M27C256B
256千位（32KB ×8） UV EPROM和OTP EPROM
s
5V±在READ 10 ％电源电压
手术
存取时间：为45nS
低功耗：
- 主动电流30mA在5MHz
- 待机电流100μA
28
s
s
28
s
s
s
编程电压： 12.75V ± 0.25V。
编程时间： 100μS /字
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 8DH
1
1
FDIP28W （ F）
PDIP28 （ B）
描述
该M27C256B是256千位EPROM中提供
两个范围的UV （紫外线擦除）和OTP
（一次性可编程） 。它非常适合MI-
croprocessor系统和组织为32,768
由8位。
该FDIP28W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27C256B提供的PDIP28 ， PLCC32和
TSOP28 （ 8× 13.4毫米）封装。
PLCC32 （ C）
TSOP28 （ N）
8 X 13.4毫米
图1.逻辑图
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27C256B
VSS
AI00755B
2002年8月
1/16
M27C256B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
8Dh
3/16
M27C256B
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
设备操作
该M27C256B的操作模式中列出
在操作模式。单电源
在读取模式必需的。所有输入为TTL列弗
ELS除了V
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27C256B具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚， indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的，地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据提供的延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27C256B具有待机模式，该模式reduc-
ES电源电流范围为30mA至100μA 。该
M27C256B被置于待机模式通过AP-
行走的CMOS高信号到E输入。当
在待机模式下，输出处于高阻抗
ANCE状态，独立对G输入。
4/16
M27C256B
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
I
OH
= –100A
3.6
V
CC
– 0.7V
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
民
最大
±10
±10
30
1
100
100
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
M27C256B
符号
ALT
参数
测试条件
-45
(3)
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低到
输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址过渡到
输出转换
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
0
0
0
最大
45
45
25
25
25
0
0
0
-60
民
最大
60
60
30
30
30
0
0
0
-70
民
最大
70
70
35
30
30
0
0
0
-80
民
最大
80
80
40
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能，一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器所需的DE-
副。
5/16
M27C256B
256千位（32KB ×8） UV EPROM和OTP EPROM
s
5V±在READ 10 ％电源电压
手术
存取时间：为45nS
低功耗：
- 主动电流30mA在5MHz
- 待机电流100μA
28
s
s
28
s
s
s
编程电压： 12.75V ± 0.25V。
编程时间： 100μS /字
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 8DH
1
1
FDIP28W （ F）
PDIP28 （ B）
描述
该M27C256B是256千位EPROM中提供
两个范围的UV （紫外线擦除）和OTP
（一次性可编程） 。它非常适合MI-
croprocessor系统和组织为32,768
由8位。
该FDIP28W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27C256B提供的PDIP28 ， PLCC32和
TSOP28 （ 8× 13.4毫米）封装。
PLCC32 （ C）
TSOP28 （ N）
8 X 13.4毫米
图1.逻辑图
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27C256B
VSS
AI00755B
2002年8月
1/16
M27C256B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
8Dh
3/16
M27C256B
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
设备操作
该M27C256B的操作模式中列出
在操作模式。单电源
在读取模式必需的。所有输入为TTL列弗
ELS除了V
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27C256B具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚， indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的，地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据提供的延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27C256B具有待机模式，该模式reduc-
ES电源电流范围为30mA至100μA 。该
M27C256B被置于待机模式通过AP-
行走的CMOS高信号到E输入。当
在待机模式下，输出处于高阻抗
ANCE状态，独立对G输入。
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M27C256B
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
I
OH
= –100A
3.6
V
CC
– 0.7V
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
民
最大
±10
±10
30
1
100
100
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
M27C256B
符号
ALT
参数
测试条件
-45
(3)
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低到
输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址过渡到
输出转换
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
0
0
0
最大
45
45
25
25
25
0
0
0
-60
民
最大
60
60
30
30
30
0
0
0
-70
民
最大
70
70
35
30
30
0
0
0
-80
民
最大
80
80
40
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能，一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器所需的DE-
副。
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M27C256B
256千位（32KB ×8） UV EPROM和OTP EPROM
s
5V±在READ 10 ％电源电压
手术
存取时间：为45nS
低功耗：
- 主动电流30mA在5MHz
- 待机电流100μA
28
s
s
28
s
s
s
编程电压： 12.75V ± 0.25V。
编程时间： 100μS /字
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 8DH
1
1
FDIP28W （ F）
PDIP28 （ B）
描述
该M27C256B是256千位EPROM中提供
两个范围的UV （紫外线擦除）和OTP
（一次性可编程） 。它非常适合MI-
croprocessor系统和组织为32,768
由8位。
该FDIP28W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27C256B提供的PDIP28 ， PLCC32和
TSOP28 （ 8× 13.4毫米）封装。
PLCC32 （ C）
TSOP28 （ N）
8 X 13.4毫米
图1.逻辑图
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27C256B
VSS
AI00755B
2002年8月
1/16
M27C256B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
8Dh
3/16
M27C256B
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
设备操作
该M27C256B的操作模式中列出
在操作模式。单电源
在读取模式必需的。所有输入为TTL列弗
ELS除了V
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27C256B具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚， indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的，地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据提供的延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27C256B具有待机模式，该模式reduc-
ES电源电流范围为30mA至100μA 。该
M27C256B被置于待机模式通过AP-
行走的CMOS高信号到E输入。当
在待机模式下，输出处于高阻抗
ANCE状态，独立对G输入。
4/16
M27C256B
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
I
OH
= –100A
3.6
V
CC
– 0.7V
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
民
最大
±10
±10
30
1
100
100
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
M27C256B
符号
ALT
参数
测试条件
-45
(3)
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低到
输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址过渡到
输出转换
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
0
0
0
最大
45
45
25
25
25
0
0
0
-60
民
最大
60
60
30
30
30
0
0
0
-70
民
最大
70
70
35
30
30
0
0
0
-80
民
最大
80
80
40
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能，一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器所需的DE-
副。
5/16
M27C256B
256千位（32KB ×8） UV EPROM和OTP EPROM
s
5V±在READ 10 ％电源电压
手术
存取时间：为45nS
低功耗：
- 主动电流30mA在5MHz
- 待机电流100μA
28
s
s
28
s
s
s
编程电压： 12.75V ± 0.25V。
编程时间： 100μS /字
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： 8DH
1
1
FDIP28W （ F）
PDIP28 （ B）
描述
该M27C256B是256千位EPROM中提供
两个范围的UV （紫外线擦除）和OTP
（一次性可编程） 。它非常适合MI-
croprocessor系统和组织为32,768
由8位。
该FDIP28W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27C256B提供的PDIP28 ， PLCC32和
TSOP28 （ 8× 13.4毫米）封装。
PLCC32 （ C）
TSOP28 （ N）
8 X 13.4毫米
图1.逻辑图
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27C256B
VSS
AI00755B
2002年8月
1/16
M27C256B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1。除了评级"Operating温度Range" ，上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
8Dh
3/16
M27C256B
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
设备操作
该M27C256B的操作模式中列出
在操作模式。单电源
在读取模式必需的。所有输入为TTL列弗
ELS除了V
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27C256B具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚， indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的，地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据提供的延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27C256B具有待机模式，该模式reduc-
ES电源电流范围为30mA至100μA 。该
M27C256B被置于待机模式通过AP-
行走的CMOS高信号到E输入。当
在待机模式下，输出处于高阻抗
ANCE状态，独立对G输入。
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M27C256B
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
I
OH
= –100A
3.6
V
CC
– 0.7V
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
民
最大
±10
±10
30
1
100
100
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃ ， -40至105℃或-40 125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 ％或5V ±10 ％ ; V
PP
= V
CC
)
M27C256B
符号
ALT
参数
测试条件
-45
(3)
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低到
输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址过渡到
输出转换
E = V
IL
，G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
，G = V
IL
0
0
0
最大
45
45
25
25
25
0
0
0
-60
民
最大
60
60
30
30
30
0
0
0
-70
民
最大
70
70
35
30
30
0
0
0
-80
民
最大
80
80
40
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的，通常使用
存储器阵列，该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中，E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能，一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式，输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器所需的DE-
副。
5/16
QQ：2881677436 复制
