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M2716
NMOS 16K ( 2K ×8 ) UV EPROM
2048 ×8组织
525mW的最大有功功率, 132mW最大
待机功耗
访问时间:
- M2716-1为350ns
- M2716是450ns
单5V电源电压
静电没有时钟必填
输入和输出TTL兼容
在两次读取和编程
模式
三态输出与系杆 - 或 -
能力
扩展级温度范围
编程电压: 25V
描述
在M2716是16,384位紫外线擦除和电
trically可编程存储器EPROM ,理想
适合于各种应用中快速转身
模式的实验是很重要的要求一
求。
在M2716装在一个24引脚的陶瓷窗
熔接密封双列直插式封装。该透明盖子
允许用户以暴露所述芯片对紫外线
擦除的位模式。那么新的模式可以是
通过以下所述的编程写入器件
过程。
24
1
FDIP24W ( F)
图1.逻辑图
VCC
VPP
11
A0-A10
8
Q0-Q7
EP
G
M2716
表1.信号名称
A0 - A10
Q0 - Q7
EP
G
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能/程序
OUTPUT ENABLE
节目供应
电源电压
VSS
AI00784B
1994年7月
1/9
M2716
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
CC
V
IO
V
PP
P
D
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
电源电压
输入或输出电压
节目供应
功耗
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.3 6
-0.3 6
-0.3至26.5
1.5
单位
°C
°C
°C
V
V
V
W
注意:
除了评级"Operating温度Range" ,高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只,设备的操作,在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作
可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。
图2. DIP引脚连接
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
M2716
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
AI00785
VCC
A8
A9
VPP
G
A10
EP
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
该M2716具有操作的正常3种模式
系统环境。这些示于表3中。
阅读模式。
在M2716读操作需要
使得G = V
IL
, EP = V
IL
和地址A0 -A10
已经稳定下来。有效的数据将出现在
经过时间t输出引脚
AVQV
, t
GLQV
或T
ELQV
(见
开关时间波形),这取决于它是
限制。
取消选择模式。
在M2716是mak-取消
ING G = V
IH
。这个模式是独立的EP和
的地址的情况。的输出是
高阻当G = V
IH
。这允许栓-OR 2或更大
M2716的内存扩展。
待机模式(关机) 。
在M2716可
断电以待机模式通过使
EP = V
IH
。这是独立的G和automat-的
ically使输出的Hi-Z状态。电源
被减少到正常的25% (132毫瓦最大)
操作电源。 V
CC
和V
PP
必须保持
在5V 。在上电时的访问时间仍然是要么吨
AVQV
或T
ELQV
(见开关时间波形) 。
程序设计
在M2716是由SGS - THOMSON运的COM
pletely删除。所有位将是“ 1"级(输出
高),在初始状态,之后的任何全擦除。
表3示出了3编程模式。
程序模式。
在M2716是由编程
引入“ 0"s到所需的位置。这是
在一个时间完成8位(一个字节) 。任何个人地址,
选出的随机顺序地址,或地址
dom的可被编程。任意的8位或所有
与地址相关联的位置可以是亲
编程与施加到单个编程脉冲
EP引脚。所有的输入电平,包括程序
脉冲在芯片使能为TTL兼容。
编程序列是:用V
PP
= 25V, V
CC
= 5V ,G = V
IH
和EP = V
IL
,一个地址选择
和所需的数据字被施加到输出
引脚(V
IL
= “ 0"和V
IH
= “ 1"两个地址,
数据)。后的地址和数据信号是稳定的
该方案引脚从V脉冲
IL
到V
IH
与一位
2/9
M2716
设备操作
(续)
45ms和55毫秒的脉冲宽度。多种
不需要的脉冲,但不会导致器件
损害。无引脚应悬空。高水平
(V
IH
或更高)不能保持长于
t
PHPL
(最大值)上节目时引脚编程
明。 M2716的可并行于被编程
此模式。
程序验证模式。
的编程
M2716可以一次进行验证的任何一个字节
编程(见图6)中或
通过读取所有字节出在了底
编程序列。这个功能也可以用
V
PP
= 25V或5V在任何一种情况下。 V
PP
一定要在5V
对于所有操作模式,并可以保持在
25V为所有的编程模式。
禁止编程模式。
该计划禁止模式
允许多个M2716的进行编程simul-
taneously与不同的数据,每一个由CON-
曳哪些接收编程脉冲。所有
在M2716类似的输入可以并联。
脉冲方案引脚(从V
IL
到V
IH
)将亲
克为单位,同时抑制了编程脉冲到
单元将保持它被编程并备存─
ING G = V
IH
将其投入产出的Hi-Z状态。
清除操作
该M2716是通过暴露于高强度的擦除
紫外线通过透明窗口。
此曝光排出浮栅到其
通过感应光电流初始状态。这是
建议M2716保持了直接的
阳光下。太阳光的紫外线含量可能会导致
一些比特在相对较短的一个部分擦除
一段时间。
紫外光源的2537埃的总收益
15瓦秒的集成用量/厘米
2
动力
评级被使用。要被擦除的M2716应
放置1英寸远离灯并没有过滤器
应该被使用。
擦除系统应进行校准围
颂歌般地。擦除时间增加的
的距离的平方(如果距离加倍
擦除时间由4倍上升) 。灯
失去了强度,他们的年龄,因此,重要的
定期检查UV系统处于良好
顺序。
这将确保该EPROM中都存在的COM
pletely删除。不完全擦除会导致
症状可能会产生误导。编程器,
组件和系统设计已经erro-
neously怀疑时,不完全是擦除
的基本问题。
表3.操作模式
模式
节目
VERIFY
禁止程序
DESELECT
待机
注意:
X = V
IH
或V
IL
.
EP
V
IL
V
IH
脉冲
V
IL
V
IL
X
V
IH
G
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
PP
V
CC
V
PP
V
PP
或V
CC
V
PP
V
CC
V
CC
Q0 - Q7
数据输出
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
高阻
3/9
M2716
AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
20ns
0.45V至2.4V
0.8V至2.0V
图4.交流测试负载电路
1.3V
1N914
注意,输出高阻被定义为点数据
不再驱动。
3.3k
图3. AC测试输入输出波形
2.4V
设备
TEST
CL = 100pF的
OUT
2.0V
0.8V
AI00827
0.45V
CL INCLUDES夹具电容
AI00828
表4.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
12
单位
pF
pF
注意:
1.采样只,而不是100 %测试。
表5.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机)
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
2.4
测试条件
0
V
IN
V
CC
V
OUT
= V
CC
, EP = V
CC
EP = V
IL
,G = V
IL
EP = V
IH
,G = V
IL
V
PP
= V
CC
–0.1
2
最大
±10
±10
100
25
5
0.8
V
CC
+ 1
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
4/9
M2716
表6.读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
M2716
符号
ALT
参数
测试条件
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
(2)
(2)
-1
最大
350
350
120
0
0
0
100
100
0
0
0
空白
最大
450
450
120
100
100
单位
t
t
CE
t
OE
t
OD
t
DF
t
OH
地址有效到输出有效
芯片使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
地址转换到输出转换
EP = V
IL
,G = V
IL
G = V
IL
EP = V
IL
G = V
IL
EP = V
IL
EP = V
IL
,G = V
IL
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AXQX
注意事项:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只,而不是100 %测试。
图5.读模式AC波形
A0-A10
tAVQV
EP
TGLQV
G
TELQV
Q0-Q7
有效
tAXQX
TEHQZ
TGHQZ
高阻
数据输出
AI00786
表7.编程模式DC特性
(1)
(T
A
= 25
°C;
V
CC
= 5V
±
5%; V
PP
= 25V
±
1V)
符号
I
LI
I
CC
I
PP
I
PP1
V
IL
V
IH
参数
输入漏电流
电源电流
编程电流
编程电流脉冲
输入低电压
输入高电压
EP = V
IH
脉冲
–0.1
2
测试条件
V
IL
V
IN
V
IH
最大
±10
100
5
30
0.8
V
CC
+ 1
单位
A
mA
mA
mA
V
V
注意:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
5/9
M27128A
NMOS 128K ( 16K ×8 ) UV EPROM
快速存取时间: 200ns的
扩展级温度范围
5 V单电源电压
低待机电流:最大40mA
TTL兼容读取,并在
节目
快速编程算法
电子签名
编程电压: 12V
28
1
FDIP28W ( F)
描述
该M27128A是131,072位紫外线擦除,
电可编程存储器EPROM 。这是
由8位, 16,384字。
该M27128A装在一个28引脚窗口胶结
RAMIC熔接密封双列直插式封装。变压器
母盖允许用户在芯片暴露于
紫外线来擦除的位模式。新
图案可以被写入设备通过后续
荷兰国际集团的编程程序。
图1.逻辑图
VCC
VPP
14
A0-A13
8
Q0-Q7
表1.信号名称
A0 - A13
Q0 - Q7
E
G
P
V
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目
节目供应
电源电压
P
E
G
M27128A
VSS
AI00769B
1995年3月
1/10
M27128A
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
V
CC
V
A9
V
PP
参数
工作环境温度
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
节目供应
1级
六年级
1级
六年级
价值
0到70
-40到85
-10到80
-50到95
-65至125
-0.6至6.25
-0.6至6.25
-0.6至13.5
-0.6至14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注意:
除了评级"Operating温度Range" ,高于在表"Absolute最大Ratings"上市的压力可能会导致
永久损坏设备。这些压力额定值只,设备的操作,在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作
可能会影响器件的可靠性。另请参阅SGS- THOMSON SURE计划和其他有关质量文件。
图2. DIP引脚连接
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
M27128A
21
8
20
9
19
10
18
11
17
12
16
13
15
14
AI00770
VCC
P
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
设备操作
在M27128A操作的七个模式
在操作模式表中列出。 5V单
电源是必需的,在读出模式。所有
输入是TTL电平,除了V
PP
和12V的A9
电子签名。
读取模式
该M27128A具有两个控制功能,两者的
它必须以获得在逻辑上满足
在输出数据。芯片启用( E)是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能( G)的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚,不知疲倦
悬垂装置选择。
假设该地址是稳定的,地址
访问时间(吨
AVQV
)等于从E中的延迟,以
输出(T
ELQV
) 。数据可在之后的输出
克下降沿,假设E一直偏低
和地址已经稳定至少
t
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27128A具有待机模式,该模式减少了
从85毫安的最大有功功率电流
40毫安。该M27128A被置于待机模式
通过施加一个TTL高信号到E的输入。当
在待机模式下,输出处于高
阻抗状态,独立对G输入。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的MEM-通常使用
储器阵列,这款产品带有一个2线控制
函数,它容纳了使用多个
内存连接。两线控制功能
允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
2/10
M27128A
设备操作
(续)
对于最有效地使用这两个控制线,
E这样被解码并作为主要的
装置选择的功能,一边将应当
在阵列中的所有设备共同连接
和连接到所述读取线从系统中
控制总线。
这确保了所有选择的存储设备
在它们的低功率待机模式,而
当需要数据输出引脚是唯一活性
从一个特定的存储设备。
系统注意事项
快速功率开关特性
EPROM中需要仔细的去耦器件。
供给电流I
CC
,有三个片断,
感兴趣的系统设计师的待机
电流电平,有功电流电平,和瞬时
这是由下降和产生的电流峰
E.上升边缘这短暂的大小
电流峰值依赖于电容和
电感性负载的装置在输出端的。该
相关的瞬态电压峰值可支持
通过与两线输出遵从压
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是高频电容器
低的固有电感与应置于
如靠近器件成为可能。此外,一个
4.7μF的大容量电解电容,应使用
V之间
CC
和GND为每八台设备。该
大容量电容应靠近电源
提供连接点。大部分的目的
电容器是克服造成的电压降
由PCB走线电感的影响。
程序设计
当传送(每个擦除的紫外线后,
EPPROM ),则M27128A的所有位都处于“ 1"
状态。数据是通过选择性地编程引入
明“ 0s"到所需的位的位置。虽然
只有“0”将被编程,无论是“ 1”和“0”
可以存在于该数据字。以唯一的办法
改变一个“ 0"到” 1"是由紫外光擦除。
该M27128A是在编程模式时,
V
PP
输入为12.5V和E和P是在TTL低。
的数据要被编程施加以8位
同时,向数据输出管脚。所需的水平
对于地址和数据输入是TTL 。
快速编程算法
快速编程算法快速程序
使用高效的,可靠的M27128A的EPROM
方法适合于生产编程恩
vironment 。编程可靠性也保证
由于每个字节的增量方案余量是
表3.操作模式
模式
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注意:
X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5%.
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
X
X
V
IL
P
V
IH
V
IH
V
IL
脉冲
V
IH
X
X
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q0 - Q7
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
码出
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
0
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
89h
3/10
M27128A
AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
20ns
0.45V至2.4V
0.8V至2.0V
图4.交流测试负载电路
1.3V
1N914
注意,输出高阻被定义为点数据
不再驱动。
3.3k
图3. AC测试输入输出波形
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI00827
OUT
CL = 100pF的
2.4V
0.45V
CL INCLUDES夹具电容
AI00828
表5.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
=
=
最大
6
12
单位
pF
pF
注意:
1.采样只,而不是100 %测试。
图5.读模式AC波形
A0-A13
tAVQV
E
TGLQV
G
TELQV
Q0-Q7
有效
tAXQX
TEHQZ
TGHQZ
高阻
数据输出
AI00771
4/10
M27128A
表6.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机)
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
测试条件
0
V
IN
V
CC
V
OUT
= V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
E = V
IH
V
PP
= V
CC
–0.1
2
=
2.4
最大
±10
±10
75
35
5
0.8
V
CC
+ 1
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意:
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
表7.读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70
°C
或-40 85
°C;
V
CC
= 5V
±
5%或5V
±
10%; V
PP
= V
CC
)
符号
ALT
参数
TEST
条件
M27128A
-2, -20
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ (2)
t
GHQZ (2)
t
AXQX
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低
到输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址过渡到
输出转换
E = V
IL
,
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,
G = V
IL
0
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