M27C322
32兆位（2MB ×16） UV EPROM和OTP EPROM
s
5V±在READ 10 ％电源电压
手术
存取时间： 80ns的
字宽可配置
32 Mbit的MASK ROM更换
低功耗
- 主动电流50mA在5MHz
1
42
42
s
s
s
s
- 待机电流100μA
s
s
s
1
编程电压： 12V ± 0.25V
编程时间：为50μs /字
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 器件代码： 0034H
FDIP42W （ F）
PDIP42 （P）的
图1.逻辑图
描述
该M27C322是32兆比特的EPROM中提供
UV系列（紫外线擦除） 。它非常适合
微处理器系统需要大量的数据或
程序存储。它是作为2 MWords的
16位。该引脚输出是一个32兆位兼容
掩膜ROM 。
该FDIP42W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式就可以快速写入
该装置由以下所述的编程proce-
杜热。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27C322是PDIP42封装。
VCC
21
A0-A20
16
Q0-Q15
E
GVPP
M27C322
VSS
AI02156
2000年4月
1/13
M27C322
图2A 。 DIP连接
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
GVPP
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
42
2
41
3
40
4
39
5
38
6
37
7
36
35
8
9
34
10
33
M27C322
32
11
31
12
30
13
29
14
28
15
27
16
17
26
18
25
19
24
20
23
22
21
AI02157
表1.信号名称
A0-A20
地址输入
数据输出
芯片使能
输出使能/供应计划
电源电压
地
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A20
VSS
Q15
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q0-Q15
E
GV
PP
V
CC
V
SS
设备操作
该M27C322的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V兼容
PP
和12V上A9的
电子签名。
读取模式
该M27C322有一个字宽的组织。芯片
使（E）是功率控制和应
用于设备的选择。输出使能（ G）是
输出控制，并应被用于栅极的数据
输出引脚独立的设备选择。
假设该地址是稳定的，这种吸附
礼服的访问时间（t
AVQV
）等于延迟
从E到输出（T
ELQV
） 。数据可在
T的延迟后输出
GLQV
从下降沿
GV的
PP
，假设E已经很低，
地址已经稳定至少吨
AVQV
-
t
GLQV
.
待机模式
该M27C322具有待机模式，该模式减少了
电源电流从50mA至100μA 。该
M27C322被置于待机模式通过硐
荷兰国际集团的CMOS高信号到E input.When在
待机模式下，输出处于高阻抗
ANCE状态，独立的GV
PP
输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备选择功能，而GV
PP
应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
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M27C322
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
V
ID
Q15-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
0
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
34h
注：输出Q15 - Q8设置为“0” 。
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M27C322
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
0v
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
， GV
PP
= V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
F = 8MHz的
I
CC
电源电流
E = V
IL
， GV
PP
= V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
F = 5MHz时
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
50
1
100
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
民
最大
±1
±10
70
单位
A
A
mA
I
CC
1
I
CC
2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8.读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 10%; V
PP
= V
CC
)
M27C322
符号
ALT
参数
测试条件
-80
(3)
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出
过渡
E = V
IL
， GV
PP
= V
IL
GV
PP
= V
IL
E = V
IL
GV
PP
= V
IL
E = V
IL
E = V
IL
， GV
PP
= V
IL
0
0
5
最大
80
80
40
40
40
0
0
5
-100
民
最大
100
100
50
40
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
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QQ：2880707522 复制
