ESMT
DDR II SDRAM
特点
JEDEC标准
V
DD
= 1.8V ± 0.1V, V
DDQ
= 1.8V ± 0.1V
内部流水线双倍数据速率体系结构;每个时钟周期2的数据访问
M14D5121632A
8M ×16位×4银行
DDR II SDRAM
双向差分数据选通（ DQS ， / DQS ） ; / DQS可以用于单端数据选通信号的操作被禁止。
片上DLL
差分时钟输入（ CLK和CLK ）
DLL对齐DQ和DQS与CLK的过渡转型
四银行操作
CAS延时：3， 4 ，5，6
添加剂延迟： 0，1， 2 ，3，4
突发类型：顺序和交错
突发长度： 4,8
除了数据& DM进行采样的系统时钟的上升沿的所有输入（CLK）
我的数据在数据选通信号的两边/ O转换（ DQS ）
DQS是边沿对齐与读取数据;中心对齐与写入数据
数据屏蔽（ DM）只写屏蔽
片外驱动器（ OCD ）阻抗调节
片上端接获得更好的信号质量
特殊功能的支持
-
-
50 /75 /的150Ω的ODT
高温自刷新频率使
自动&自我刷新
刷新周期：
-
-
8192次/ 64毫秒（ 7.8μs刷新间隔）为0
℃ ≦
T
C
≦ +85 ℃
8192次/ 32ms的（ 3.9μs刷新间隔） ，在
+85 ℃ ＜
T
C
≦
+95
℃
SSTL_18接口
84球BGA封装
订货信息：
产品编号
最大频率
V
DD
数据速率
（ CL - tRCD的-TRP ）
DDR2-800 （ 5-5-5 ）
DDR2-800 （ 6-6-6 ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
BGA
无铅
包
评论
M14D5121632A -2.5BG
M14D5121632A -3BG
400MHz
333MHz
1.8V
1.8V
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
1/59
ESMT
引脚说明
引脚名称
功能
地址输入
- 行地址A0 A12
- 列地址A0 A9
A10 / AP ：自动预充电
BA0 ， BA1 ：银行选择（ 4组）
数据输入/数据输出
命令输入
命令输入
命令输入
地
动力
双向差分数据选通。
LDQS和/ LDQS是DQS的DQ0 DQ7 ;
UDQS和/ UDQS是DQS的DQ8 DQ15 。
片上端接。
ODT仅应用于DQ0 DQ15 ，DM， DQS
和/ DQS 。
无连接
引脚名称
M14D5121632A
功能
DM为输入掩码信号为写入数据。
LDM是DM的DQ0 DQ7和UDM是DM
对DQ8 DQ15 。
差分时钟输入
时钟使能
芯片选择
电源电压DQ
地面DQ
参考电压
A0~A12,
BA0,BA1
DM
（ LDM ， UDM ）
DQ0~DQ15
RAS
CAS
WE
CLK ， CLK
CKE
CS
V
DDQ
V
SSQ
V
REF
V
SS
V
DD
的DQ ，
（ LDQS ，
UDQS ，
ODT
NC
)
V
DDL
电源电压为DLL
V
SSDL
地面DLL
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDL
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDL
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OUT
价值
-0.5 ~ 2.3
-1.0 ~ 2.3
-0.5 ~ 2.3
-0.5 ~ 2.3
-55 ~ +100
1
50
单位
V
V
V
V
°C (
注* ）
W
mA
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
注* ：
储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
4/59
ESMT
工作温度条件
参数
工作温度
符号
T
C
价值
0 ~ +95
M14D5121632A
单位
°C
注： 1。工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.支持0 + 85 ℃，充分交流和直流规格。
支持0 + 85 ℃ ，并能扩展到+ 95
℃
在倍频自动刷新命令的装置
32ms的周期（T
REFI
= 3.9μs ）和较高的温度自刷新上EMRS经由A7的“1”的条目（2） 。
DC操作条件&规格
DC操作条件
（建议的直流工作条件）
参数
电源电压
电源电压为DLL
电源电压输出
输入参考电压
终止电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
（所有电压参考VSS）
参数
最低所需的输出上拉下交流测试负载
根据AC测试负载所需最大输出下拉
输入漏电流
输出漏电流
输出源的最小直流电流（V
DDQ
（MIN） ; V
OUT
=1.42V )
输出最小灌直流电流（V
DDQ
（MIN） ; V
OUT
=
0.28V )
注意：
1. V的值
REF
可以由用户进行选择，以提供最佳的噪声容限的系统。典型的价值
V
REF
预计是约0.5 x垂直
DDQ
发送设备和V的
REF
预计跟踪变化为V
DDQ
.
2.峰值到峰值的V AC噪音
REF
不得超过
±2%
V
REF
（直流） 。
3. V
TT
发射装置必须跟踪V
REF
的接收装置。
4. V
DDQ
和V
DDL
轨道V
DD
。 AC参数测量V
DD
, V
DDQ
和V
DDL
绑在一起。
5.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
;所有其他的球没有被测= 0V 。
6. 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
; DQ和ODT禁用。
7. Ⅴ的DC值
REF
施加到所述接收装置，预计设定为V
TT
.
8. OCD校准18Ω在T后
C
= 25℃, V
DD
= V
DDQ
= 1.8V.
9.有没有具体的设备V
DD
电源电压要求SSTL_18合规性。然而，在所有情况下
V
DDQ
必须小于或等于V
DD.
符号
V
OH
V
OL
|I
LI
|
|I
LO
|
I
OH
I
OL
价值
V
TT
+ 0.603
V
TT
- 0.603
2
5
-13.4
+13.4
单位
V
V
uA
uA
mA
mA
记
8
8
5
6
7, 8
7, 8
符号
V
DD
V
DDL
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
分钟。
1.7
1.7
1.7
0.49 x垂直
DDQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.125
-0.3
典型值。
1.8
1.8
1.8
0.5× V
DDQ
V
REF
-
-
马克斯。
1.9
1.9
1.9
0.51 x垂直
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.125
单位
V
V
V
V
V
V
V
记
4,9
4,9
4,9
1,2,9
3,9
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
5/59
QQ：2881677436 复制
