M25P10
1 Mbit的低电压分页闪存
与20 MHz的串行SPI总线接口
初步数据
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
1兆位分页闪存记忆
128字节页方案3毫秒典型
256 Kbit的扇区擦除1秒典型
批量擦除在2秒典型
采用2.7 V至3.6 V电源电压
SPI总线兼容的串行接口
20 MHz的时钟速率可用
支持正时钟SPI模式
深度掉电模式( 1 μA典型值)
电子签名
万擦除/ PROG单车每扇区
20年数据保留
-40到85 ° C的温度范围内
8
1
SO8 ( MN )
150密耳宽
8
1
SO8 ( MW)
200密耳宽
描述
该M25P10是1兆位分页闪存
装配式
同
意法半导体
高
耐力CMOS技术。内存
通过简单的SPI总线兼容的串行访问
界面。该总线信号的串行时钟输入
( C)中,串行数据输入端(D)和串行数据输出
(Q).
连接到总线上的设备时,选择
芯片选择输入端(S)变低。数据同步
在中低时钟的C高的转换,数据
图1.逻辑图
VCC
表1.信号名称
C
D
Q
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
芯片选择
D
C
S
W
HOLD
M25P10
Q
S
W
HOLD
V
CC
V
SS
写保护
HOLD
电源电压
地
VSS
AI03744
2000年6月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
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M25P10
图2. SO连接
芯片选择( S)
当S为高电平时,存储器被取消选中,该
Q输出引脚为高阻抗,并且除非一个
内部读取,编程,擦除或写入状态
寄存器操作正在进行中,该设备将
在备用电源模式(这不是深
掉电模式) 。 s低使得内存,
将其放置在所述有源功率模式。它应该是
注意的是,上电后,高向低转变
在S之前的任何操作的开始是必需的。
保持(HOLD )
HOLD引脚用于串行暂停
与SPI存储器,而无需通信
复位串行序列。要保持
条件考虑在内,该产品必须是
选择。保持状态由0验证
状态上的HOLD引脚与0状态同步
上的时钟,如图4 DeHOLD
条件是由1状态的保持引脚验证
与0状态上的时钟同步。中
的保持条件D,Q ,和C是在高
阻抗状态。
当存储在HOLD状态下,它是
可以取消选择该设备。然后,该协议
被复位。该内存仍处于保持状态,只要
该引脚保持为低电平。要重新启动与通信
该装置中,有必要既DeHOLD (H =
1),选择记忆。
写保护( W)
该引脚是硬件写保护
状态寄存器( SR ) ;除了WIP和WEL位。
状态寄存器的第7位( SRWD )为0(
初始交付状态) ;能够写在SR
一旦WEL (写使能锁存器)已定
与WREN指令和任何的
脚W的状态(高或低) 。
M25P10
S
Q
W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
AI03745
VCC
HOLD
C
D
在高至低转换同步输出
时钟
信号说明
串行输出( Q)
输出引脚用于传输数据串行地出
的存储器中。数据移出在下降
串行时钟的边缘。
串行输入( D)
输入引脚,用于传输数据连续到
该设备。它接收指令,地址,
和数据进行编程。输入锁存
在串行时钟的上升沿。
串行时钟( C)
串行时钟提供串行的时序
界面。指令,地址,或本数据
在输入引脚被锁存的上升沿
时钟输入端,而在Q引脚的变化数据
后的时钟输入的下降沿。
表2.绝对最大额定值
1
符号
T
A
T
英镑
T
领导
V
IO
V
CC
V
ESD
参数
工作环境温度
储存温度
焊接温度焊接过程中
SO8 : 40秒
价值
-40到85
-65到150
215
-0.3 5.0
-0.6 5.0
2000
单位
°C
°C
°C
V
V
V
输入和输出电压范围(相对于地面)
电源电压范围
静电放电电压(人体模型)
2
注: 1,除了评级为“工作环境温度范围” ,强调超出本表所列可能导致永久性的
损坏设备。这些压力额定值只,设备的操作,在这些或以上的任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅ST SURE计划和其他有关质量文件。
2. MIL -STD- 883C , 3015.7 ( 100 pF的, 1500
)
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M25P10
图5. M25P10兼容SPI模式
CPOL
CPHA
0
0
C
1
1
C
D或Q
最高位
最低位
AI01438
时钟极性( CPOL )和时钟相位
( CPHA )与SPI总线
如图5所示, M25P10可以驱动
通过其SPI外设运行的微控制器
在任一以下两种模式:( CPOL ,
CPHA )=( '0' ,'0' )或( CPOL , CPHA )=( '1', '1') 。为
在这两种模式中,输入数据被锁存到
从低到高的转变时钟的C,并输出数据
可从高到时钟的低转换
( C) ( CPOL , CPHA ) =之间比较差异( 0 ,
0 )和( CPOL , CPHA ) = ( 1,1 )是时钟极性
当在待机:C保持为“0”的( CPOL ,
CPHA ) = ( 0 , 0 )和C保持为' 1' ( CPOL ,
CPHA )=( 1,1)时,没有数据传送。
存储器组织
该存储器组织在8 131,072字
每个位。该器件具有1024页128
每个字节。每个页面都可以单独
编程(位从“1”设定为“0”
状态) 。
该器件还组织了4个部门
262144位( 32768 ×8位) each.The设备是
部门或批量擦除,但不能页擦除
(位从“0”擦除为“1”状态)。
操作
所有指令,地址和数据被移位在
进出芯片的MSB第一。数据输入(D)是
采样时钟后的第一个上升沿( C)
芯片选择( S)变低。在此之前的任何
表4.存储器组织
扇形
3
2
1
0
地址范围
18000h
10000h
08000h
00000h
1FFFFh
17FFFh
0FFFFh
07FFFh
表3.保护功能
W
X
1
SRWD
0
1
状态寄存器( SR )
设置WEL后写
设置WEL后写
数据字节(软件
通过BPI位保护区)
软件由BPI保护
的状态寄存器的位
软件由BPI保护
的状态寄存器的位
硬件由保护
的状态寄存器BPI位
和W销
模式
SPM
SPM
数据字节(无保护
区)
分页和可编程
可擦除扇区
分页和可编程
可擦除扇区
分页和可编程
可擦除扇区
0
注: 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
1
硬件保护
HPM
SPM :软件保护模式。
HPM :硬件保护模式。
BPI : BP0位的状态寄存器和BP1 。
WEL :写使能的状态寄存器锁存。
W:写保护输入引脚。
SRWD :状态寄存器的写状态寄存器禁止位。
该设备是大容量可擦,当且仅当( BP0 ,BP1 )=( 0,0 ),(见批量擦除段) 。
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