M2764A
NMOS 64K （ 8K ×8 ） UV EPROM
快速存取时间： 180ns
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大35mA
TTL兼容在读取和编程
快速编程算法
电子签名
编程电压： 12V
28
1
FDIP28W （ F）
描述
该M2764A是65,536位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
由8位， 8,192字。
该M27C64A装在一个28引脚的窗口胶结
RAMIC熔接密封双列直插式封装。变压器
母盖允许用户在芯片暴露于
紫外线来擦除的位模式。新
图案可以被写入设备通过后续
荷兰国际集团的编程程序。
图1.逻辑图
VCC
VPP
13
A0-A12
8
Q0-Q7
表1.信号名称
A0 - A12
Q0 - Q7
E
G
P
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目
节目供应
电源电压
地
P
E
G
M2764A
VSS
AI00776B
1995年3月
1/10
M2764A
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6 6.5
-0.6 6.5
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作
可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。
图2. DIP引脚连接
读取模式
该M2764A具有两个控制功能，两者的
它必须以获得在逻辑上满足
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。
假设该地址是稳定的，地址
访问时间（吨
AVQV
）等于从E中的延迟，以
输出（T
ELQV
） 。数据可在之后的输出
克下降沿，假设E一直偏低
和地址已经稳定至少
t
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M2764A具有待机模式，该模式减少了
从75毫安的最大有功功率电流
35毫安。该M2764A被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下，输出处于高
阻抗状态，独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，该产品具有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
M2764A
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI00777
VCC
P
NC
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
警告：
NC =未连接。
设备操作
在M2764A的操作的七个模式
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
和12V的A9
电子签名。
2/10
M2764A
设备操作
（续）
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能，一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
控制总线。
这确保了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而
输出引脚是唯一活性数据时所需
从一个特定的存储设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
，有三个片断，
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平，有功电流电平，和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
上升E的边缘过渡的幅度
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
程序设计
当传送（每个擦除的紫外线后，
EPROM）的M2764A的所有位都处于“ 1"状态。
数据是通过选择性编程“ 0s"介绍
到所需的位的位置。虽然只有“0 ”，将
是编程的，无论是“ 1”和“0 ”可以是本
在数据字。只有这样，才能改变“到0"
一个“ 1"是由紫外光擦除。
该M2764A是在编程模式时，
V
PP
输入为12.5V和E和P是在TTL低。
的数据要被编程施加， 8位
同时，向数据输出管脚。所需的水平
对于地址和数据输入是TTL 。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的，可靠的M2764A的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
不断地监测，以确定当其具有
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
X
X
V
IL
P
V
IH
V
IH
V
IL
脉冲
V
IH
X
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
码出
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
0
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
08h
3/10
M2732A
NMOS 32K （ 4K ×8 ） UV EPROM
快速存取时间： 200ns的
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大35mA
输入和输出TTL兼容
读取和编程过程中
完全静止
24
1
FDIP24W （ F）
描述
该M2732A是32,768位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
由8位， 4096字。该M2732A
其5V单电源供电，与接入
的200纳秒的时间，是理想的适用于那些
快速的转身和模式的实验1
重要的要求。
该M2732A是honsed在24引脚陶瓷窗
熔接密封双列直插式封装。该透明盖子
允许用户以暴露所述芯片对紫外线
擦除的位模式。一种新的模式可以是那么
通过以下所述的编程写入clerice
过程。
图1.逻辑图
VCC
12
A0-A11
8
Q0-Q7
E
M2732A
表1.信号名称
A0 - A11
Q0 - Q7
E
GV
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
输出使能/供应计划
电源电压
地
GVPP
VSS
AI00780B
1994年7月
1/9
M2732A
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
项目电源电压
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至22
单位
°C
°C
°C
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作
可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。
图2. DIP引脚连接
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。
假设该地址是稳定的，地址
访问时间（吨
AVAQ
）等于从E中的延迟，以
输出（T
ELQV
） 。数据可在之后的输出
克下降沿，假设E一直偏低
和地址已经稳定至少
t
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M2732A具有待机模式，该模式减少了
70％的有功电流， 125 mA至
35毫安。该M2732A被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立的GV
PP
输入。
两线输出控制
因为M2732A在较大的MEM-通常使用
储器阵列，这款产品带有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
最有效地使用这两个控制线，它是
推荐到，电子被解码，并用作
主要设备选择功能，一边将应
作出的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。
这确保了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而
当需要数据输出引脚是唯一活性
从一个特定的存储设备。
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
24
1
2
23
3
22
4
21
20
5
6 M2732A 19
18
7
17
8
16
9
15
10
11
14
12
13
AI00781
VCC
A8
A9
A11
GVPP
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
六种操作模式为M2732A是
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了V
PP.
读取模式
该M2732A具有两个控制功能，两者的
它必须以获得在逻辑上满足
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
2/9
M74HC51
输入和输出等效电路
引脚说明
针无
1, 12, 13, 9,
10, 11
2, 3, 4, 5
8, 6
7
14
符号
1A至1F
图2A到2D
1Y到2Y
GND
V
CC
名称和功能
数据输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
1A
H
X
1B
1C
1D
1E
1F
X
H
1Y
L
L
H
H
H
X
X
X
X
H
H
所有其他组合
真值表
2A
H
X
2B
2C
2D
2Y
L
L
H
H
X
X
X
H
H
所有其他组合
X：无关
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
25
±
50
500(*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
功耗
P
D
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
（*） 500毫瓦，在65
°
℃;减免至300mW的由10毫瓦/
°
C来自65
°
C至85
°
C
2/9
M74HC51
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
30
8
7
39
13
11
马克斯。
75
15
13
100
20
17
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
95
19
16
125
25
21
-55到125°C
分钟。
马克斯。
110
22
19
150
30
26
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
32
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ）
4/9
M27512
NMOS 512千位（64KB ×8 ） UV EPROM
不适用于新设计
s
s
s
s
s
快速存取时间： 200ns的
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大40mA
TTL兼容读取，并在
节目
快速编程算法
电子签名
编程电压： 12V
1
28
s
s
s
描述
该M27512是524,288位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
由8位， 65,536字。
该M27512装在一个28引脚窗口胶结
RAMIC熔接密封双列直插式封装。变压器
母盖允许用户在芯片暴露于
紫外线来擦除的位模式。新巳
燕鸥然后可写入器件由以下
在编程过程。
FDIP28W （ F）
图1.逻辑图
VCC
16
A0-A15
8
Q0-Q7
E
GVPP
M27512
VSS
AI00765B
2000年11月
这是仍在生产，但不建议用于新设计的产品信息。
1/11
M27512
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6 6.5
-0.6 6.5
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，当然倾向于时期
可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关质量的文件。
图2. DIP引脚连接
读取模式
在M27512具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
AVQV
)
等于从E中的延迟输出（T
ELQV
） 。数据
可在输出吨的延迟之后
GLQV
从
克下降沿，假设E一直偏低
和地址已经稳定至少
t
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
在M27512具有待机模式，该模式减少了
从125毫安的最大有功功率电流
40毫安。在M27512被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下，输出处于高
阻抗状态，独立的拍摄画面GV的
PP
输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，该产品具有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M27512
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI00766
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
GVPP
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
该M27512的操作的六种模式是
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了GV
PP
和12V的
A9的电子签名。
2/11
M27512
设备操作
（续）
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
设备选择功能，而GV
PP
应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有dese-
lected存储器设备处于其低功率
待机模式，而输出引脚是只
有源当数据从一个特定的MEM-需要
ORY设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
，有三个片断，
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平，有功电流电平，和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
上升E的边缘过渡的幅度
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。这是重新开始，一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
程序设计
当交付，以及各擦除之后，所有的位
该M27512是在“ 1"状态。资料介绍
通过有选择地编程“ 0s"到所需的位
位置。虽然只有“0”将被编程，
两个“1”和“0 ”可以存在于该数据字。
只有这样，才能改变“ 0"到” 1"是由紫外线
光擦除。在M27512是在编程
模式时， GV
PP
输入为12.5V和E是
TTL -低。要编程的数据被应用于8
位并行数据输出管脚。水平
所需的地址和数据输入是TTL 。
该M27512可以使用PRESTO编程Algo-
rithm ，它大大减少了编程
时间（通常小于50秒）。虽然
实现与所有兼容的编程
设备，标准的快速编程Algo-
rithm也可以使用。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的，可靠的M27512的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
不断地监测，以确定当其具有
已成功编程。的流程图
M27512快速规划算法示于
网络连接gure 8 。
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
IL
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
0Dh
3/11
M27256
NMOS 256千位（32KB ×8 ） UV EPROM
不适用于新设计
s
s
s
s
s
快速存取时间： 170ns
扩展级温度范围
单5V电源电压
低待机电流：最大40mA
TTL兼容读取，并在
节目
快速编程算法
电子签名
编程电压： 12V
1
28
s
s
s
描述
该M27256是262,144位紫外线擦除，
电可编程存储器EPROM 。这是
按照8位为32.768字。
该M27256装在一个28引脚的窗口Ceram-
IC熔接密封双列直插式封装。透明
盖允许用户暴露在芯片的紫外
光擦除的位模式。可以在新的格局
然后被写入到设备由以下的亲
编程过程。
FDIP28W （ F）
图1.逻辑图
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27256
VSS
AI00767B
2000年11月
这是仍在生产，但不建议用于新设计的产品信息。
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M27256
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
VA9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6至6.25
-0.6至6.25
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意：
除了评级"Operating温度Range" ，高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只，设备的操作，在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，当然倾向于时期
可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关质量文件。
图2. DIP引脚连接
读取模式
在M27256具有两个控制功能，两者的
它必须以获得在逻辑上满足
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，不知疲倦
悬垂装置选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
AVQV
)
等于从E中的延迟输出（T
ELQV
） 。数据
可在输出的下降沿之后
G，假设E已经很低，这种吸附
裙装一直稳定至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
在M27256具有待机模式，该模式减少了
从百毫安的最大有功功率电流
40毫安。在M27256被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下，输出处于高
阻抗状态，独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列，这款产品带有一个2线控制
函数，它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许：
一。最低的内存功耗，
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
28
1
27
2
26
3
25
4
24
5
23
6
22
7
M27256
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
13
16
14
15
AI00768
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
八个模式M27256的操作是
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的，在读出模式。所有
输入是TTL电平，除了V
PP
和12V的A9
电子签名。
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M27256
设备操作
（续）
对于最有效地使用这两个控制线，
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能，一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
控制总线。
这确保了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式，而
当需要数据输出引脚是唯一活性
从一个特定的存储设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
，有三个片断，
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平，有功电流电平，和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
上升E的边缘过渡的幅度
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外，一个
4.7μF的大容量电解电容，应使用
V之间
CC
和V
SS
每八个设备。该
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
验证（可选）
禁止程序
待机
电子签名
注意：
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
Programmain
交付时， （每个擦除的紫外线后，
EPROM），在M27256的所有位都处于“ 1"状态。
数据是通过选择性编程“ 0s"介绍
到所需的位的位置。虽然只有“0 ”，将
是编程的，无论是“ 1”和“0 ”可以是本
在数据字。只有这样，才能改变“到0"
一个“ 1"是由紫外光擦除。该M27256是
在编程模式时， V
PP
输入是在
12.5V和E是TTL低。数据被亲
编程应用于8位并行数据
输出管脚。所需的地址的水平和
数据输入是TTL 。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的，可靠的M27256的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
不断地监测，以确定当其具有
已成功编程。的流程图
M27256快速编程算法显示在
的流程图。快速编程算法
利用两种不同的脉冲类型：初次和过度
程序。初始E脉冲（多个）的持续时间是
1毫秒，那么这将在随后较长的过
长度为3ms的编程脉冲由n（n是等于
所施加的初始一毫秒的脉冲数
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
0
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
0
十六进制数据
20h
04h
3/10
QQ：2880707522 复制
