【M2732ANMOS 32K （ 4K ×8 ） UV EPROM快速存取时间： 200ns的扩展级】,IC型号M2732A-2F6,M2732A-2F6 PDF资料,M2732A-2F6经销商,ic,电子元器件-51电子网

M2732A

NMOS 32K （ 4K ×8 ） UV EPROM

快速存取时间： 200ns的

扩展级温度范围

单5V电源电压

低待机电流：最大35mA

输入和输出TTL兼容

读取和编程过程中

完全静止

FDIP24W （ F）

描述

该M2732A是32,768位紫外线擦除，

电可编程存储器EPROM 。这是

由8位， 4096字。该M2732A

其5V单电源供电，与接入

的200纳秒的时间，是理想的适用于那些

快速的转身和模式的实验1

重要的要求。

该M2732A是honsed在24引脚陶瓷窗

熔接密封双列直插式封装。该透明盖子

允许用户以暴露所述芯片对紫外线

擦除的位模式。一种新的模式可以是那么

通过以下所述的编程写入clerice

过程。

图1.逻辑图

VCC

A0-A11

Q0-Q7

M2732A

表1.信号名称

A0 - A11

Q0 - Q7

地址输入

数据输出

芯片使能

输出使能/供应计划

电源电压

地

GVPP

VSS

AI00780B

1994年7月

1/9

M2732A

表2.绝对最大额定值

符号

BIAS

英镑

参数

工作环境温度

在偏置温度

储存温度

输入或输出电压

电源电压

项目电源电压

1级

六年级

1级

六年级

价值

0到70

-40到85

-10到80

-50到95

-65至125

-0.6 6

-0.6至22

单位

°C

注意：

除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致

永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件

本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作

可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。

图2. DIP引脚连接

用于门的数据到输出引脚，不知疲倦

悬垂装置选择。

假设该地址是稳定的，地址

访问时间（吨

AVAQ

）等于从E中的延迟，以

输出（T

ELQV

）。数据可在之后的输出

克下降沿，假设E一直偏低

和地址已经稳定至少

AVQV

-t

GLQV

待机模式

该M2732A具有待机模式，该模式减少了

70％的有功电流， 125 mA至

35毫安。该M2732A被置于待机模式

通过施加一个TTL高信号到E的输入。当

待机模式下，输出处于高阻抗

国家，独立的GV

输入。

两线输出控制

因为M2732A在较大的MEM-通常使用

储器阵列，这款产品带有一个2线控制

函数，它容纳了使用多个

内存连接。两线控制功能

允许：

一。最低的内存功耗，

B 。完全保证了输出的总线冲突

不会发生。

最有效地使用这两个控制线，它是

推荐到，电子被解码，并用作

主要设备选择功能，一边将应

作出的所有设备共同连接

阵列和连接到所述读取线从

系统控制总线。

这确保了所有选择的存储设备

在它们的低功率待机模式，而

当需要数据输出引脚是唯一活性

从一个特定的存储设备。

VSS

6 M2732A 19

AI00781

VCC

A11

GVPP

A10

设备操作

六种操作模式为M2732A是

在操作模式表中列出。 5V单

电源是必需的，在读出模式。所有

输入是TTL电平，除了V

PP.

读取模式

该M2732A具有两个控制功能，两者的

它必须以获得在逻辑上满足

在输出数据。芯片启用（ E）是电源

控制和应使用的装置选择。

输出使能（ G）的输出控制和应

2/9

M2732A

程序设计

当交付，以及各擦除之后，所有的位

在M2732A是在“ 1"状态。资料介绍

通过有选择地编程“ 0's"到所需

位的位置。虽然只有“0 ”，将亲

编程，无论是“ 1”和“0 ”可以在呈现

的数据字。改变“ 0"到的唯一途径

“ 1"是由紫外光擦除。

该M2732A是在编程模式下，当

输入为21V 。一个0.1μF的电容必须

横放在GV

和地面压制spu-

rious电压瞬变可能损坏

装置。的数据要被编程施加， 8

在并行比特，以将数据输出管脚。水平

所需的地址和数据输入是TTL 。

当地址和数据是稳定的，一个50毫秒，

活性低， TTL电编程脉冲被施加到电子

输入。编程脉冲必须在每个应用

地址位置进行编程。任何地点

可以在任何时候设定 - 单独，

顺序地，或者是随机的。该方案具有脉冲

的55ms的最大宽度。该M2732A绝不能

被施加到E的直流信号编

输入。

多个M2732As平行的编程

同样的数据可以由于很容易地完成

的编程要求的简单性。

在平行M2732As的输入可以CON组

已连接在一起时，它们被编程

相同的数据。低层次的TTL脉冲加在

输入E计划平行2732As 。

禁止程序

多个M2732As平行的编程

不同的数据，也很容易完成。除了

对于E ，都喜欢投入（包括GV

）并行的

M2732As可以是常见的。 TTL电平方案

脉冲适用于M2732A的输入E与GV

将21V编程的M2732A 。高E级输入

抑制从作为亲其他M2732As

编程。

程序校验

校验应在执行编程

位，以确定自己是正确的亲

编程。验证是用GV

和

在V

清除操作

该M2732A的擦除特性是

使得擦除开始时，细胞是EX-

所构成的光的波长比AP-短

近因4000埃。但是应当注意的是，太阳光

和某些类型的荧光灯具有波形

长度在3000-4000的范围内。研究表明

这经常接触室内荧光灯的水平

照明可以擦除近似典型的M2732A

三方共同3年，而这将需要大约

一周至引起擦除时，接触到的

避免阳光直射。如果M2732A是被暴露在

这些类型的照明条件下，其PE-

时间riods ，故建议不透明的标签是

摆在M2732A窗口，以防止无意中

tional删除。

对于推荐的擦除程序

M2732A是暴露在短波紫外线

它具有2537埃的波长。综合

剂量（即紫外线强度X曝光时间）为擦除

最小应为15的W-秒/厘米

。该era-

一定时间与该剂量是约15至

使用紫外灯与12000 20分钟

μW /厘米

额定功率。该M2732A应

期间内放置2.5厘米灯管的

擦除。有些灯具对他们管的过滤器

这应该擦除之前被删除。

表3.操作模式

模式

读

节目

VERIFY

禁止程序

待机

注意：

X = V

或V

脉冲

Q0 - Q7

数据输出

DATA IN

数据输出

高阻

3/9

M2732A

AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

20ns

0.45V至2.4V

0.8V至2.0V

图4.交流测试负载电路

1.3V

1N914

注意，输出高阻被定义为点数据

不再驱动。

3.3k

图3. AC测试输入输出波形

设备

下

TEST

2.0V

0.8V

AI00827

OUT

CL = 100pF的

2.4V

0.45V

CL INCLUDES夹具电容

AI00828

表4.电容

(1)

= 25

°C,

F = 1 MHz）的

符号

IN1

OUT

参数

输入电容（除GV

)

输入电容（ GV

)

输出电容

测试条件

= 0V

OUT

= 0V

民

最大

单位

注意：

1.采样只，而不是100 ％测试。

图5.读模式AC波形

A0-A11

tAVQV

TGLQV

TELQV

Q0-Q7

有效

tAXQX

TEHQZ

TGHQZ

高阻

数据输出

AI00782

4/9

M2732A

表5.读模式DC特性

(1)

= 0至70

°C

或-40 85

°C;

= 5V

5％或5V

10%; V

= V

)

符号

CC1

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机）

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= –400A

2.4

测试条件

民

≤

OUT

= V

E = V

，G = V

E = V

，G = V

–0.1

价值

最大

±10

125

0.8

+ 1

0.45

单位

注意：

1. V

必须用或V之前同时施加

同时或V后取出

表6.读模式AC特性

(1)

= 0至70

°C

或-40 85

°C;

= 5V

5％或5V

10%; V

= V

)

符号

ALT

参数

TEST

条件

M2732A

-2, -20

民

AVQV

ELQV

GLQV

EHQZ （2）

GHQZ

(2)

空白， -25

民

最大

250

100

民

-3

最大

300

150

130

民

-4

最大

450

150

130

单位

最大

200

100

加

地址有效到

输出有效

芯片使能低到

输出有效

输出使能低

到输出有效

芯片使能高到

输出高阻

输出使能高

输出高阻

地址过渡到

输出转换

E = V

G = V

E = V

G = V

E = V

G = V

AXQX

注意事项：

1. V

必须用或V之前同时施加

同时或V后取出

2.采样只，而不是100 ％测试。

5/9

M2732A

NMOS 32K （ 4K ×8 ） UV EPROM

快速存取时间： 200ns的

扩展级温度范围

单5V电源电压

低待机电流：最大35mA

输入和输出TTL兼容

读取和编程过程中

完全静止

FDIP24W （ F）

描述

该M2732A是32,768位紫外线擦除，

电可编程存储器EPROM 。这是

由8位， 4096字。该M2732A

其5V单电源供电，与接入

的200纳秒的时间，是理想的适用于那些

快速的转身和模式的实验1

重要的要求。

该M2732A是honsed在24引脚陶瓷窗

熔接密封双列直插式封装。该透明盖子

允许用户以暴露所述芯片对紫外线

擦除的位模式。一种新的模式可以是那么

通过以下所述的编程写入clerice

过程。

图1.逻辑图

VCC

A0-A11

Q0-Q7

M2732A

表1.信号名称

A0 - A11

Q0 - Q7

地址输入

数据输出

芯片使能

输出使能/供应计划

电源电压

地

GVPP

VSS

AI00780B

1994年7月

1/9

M2732A

表2.绝对最大额定值

符号

BIAS

英镑

参数

工作环境温度

在偏置温度

储存温度

输入或输出电压

电源电压

项目电源电压

1级

六年级

1级

六年级

价值

0到70

-40到85

-10到80

-50到95

-65至125

-0.6 6

-0.6至22

单位

°C

注意：

除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致

永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件

本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作

可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。

图2. DIP引脚连接

用于门的数据到输出引脚，不知疲倦

悬垂装置选择。

假设该地址是稳定的，地址

访问时间（吨

AVAQ

）等于从E中的延迟，以

输出（T

ELQV

）。数据可在之后的输出

克下降沿，假设E一直偏低

和地址已经稳定至少

AVQV

-t

GLQV

待机模式

该M2732A具有待机模式，该模式减少了

70％的有功电流， 125 mA至

35毫安。该M2732A被置于待机模式

通过施加一个TTL高信号到E的输入。当

待机模式下，输出处于高阻抗

国家，独立的GV

输入。

两线输出控制

因为M2732A在较大的MEM-通常使用

储器阵列，这款产品带有一个2线控制

函数，它容纳了使用多个

内存连接。两线控制功能

允许：

一。最低的内存功耗，

B 。完全保证了输出的总线冲突

不会发生。

最有效地使用这两个控制线，它是

推荐到，电子被解码，并用作

主要设备选择功能，一边将应

作出的所有设备共同连接

阵列和连接到所述读取线从

系统控制总线。

这确保了所有选择的存储设备

在它们的低功率待机模式，而

当需要数据输出引脚是唯一活性

从一个特定的存储设备。

VSS

6 M2732A 19

AI00781

VCC

A11

GVPP

A10

设备操作

六种操作模式为M2732A是

在操作模式表中列出。 5V单

电源是必需的，在读出模式。所有

输入是TTL电平，除了V

PP.

读取模式

该M2732A具有两个控制功能，两者的

它必须以获得在逻辑上满足

在输出数据。芯片启用（ E）是电源

控制和应使用的装置选择。

输出使能（ G）的输出控制和应

2/9

M2732A

程序设计

当交付，以及各擦除之后，所有的位

在M2732A是在“ 1"状态。资料介绍

通过有选择地编程“ 0's"到所需

位的位置。虽然只有“0 ”，将亲

编程，无论是“ 1”和“0 ”可以在呈现

的数据字。改变“ 0"到的唯一途径

“ 1"是由紫外光擦除。

该M2732A是在编程模式下，当

输入为21V 。一个0.1μF的电容必须

横放在GV

和地面压制spu-

rious电压瞬变可能损坏

装置。的数据要被编程施加， 8

在并行比特，以将数据输出管脚。水平

所需的地址和数据输入是TTL 。

当地址和数据是稳定的，一个50毫秒，

活性低， TTL电编程脉冲被施加到电子

输入。编程脉冲必须在每个应用

地址位置进行编程。任何地点

可以在任何时候设定 - 单独，

顺序地，或者是随机的。该方案具有脉冲

的55ms的最大宽度。该M2732A绝不能

被施加到E的直流信号编

输入。

多个M2732As平行的编程

同样的数据可以由于很容易地完成

的编程要求的简单性。

在平行M2732As的输入可以CON组

已连接在一起时，它们被编程

相同的数据。低层次的TTL脉冲加在

输入E计划平行2732As 。

禁止程序

多个M2732As平行的编程

不同的数据，也很容易完成。除了

对于E ，都喜欢投入（包括GV

）并行的

M2732As可以是常见的。 TTL电平方案

脉冲适用于M2732A的输入E与GV

将21V编程的M2732A 。高E级输入

抑制从作为亲其他M2732As

编程。

程序校验

校验应在执行编程

位，以确定自己是正确的亲

编程。验证是用GV

和

在V

清除操作

该M2732A的擦除特性是

使得擦除开始时，细胞是EX-

所构成的光的波长比AP-短

近因4000埃。但是应当注意的是，太阳光

和某些类型的荧光灯具有波形

长度在3000-4000的范围内。研究表明

这经常接触室内荧光灯的水平

照明可以擦除近似典型的M2732A

三方共同3年，而这将需要大约

一周至引起擦除时，接触到的

避免阳光直射。如果M2732A是被暴露在

这些类型的照明条件下，其PE-

时间riods ，故建议不透明的标签是

摆在M2732A窗口，以防止无意中

tional删除。

对于推荐的擦除程序

M2732A是暴露在短波紫外线

它具有2537埃的波长。综合

剂量（即紫外线强度X曝光时间）为擦除

最小应为15的W-秒/厘米

。该era-

一定时间与该剂量是约15至

使用紫外灯与12000 20分钟

μW /厘米

额定功率。该M2732A应

期间内放置2.5厘米灯管的

擦除。有些灯具对他们管的过滤器

这应该擦除之前被删除。

表3.操作模式

模式

读

节目

VERIFY

禁止程序

待机

注意：

X = V

或V

脉冲

Q0 - Q7

数据输出

DATA IN

数据输出

高阻

3/9

M2732A

AC测量条件

输入上升和下降时间

输入脉冲电压

输入和输出时序参考。电压

≤

20ns

0.45V至2.4V

0.8V至2.0V

图4.交流测试负载电路

1.3V

1N914

注意，输出高阻被定义为点数据

不再驱动。

3.3k

图3. AC测试输入输出波形

设备

下

TEST

2.0V

0.8V

AI00827

OUT

CL = 100pF的

2.4V

0.45V

CL INCLUDES夹具电容

AI00828

表4.电容

(1)

= 25

°C,

F = 1 MHz）的

符号

IN1

OUT

参数

输入电容（除GV

)

输入电容（ GV

)

输出电容

测试条件

= 0V

OUT

= 0V

民

最大

单位

注意：

1.采样只，而不是100 ％测试。

图5.读模式AC波形

A0-A11

tAVQV

TGLQV

TELQV

Q0-Q7

有效

tAXQX

TEHQZ

TGHQZ

高阻

数据输出

AI00782

4/9

M2732A

表5.读模式DC特性

(1)

= 0至70

°C

或-40 85

°C;

= 5V

5％或5V

10%; V

= V

)

符号

CC1

参数

输入漏电流

输出漏电流

电源电流

电源电流（待机）

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= –400A

2.4

测试条件

民

≤

OUT

= V

E = V

，G = V

E = V

，G = V

–0.1

价值

最大

±10

125

0.8

+ 1

0.45

单位

注意：

1. V

必须用或V之前同时施加

同时或V后取出

表6.读模式AC特性

(1)

= 0至70

°C

或-40 85

°C;

= 5V

5％或5V

10%; V

= V

)

符号

ALT

参数

TEST

条件

M2732A

-2, -20

民

AVQV

ELQV

GLQV

EHQZ （2）

GHQZ

(2)

空白， -25

民

最大

250

100

民

-3

最大

300

150

130

民

-4

最大

450

150

130

单位

最大

200

100

加

地址有效到

输出有效

芯片使能低到

输出有效

输出使能低

到输出有效

芯片使能高到

输出高阻

输出使能高

输出高阻

地址过渡到

输出转换

E = V

G = V

E = V

G = V

E = V

G = V

AXQX

注意事项：

1. V

必须用或V之前同时施加

同时或V后取出

2.采样只，而不是100 ％测试。

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