ESMT
PSRAM
特点
宽电压范围： 2.7V - 3.6V
访问时间： 55 ns的， 60纳秒70纳秒
超低有功功率
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
- 典型工作电流：8毫安F = f最大（ 70纳秒的速度）
超低待机功耗
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
M24L416256SA
4兆位（ 256K ×16 ）伪静态RAM
的输入/输出管脚（I / O0through I / O的
15
）被放置在一个
，输出取消（ CE HIGH ） ：在高阻抗状态
禁用（
OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和字节
低启用已禁用（
BHE
,
BLE
高） ，或在写入期间
操作（ CE LOW和
WE
低） 。
写入设备通过取芯片来实现
使能（ CE LOW）和写使能（
WE
）输入低电平。如果字节
低使能（
BLE
）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（
BHE
）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE LOW）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（
WE
）高。如果低字节使能
(
BLE
）为低电平，那么从所述存储器位置指定数据
通过地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节高
启用（
BHE
）为低电平，然后从存储器中的数据将出现在
I / O
8
布袋/ O
15
。请参考真值表的完整说明
读写模式。
功能说明
该M24L416256SA是一个高性能的CMOS伪
由16位支持组织成256K字的静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这非常适合于便携式应用，如蜂窝
电话。该装置可被置于待机模式时
取消选择（ CE为高或都
BHE
和
BLE
是HIGH ） 。
逻辑框图
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出版日期： 2008年7月
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产品组合
V
CC
范围（V ）
速度
（纳秒）
马克斯。
55
M24L416256SA
2.7
3.0
3.6
60
70
1
5
工作，我
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
Typ.[5]
马克斯。
M24L416256SA
功耗
产品
分钟。
待机情况下，我
SB2
(A)
Typ.[5]
马克斯。
F =最大频率
Typ.[5]
14
8
马克斯。
22
15
Typ.[5]
17
40
注意事项：
2.球H1， G2和球H6为VFBGA封装可用于升级到8兆位， 16兆位和32兆位密度。
3. NC“无连接” - 在内部没有连接到芯片。
4. DNU （不使用）引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= VCC （典型值） ，
T
A
= 25°C.
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最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位................- 0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态[ 6 ， 7 ， 8 ] ...................................... 。 - 0.4V至3.7V
直流输入电压[6 ，7，8 ] ....................................- 0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
M24L416256SA
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
EXTENDED
产业
环境温度（T
A
)
25°C
至+ 85°C
40°C
至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
2.7V至3.6V
直流电气特性（在工作范围内）
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
电源电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
测试条件
分钟。
2.7
V
CC
– 0.4
0.4
0.8 * V
CC
-0.4
GND
≤
V
IN
≤
VCC
GND
≤
V
OUT
≤
Vcc时，输出
残
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
自动CE
掉电
目前-CMOS
输入
自动CE
掉电
目前-CMOS
输入
V
CC
= V
CCmax
,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
-1
-1
14 -55
14 -60
8 -70
1所有速度
V
CC
+ 0.4
0.6
+1
+1
22 -55
22 -60
15 -70
5所有速度
-55, 60, 70
Typ.[5]
3.0
马克斯。
3.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
I
OH
=
0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
I
CC
mA
I
SB1
CE
≥
V
CC
0.2V, V
IN
≥
V
CC
0.2V, V
IN
≤
0.2V ，女= F
最大
（地址
和仅数据）中，f = 0
（ OE ，
WE
,
BHE
和
BLE
), V
CC
=
3.6V
CE
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
0.2V或V
IN
≤
0.2V,
F = 0，V
CC
= 3.6V
150
250
A
I
SB2
17
40
A
热电阻[10]
参数
θ
JA
θ
JC
描述
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
VFBGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
Capacitance[9]
参数
C
IN
C
OUT
注意事项：
6.V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
8.Overshoot和欠规范的特点，不是100 ％测试。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数9.Tested 。
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
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交流测试负载和波形
M24L416256SA
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
单位
V
开关特性（在工作范围内） [ 10 ]
Prameter
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z [11 ， 13 ]
OE高来高Z [ 11 ， 13 ]
CE低到低Z [11 ， 13 ]
CE高来高Z [ 11 ， 13 ]
BLE / BHE低到数据有效
BLE
/
BHE
低到低Z [11 ， 13 ]
–55
分钟。
55
55
5
55
25
5
25
2
25
55
5
10
0
55
45
45
0
0
40
60
45
45
0
0
40
5
2
5
8
马克斯。
分钟。
60
–60
马克斯。
分钟。
70
60
10
60
25
5
25
5
25
60
5
10
5
70
60
55
0
0
45
–70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
35
25
25
70
25
10
t
HZBE
BLE
/
BHE
高来高-Z [11 ， 13 ]
[14]
t
SK
地址偏移
写周期[ 12 ]
t
WC
写周期时间
t
SCE
CE低到写结束
t
AW
地址建立撰写完
t
HA
从写端地址保持
t
SA
地址建立到开始写
t
PWE
WE
脉冲宽度
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V，定时基准信号过渡时间
V水平
CC （典型值）
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示的“ AC测试
负载和波形“一节。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.存储器的内部写时间是由重叠定义
WE
，CE = V
IL
,
BHE
和/或
BLE
= V
IL
。所有信号
必须积极主动写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。数据输入设置
和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
13.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
14.为了实现55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
is
满足的时候，地址是稳定的前片选去激活。为70 ns的周期中，地址必须是稳定的
内的读周期开始后的10纳秒。
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