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M25P20

2兆位，低电压，串行闪存

与25 MHz的SPI总线接口

功能摘要

2兆位闪存的

图1.套餐

页编程（最多256个字节）中为1.5ms

（典型值）

扇区擦除（ 512千位）在2秒（典型值）

批量擦除（ 2兆）在3秒（典型值）

2.7 V至3.6 V单电源电压

SPI总线兼容的串行接口

25 MHz的时钟速率（最大）

深度掉电模式1

（典型值）

电子签名（ 11H ）

超过10万次擦除/编程每

扇形

超过20年的数据保存

SO8 （ MN ）

150密耳宽

VFQFPN8 （ MP ）

(MLP8)

2002年12月

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M25P20

概要说明

该M25P20是2兆比特（ 256K ×8 ）串行闪存

内存方面，具有先进的写保护机器人 -

共享机制，通过高速访问SPI兼容

总线。

该存储器可以被编程为1 256个字节

一时间，使用页面编程指令。

该存储器由4个扇区，每个CON-

泰宁256页。每个页面为256字节宽。

因此，整个存储器可以被看作是CON-

sisting 1024页，或262,144个字节。

整个内存可以使用批量删除

擦除指令，或扇区的使用时间，用

扇区擦除指令。

图2.逻辑图

VCC

图3. SO和VFQFPN连接

M25P20

VSS

AI04081B

VCC

HOLD

M25P20

注意事项： 1。请参阅第30页（起）的封装尺寸，以及如何

识别引脚1 。

VSS

AI04080

表1.信号名称

串行时钟

串行数据输入

串行数据输出

芯片选择

写保护

HOLD

电源电压

地

HOLD

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M25P20

信号说明

串行数据输出（ Q）。

这个输出信号是

用于串行传输数据出器件。

数据被移出的串行下降沿

时钟（C）。

串行数据输入（ D）。

这个输入信号被用来

传输数据串行地插入设备。它接收IN-

structions ，地址和数据被亲

编程。值被锁存的上升沿

串行时钟（C）。

该输入信号提供

串行接口的定时。指令，寻址

西文，或数据存在于串行数据输入（D）是

锁存串行时钟（ C）的上升沿。数据

串行数据输出（ Q）下降后的变化

串行时钟（ C）的边缘。

芯片选择（ S）。

当该输入信号为高，

取消选择器件和串行数据输出

（ Q）为高阻抗。除非内部亲

克，擦除或写状态寄存器周期中

进展，该设备将处于待机模式

（这不是深度掉电模式）。驾驶

芯片选择（S ）低使得该设备，将其放置

在有源功率模式。

上电后，在芯片选择下降沿（ S）

之前的任何指令的起始是必需的。

持有（ HOLD ）。

的保持（HOLD）信号用于

暂停任何串行通信与设备

不取消选择器件。

在保持状态下，串行数据输出

（ Q）为高阻抗，以及串行数据输入（D ）

和串行时钟（C ）都不在乎。

要启动保持状态，设备必须SE-

lected ，带片选（ S）驱动为低电平。

写保护（ W）。

这IN-的主要目的

放信号被冻结MEM-的区域的大小

储器是防止程序或擦除

指令（如在BP1指定的值

和BP0位的状态寄存器）。

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M25P20

SPI模式

这些设备可以由一个微控制器来驱动

在任一两种的SPI外设运行

以下几种模式：

- CPOL = 0 ， CPHA = 0

- CPOL = 1 ， CPHA = 1

对于这两种模式中，输入数据被锁存于上

串行时钟（ C）和输出数据的上升沿

可从串行时钟的下降沿

(C).

两种模式之间的差异，如图

在图5中，作为时钟的极性，当在总线mas-

之三是在待机模式而不是传输数据：

- C保持为0 （ CPOL = 0 ， CPHA = 0 ）

- C保持为1 （ CPOL = 1 ， CPHA = 1 ）

图4.总线主控与内存的SPI总线器件

SDO

SPI接口与

（ CPOL ， CPHA ） =

（0 ，0）或（1， 1）

SDI

SCK

Q D

总线主控

（ ST6 ， ST7 ， ST9 ，

ST10 ，其他）

SPI存储器

设备

CS3

CS2

CS1

HOLD

SPI存储器

设备

SPI存储器

设备

Q D

AI03746D

注： 1。写保护（ W）和保持（ HOLD ）的信号应该是驱动，高低合适。

图5. SPI模式支持

CPOL

CPHA

最高位

AI01438B

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M25P20

操作特性

网页编程

要设置一个数据字节，两个指令都重

quired ：写使能（ WREN ），这是一个字节，

和一个页编程（PP）的序列，其中CON组

的4个字节加上数据sists 。这之后是

内部编程周期的持续时间T （

为了传播这种开销，页面编程（ PP）

指令允许多达256个字节为亲

编程的时间（改变位从1变为0 ），亲

vided ，他们躺在连续的地址上

内存的同一个页面。

扇区擦除和整体擦除

页面编程（ PP ）指令允许位

可以从1重置为0。在此之前，可以应用的

内存字节需要被擦除所有

1秒（ FFH ）。这可以在一个实现一个扇区

时间，使用的扇区擦除指令（SE），或

在整个存储器中，使用大容量

擦除（ BE ）的指令。这将启动一个内部

擦除周期的持续时间T （

或T

擦除指令必须由被preceeded

写使能（ WREN）指令。

投票在写，编程或擦除周期

在写状态时的进一步改进

寄存器（ WRSR ），计划（ PP ）或删除（或SE

BE ），可以通过不等待最坏的实现

延迟的情况下（T

, t

或T

）。写在

制品（WIP ）位在状态提供雷吉斯 -

器，以使应用程序可以监视其

值，轮询它建立在前面的

写周期，项目周期或擦除周期的COM

完整的。

有源电力，待机功耗和深度

掉电模式

当片选（S ）为低电平时，器件是恩

体健，并在有源模式。

当片选（S ）为高，该设备是显示

体健，但仍然可以在有源模式

直到所有的内部时钟周期完成（计划，

擦除，写状态寄存器）。然后设备

进入到待机功耗模式。该装置

消耗下降至我

CC1

在深度掉电模式进入时，

特定的指令（在进入深度掉电

模式（DP）的指令）被执行。该装置

消费进一步下降到我

CC2

。该设备重

电源在这种模式下，直到另一个特定指令

化（发行从深度掉电模式

和阅读电子签名（ RES ）指令）

被执行。

所有其它指令被忽略而设备

在深度掉电模式。这可以是

作为一个额外的软件保护机制，

当装置处于非活动状态的使用，以保护

设备由疏忽造成写入，编程或擦除

指令。

状态寄存器

状态寄存器包含了一些状态

位和控制位，如表5所示，这可以是

读取或设置（如适用），由特定的指令

系统蒸发散。

WIP位。

写在制品（WIP ）位指示

内存是否忙于写状态

WEL位。

写使能锁存器（ WEL ）位indi-

凯茨内部写状态使能锁存器。

BP1 ， BP0位。

块保护（ BP1 ， BP0 ）位

是非易失性的。它们定义了面积与大小

软件可以防止编程和擦除

指令。

SRWD位。

状态寄存器写禁止

（ SRWD ）位被设置在与配合操作

写保护（ W）信号。状态寄存器

写禁止（ SRWD ）位和写保护（ W）

信号允许该设备被放置在硬件

保护模式。在这种模式中，非挥发性的位

状态寄存器（ SRWD ， BP1 ， BP0 ）变

只读位。

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