS /字
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： B8H
图1.逻辑图
描述
该M27C400是在提供了一个4兆比特的EPROM
两个范围UV（紫外线擦除）和OTP （一次
一次可编程） 。它非常适合于微
处理器系统需要大量的数据或程序
存储。它是作为使用512 K字的8
位或256 K字16位。该引脚输出是相容
IBLE最常见的8兆比特掩模ROM 。
该FDIP40W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。
一种新的模式就可以快速写入到设备
副遵循编程程序。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27C400是PDIP40封装。
VCC
18
A0-A17
15
Q15A–1
Q0-Q14
E
G
BYTEVPP
M27C400
VSS
AI01634
1999年5月
1/14
M27C400
图2. DIP连接
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
40
2
39
3
38
4
37
5
36
6
35
7
34
33
8
32
9
31
10
M27C400
30
11
29
12
28
13
27
14
26
15
25
16
17
24
18
23
19
22
20
21
AI01635
表1.信号名称
A0-A17
地址输入
数据输出
数据输出
数据输出/输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
字节模式/程序供应
电源电压
地
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A–1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q0-Q7
Q8-Q14
Q15A–1
E
G
BYTEV
PP
V
CC
V
SS
设备操作
该M27C400的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V兼容
PP
和12V上A9的
电子签名。
读取模式
该M27C400有两个组织，字宽
和字节范围内。该组织选择了
在BYTEV信号电平
PP
引脚。当BYTEV
PP
是V
IH
字级组织选择
和Q15A - 1引脚用于Q15数据输出。
当BYTEV
PP
引脚为V
IL
该字节宽度或 -
ganisation被选定并且Q15A -1引脚用于
在地址输入A - 1 。当存储器是
在逻辑上被视为16位宽，但读了
字节宽的组织，然后用A-1在V
IL
该
低8位的16位数据被选择，并与
A- 1在V
IH
高8位的16位数据是
选择。
该M27C400具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。此外，字宽或
字节宽度的组织必须选择。
芯片使能（E）是功率控制和应
用于设备的选择。输出使能（ G）是
输出控制，并应被用于栅极的数据
输出引脚独立的设备选择。
假设该地址是稳定的，这种吸附
礼服的访问时间（t
AVQV
）等于延迟
从E到输出（T
ELQV
） 。数据可在
T的延迟后输出
GLQV
从下降沿
G的假设E已经很低，这种吸附
裙装一直稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27C400具有待机模式，该模式减少了
电源电流从50mA至100μA 。该
M27C400被置于待机模式通过硐
荷兰国际集团的CMOS高信号到E输入。当在
待机模式下，输出处于高阻抗
ANCE状态，独立对G输入。
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M27C400
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读字宽
读字节宽度上
读字节宽度低
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
BYTEV
PP
V
IH
V
IL
V
IL
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
Q7-Q0
数据输出
数据输出
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
Q14-Q8
数据输出
高阻
高阻
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
Q15A–1
数据输出
V
IH
V
IL
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
CODE
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
0
Q2
0
0
Q1
0
1
Q0
0
0
十六进制数据
20h
B2h
注：输出Q15 - Q8设置为“0” 。
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M27C400
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 8MHz的
电源电流
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
50
1
100
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
民
最大
±1
±10
70
单位
A
A
mA
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
供应给设备。供给电流I
CC
具有重要意义的三段给系统
设计师的待机电流，有功电流
以及由所产生的瞬态峰值
下降和E的上升沿的大小
瞬态电流的峰值是依赖于钙
该装置的pacitive和感性负载输出
放。相关的瞬态电压峰值可
通过与两线相符能够抑制输出
把控制和正确选择脱钩
电容器。建议在一个0.1μF ceram-
IC电容器用于V之间的每一个设备上
CC
和V
SS
。这应该是一个高频率型
低固有电感与应尽可能地
关闭尽可能到设备。此外，一个
4.7μF的电解电容，应使用BE-
吐温V
CC
和V
SS
每八个设备。这
电容应安装在靠近电源支持
帘布层的连接点。该电容的目的
是克服造成在 - 的电压降
的PCB走线导电的作用。
程序设计
当传送（每个擦除的紫外线后，
EPROM）的M27C400的所有位都在'1'
状态。数据是通过选择性地编程引入
明'0'到所需的位的位置。虽然
只有'0'将被编程，既'1'和'0'即可
存在于该数据字。以唯一的办法
改变一个'0'到'1'，是通过模具博览会ultravio-
让光（ UVEPROM ） 。该M27C400是亲
编程模式时， V
PP
输入为12.5V ， G是
在V
IH
和E是脉冲到V
IL
。数据被亲
编程加到16位并行数据
输出管脚。所需的地址的水平
和数据输入是TTL 。 V
CC
被指定为
6.25V ± 0.25V.
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QQ：2881677436 复制
