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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第180页 > M27C160-90B6TR
M27C160
16兆位(2MB ×8或为1Mb ×16) UV EPROM和OTP EPROM
s
5V
±
在READ 10 %电源电压
手术
快速存取时间: 70ns的
字节宽度或字宽
CON连接可配置
16兆位MASK ROM更换
1
1
42
42
s
s
s
s
低功耗
- 工作电流70毫安为8MHz
- 待机电流100μA
FDIP42W ( F)
PDIP42 ( B)
s
s
s
编程电压: 12.5V
±
0.25V
编程时间: 100μS /字节(典型值)
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 器件代码: 00B1h
PLCC44 ( K)
1
44
SO44 (M)的
描述
该M27C160是16兆比特的EPROM中提供
两个范围UV(紫外线擦除)和OTP (一次
一次可编程) 。它非常适合于微
处理器系统需要大量的数据或程序
存储和组织的任2兆字
8位或1兆的话16位。该引脚输出的COM -
兼容与16 Mbit的掩膜ROM 。
该FDIP42W (窗口陶瓷熔块密封包装)
具有透明的盖,其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。
表1.信号名称
A0-A19
Q0-Q7
Q8-Q14
Q15A–1
E
G
BYTEV
PP
V
CC
V
SS
1999年2月
地址输入
数据输出
数据输出
数据输出/输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
字节模式/程序供应
电源电压
图1.逻辑图
VCC
20
A0-A19
15
Q15A–1
Q0-Q14
E
G
BYTEVPP
M27C160
VSS
AI00739B
1/16
M27C160
图2A 。 DIP引脚连接
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
42
1
41
2
40
3
39
4
38
5
37
6
36
7
35
8
34
9
33
10
M27C160
32
11
31
12
30
13
29
14
28
15
27
16
17
26
18
25
19
24
20
23
21
22
AI00740
图2B中。 PLCC引脚连接
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
A5
A6
A7
A17
A18
VSS
A19
A8
A9
A10
A11
1 44
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A–1
Q7
Q14
Q6
12
M27C160
34
23
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
NC
VCC
Q4
Q12
Q5
Q13
AI03012
警告:
NC =未连接。
图2C 。 SO引脚连接
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
44
43
2
42
3
41
4
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
34
11
M27C160
33
12
13
32
14
31
15
30
16
29
17
28
18
27
19
26
20
25
21
24
22
23
AI01264
NC
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
一种新的模式就可以快速写入到设备
副遵循编程程序。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除,所述
M27C160是提供在PDIP42 , PLCC44和
SO44封装。
设备操作
该M27C160的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V兼容
PP
和12V上A9的
电子签名。
读取模式
该M27C160有两个组织,字宽
和字节范围内。该组织选择了
在BYTEV信号电平
PP
引脚。当BYTEV
PP
是V
IH
字级组织选择
和Q15A - 1引脚用于Q15数据输出。
当BYTEV
PP
引脚为V
IL
该字节宽度或 -
ganisation被选定并且Q15A -1引脚用于
在地址输入A - 1 。当存储器是
在逻辑上被视为16位宽,但读了
字节宽的组织,然后用A-1在V
IL
低8位的16位数据被选择,并与
A- 1在V
IH
高8位的16位数据是
选择。
2/16
M27C160
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压(除A9 )
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读字宽
读字节宽度上
读字节宽度低
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
BYTEV
PP
V
IH
V
IL
V
IL
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
Q0-Q7
数据输出
数据输出
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
Q8-Q14
数据输出
高阻
高阻
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
Q15A–1
数据输出
V
IH
V
IL
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
CODE
注:X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
0
Q2
0
0
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
B1h
注:输出Q8 - Q15被设置为“0” 。
该M27C160具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。此外,字宽或
字节宽度的组织必须选择。
芯片使能(E)是功率控制和应
用于设备的选择。输出使能( G)是
输出控制,并应被用于栅极的数据
输出引脚独立的设备选择。
假设该地址是稳定的,这种吸附
礼服的访问时间(t
AVQV
)等于延迟
从E到输出(T
ELQV
) 。数据可在
T的延迟后输出
GLQV
从下降沿
G的假设E已经很低,这种吸附
裙装一直稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
3/16
M27C160
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3.测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容(除BYTEV
PP
)
输入电容( BYTEV
PP
)
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
10
120
12
单位
pF
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
待机模式
该M27C160具有待机模式,该模式减少了
有功电流从50mA至100μA 。该
M27C160被置于待机模式通过硐
荷兰国际集团的CMOS高信号到E输入。当在
待机模式下,输出处于高阻抗
ANCE状态,独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能,一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式,输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
4/16
M27C160
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 8MHz的
电源电流
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
50
1
100
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
最大
±1
±10
70
单位
A
A
mA
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要当心decoupliing
在物资设备。供给电流I
CC
具有重要意义的三段给系统
设计师的待机电流,有功电流
以及由所产生的瞬态峰值
下降和E的上升沿
的瞬时峰值电流的幅值是
依赖于capacititive和感性负载
荷兰国际集团的设备输出。相关的瞬态
电压峰值可以通过将符合supressed
与两线输出控制和通过适当地SE-
lected去耦电容。建议
一个0.1μF的陶瓷电容是用在每
V之间的设备
CC
和V
SS
。这应该是一个
固有的低电感高频型
并应放在尽可能接近的
装置。此外,一个4.7μF电解电容器
应V之间可以使用
CC
和V
SS
8设备。
该电容应安装在靠近电源
提供连接点。这个钙的目的
pacitor是克服所引起的电压降
的PCB走线电感的影响。
程序设计
当传送(每个擦除的紫外线后,
EPROM)的M27C160的所有位都在'1'
状态。数据是通过选择性地编程引入
明'0'到所需的位的位置。虽然
只有'0'将被编程,既'1'和'0'即可
存在于该数据字。以唯一的办法
改变一个'0'到'1',是通过模具博览会ultravio-
让光( UV EPROM ) 。该M27C160是亲
编程模式时, V
PP
输入为12.5V , G是
在V
IH
和E是脉冲到V
IL
。数据被亲
编程加到16位并行数据
输出管脚。所需的地址的水平
和数据输入是TTL 。 V
CC
被指定为
6.25V
±
0.25V.
5/16
M27C160
16兆位(2MB ×8或为1Mb ×16 ), UV EPROM和OTP EPROM
s
5V±在READ 10 %电源电压
手术
存取时间: 50ns的
字节宽度或字宽
CON连接可配置
16兆位MASK ROM更换
低功耗
- 工作电流70毫安为8MHz
- 待机电流100μA
42
42
s
s
s
s
1
1
FDIP42W ( F)
PDIP42 ( B)
s
s
s
编程电压: 12.5V ± 0.25V
编程时间:为50μs /字
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 器件代码: B1h读取
SDIP42 (S)
42
1
描述
该M27C160是16兆比特的EPROM中提供
两个范围UV(紫外线擦除)和OTP (一次
一次可编程) 。它非常适合于微
处理器系统需要大量的数据或程序
存储和组织的任2兆字
8位或1兆的话16位。该引脚输出的COM -
兼容与16 Mbit的掩膜ROM 。
该FDIP42W (窗口陶瓷熔块密封包装)
具有透明的盖,其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式就可以快速写入
该装置由以下所述的编程proce-
杜热。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除,所述
M27C160是提供在PDIP42 , SDIP42 , PLCC44
和SO44封装。
44
1
PLCC44 ( K)
SO44 (M)的
图1.逻辑图
VCC
20
A0-A19
15
Q15A–1
Q0-Q14
E
G
BYTEVPP
M27C160
VSS
AI00739B
2002年1月
1/19
M27C160
图2. DIP连接
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
1
42
2
41
3
40
4
39
5
38
6
37
7
36
35
8
9
34
10
33
M27C160
32
11
31
12
30
13
29
14
28
15
27
16
17
26
18
25
19
24
20
23
22
21
AI00740
图3. PLCC连接
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
A5
A6
A7
A17
A18
VSS
A19
A8
A9
A10
A11
1 44
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A–1
Q7
Q14
Q6
12
M27C160
34
23
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
NC
VCC
Q4
Q12
Q5
Q13
AI03012
图4. SO连接
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
44
1
43
2
3
42
4
41
40
5
39
6
38
7
37
8
36
9
35
10
34
11
M27C160
33
12
32
13
31
14
30
15
29
16
17
28
18
27
19
26
20
25
21
24
22
23
AI01264
表1.信号名称
NC
A19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTEVPP
VSS
Q15A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
A0-A19
Q0-Q7
Q8-Q14
Q15A–1
E
G
BYTEV
PP
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输出
数据输出
数据输出/输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
字节模式/程序供应
电源电压
在内部没有连接
2/19
M27C160
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压(除A9 )
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-27的
-27的
-2至13.5
-2 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注: 1。除了评级"Operating温度Range" ,上面讲的那些表"Absolute最大Ratings" ,可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读字宽
读字节宽度上
读字节宽度低
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注:X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
BYTEV
PP
V
IH
V
IL
V
IL
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
Q15A–1
数据输出
V
IH
V
IL
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
CODE
Q8-Q14
数据输出
高阻
高阻
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
Q7-Q0
数据输出
数据输出
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
0
Q2
0
0
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
B1h
注:输出Q15 - Q8设置为“0” 。
3/19
M27C160
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图5. AC测试输入输出波形
图6. AC测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3k
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容(除BYTEV
PP
)
输入电容( BYTEV
PP
)
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
10
120
12
单位
pF
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
设备操作
该M27C160的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V兼容
PP
和12V上A9的
电子签名。
读取模式
该M27C160有两个组织,字宽
和字节范围内。该组织选择了
在BYTEV信号电平
PP
引脚。当BYTEV
PP
是V
IH
字级组织选择
和Q15A - 1引脚用于Q15数据输出。
当BYTEV
PP
引脚为V
IL
该字节宽度或 -
ganisation被选定并且Q15A -1引脚用于
在地址输入A - 1 。当存储器是
在逻辑上被视为16位宽,但读了
字节宽的组织,然后用A-1在V
IL
低8位的16位数据被选择,并与
A- 1在V
IH
高8位的16位数据是
选择。
该M27C160具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。此外,字宽或
字节宽度的组织必须选择。
芯片使能(E)是功率控制和应
用于设备的选择。输出使能( G)是
输出控制,并应被用于栅极的数据
输出引脚独立的设备选择。
假设该地址是稳定的,这种吸附
礼服的访问时间(t
AVQV
)等于延迟
从E到输出(T
ELQV
) 。数据可在
T的延迟后输出
GLQV
从下降沿
G的假设E已经很低,这种吸附
裙装一直稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
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M27C160
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 5V ± 5 %或5V ±10 % ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 8MHz的
电源电流
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
50
1
100
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
最大
±1
±10
70
单位
A
A
mA
I
CC
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
待机模式
该M27C160具有待机模式,该模式减少了
有功电流从50mA至100μA 。该
M27C160被置于待机模式通过硐
荷兰国际集团的CMOS高信号到E输入。当在
待机模式下,输出处于高阻抗
ANCE状态,独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能,一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式,输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
供应给设备。供给电流I
CC
具有重要意义的三段给系统
设计师的待机电流,有功电流
以及由所产生的瞬态峰值
下降和E的上升沿
的瞬时峰值电流的幅值是
依赖于容性和感性负载
的设备输出。相关的瞬态
电压峰值可通过遵守被抑制
与两线输出控制和通过适当地SE-
lected去耦电容。建议
一个0.1μF的陶瓷电容是用在每
V之间的设备
CC
和V
SS
。这应该是一个
固有的低电感高频型
并应放在尽可能接近的
装置。此外,一个4.7μF电解电容器
应V之间可以使用
CC
和V
SS
8设备。
该电容应安装在靠近电源
提供连接点。这个钙的目的
pacitor是克服所引起的电压降
的PCB走线电感的影响。
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