M1MA174T1
首选设备
硅开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 10
s
总功耗，
一个二极管加载
TA = 25°C
减免上述25℃
安装在陶瓷基板
（ 10 ×8 ×0.6 MM）
工作和存储结
温度范围
符号
VR
IF
IFM （浪涌）
PD
价值
100
200
500
200
单位
V
mA
mA
mW
3
阴极
1
阳极
http://onsemi.com
1.6
毫瓦/°C的
3
TJ ， TSTG
-55
+150
°C
1
2
SC–70/SOT–323
CASE 419
方式2
热特性
特征
热阻，
结到环境
一个二极管加载
安装在陶瓷基板
（ 10 ×8 ×0.6 MM）
符号
R
θJA
最大
0.625
单位
° C /毫瓦
标记图
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（ IR = 100
μAdc ）
反向电压漏电流
（ VR = 20 V直流）
（ VR = 75 VDC ）
二极管电容
（VR = 0中，f = 1.0 MHz）的
正向电压
（ IF = 10 MADC ）
反向恢复时间
（IF = IR = 10 MADC ） （图1）
符号
V（ BR ）
IR
–
–
CT
VF
TRR
–
–
–
25
5.0
4.0
1.0
4.0
NADC
μAdc
pF
VDC
ns
民
100
最大
–
单位
VDC
J6
M
J6 M
=器件代码
=日期代码
订购信息
设备
M1MA174T1
包
SC–70
航运
3000 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第1版
出版订单号：
M1MA174T1/D
M1MA174T1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
DUT
90%
50
输入
采样
示波器
VR
IR
输入信号
IR（ REC ） = 1.0毫安
输出脉冲
（IF = IR = 10毫安;实测
在IR（ REC ） = 1.0 mA）的
IF
0.1
F
tr
10%
tp
t
IF
TRR
t
50
产量
脉冲
发电机
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为10 mA的正向电流（ IF ） 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使红外光谱（峰值）等于10毫安。
注意事项：
3. TP TRR
图1.恢复时间等效测试电路
100
I F ，正向电流（mA ）
TA = 85°C
10
TA = 25°C
1.0
10
TA = 150℃
TA = 125°C
TA = -40°C
I R ，反向电流（
m
A)
1.0
0.1
TA = 85°C
TA = 55°C
0.01
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
TA = 25°C
0
10
20
30
40
50
VR ，反向电压（伏）
VF ，正向电压（伏）
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
C D ，二极管电容（PF ）
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2.0
4.0
6.0
8.0
VR ，反向电压（伏）
图4.电容
http://onsemi.com
2
M1MA174T1
使用SC - 70 / SOT- 323表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.025
0.65
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SC - 70 / SOT- 323功耗
采用SC-70 / SOT- 323的功耗是一个功能
化焊盘的大小。这可以从最小焊盘变化
大小为焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗表面贴装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
perature模具， RθJA ，从耐热性
器件的结点至环境;和操作温度，
TA 。使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ， 1
可以计算出该装置的功率消耗而在
这种情况下，为200毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
0.625°C/W
= 200毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在0.625 ° C / W，假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板来实现
的200毫瓦的功率耗散。另一种选择
将是使用陶瓷基板或铝芯
板，如热复合 。使用的基板材料，例如
作为热复合， 300毫安高功率耗散
瓦可以使用相同的空间来实现。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
法，差别应该最多10℃ 。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用能很好地协同
ING降温
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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3
M1MA174T1
首选设备
硅开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 10
s
总功耗，
一个二极管加载
TA = 25°C
减免上述25℃
安装在陶瓷基板
（ 10 ×8 ×0.6 MM）
工作和存储结
温度范围
符号
VR
IF
IFM （浪涌）
PD
价值
100
200
500
200
单位
V
mA
mA
mW
3
阴极
1
阳极
http://onsemi.com
1.6
毫瓦/°C的
3
TJ ， TSTG
-55
+150
°C
1
2
SC–70/SOT–323
CASE 419
方式2
热特性
特征
热阻，
结到环境
一个二极管加载
安装在陶瓷基板
（ 10 ×8 ×0.6 MM）
符号
R
θJA
最大
0.625
单位
° C /毫瓦
标记图
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（ IR = 100
μAdc ）
反向电压漏电流
（ VR = 20 V直流）
（ VR = 75 VDC ）
二极管电容
（VR = 0中，f = 1.0 MHz）的
正向电压
（ IF = 10 MADC ）
反向恢复时间
（IF = IR = 10 MADC ） （图1）
符号
V（ BR ）
IR
–
–
CT
VF
TRR
–
–
–
25
5.0
4.0
1.0
4.0
NADC
μAdc
pF
VDC
ns
民
100
最大
–
单位
VDC
J6
M
J6 M
=器件代码
=日期代码
订购信息
设备
M1MA174T1
包
SC–70
航运
3000 /磁带&卷轴
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第1版
出版订单号：
M1MA174T1/D
M1MA174T1
820
+10 V
2.0 k
100
H
0.1
F
DUT
90%
50
输入
采样
示波器
VR
IR
输入信号
IR（ REC ） = 1.0毫安
输出脉冲
（IF = IR = 10毫安;实测
在IR（ REC ） = 1.0 mA）的
IF
0.1
F
tr
10%
tp
t
IF
TRR
t
50
产量
脉冲
发电机
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为10 mA的正向电流（ IF ） 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使红外光谱（峰值）等于10毫安。
注意事项：
3. TP TRR
图1.恢复时间等效测试电路
100
I F ，正向电流（mA ）
TA = 85°C
10
TA = 25°C
1.0
10
TA = 150℃
TA = 125°C
TA = -40°C
I R ，反向电流（
m
A)
1.0
0.1
TA = 85°C
TA = 55°C
0.01
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
TA = 25°C
0
10
20
30
40
50
VR ，反向电压（伏）
VF ，正向电压（伏）
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
C D ，二极管电容（PF ）
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2.0
4.0
6.0
8.0
VR ，反向电压（伏）
图4.电容
http://onsemi.com
2
M1MA174T1
使用SC - 70 / SOT- 323表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.025
0.65
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SC - 70 / SOT- 323功耗
采用SC-70 / SOT- 323的功耗是一个功能
化焊盘的大小。这可以从最小焊盘变化
大小为焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗表面贴装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
perature模具， RθJA ，从耐热性
器件的结点至环境;和操作温度，
TA 。使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ， 1
可以计算出该装置的功率消耗而在
这种情况下，为200毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
0.625°C/W
= 200毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在0.625 ° C / W，假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板来实现
的200毫瓦的功率耗散。另一种选择
将是使用陶瓷基板或铝芯
板，如热复合 。使用的基板材料，例如
作为热复合， 300毫安高功率耗散
瓦可以使用相同的空间来实现。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
法，差别应该最多10℃ 。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用能很好地协同
ING降温
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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