ESMT
DDR SDRAM
特点
JEDEC标准
内部流水线双数据速率的体系结构，在每个时钟周期2的数据访问
双向数据选通（ DQS）
片上DLL
差分时钟输入（ CLK和CLK ）
DLL对齐DQ和DQS与CLK的过渡转型
四银行操作
CAS延迟： 2 ; 2.5 ; 3
突发类型：顺序和交错
突发长度： 2 ， 4 ， 8
除了数据& DM进行采样的系统时钟的上升沿的所有输入（CLK）
我的数据在数据选通信号的两边/ O转换（ DQS ）
DQS是边沿对齐的数据进行读取;中心对齐与写入数据
数据屏蔽（ DM）只写屏蔽
V
DD
= 2.3V ~ 2.7V, V
DDQ
= 2.3V ~ 2.7V
V
DD
= 2.6V ~ 2.8V, V
DDQ
= 2.6V 2.8V （仅适用于速度-4 ）
自动&自我刷新
7.8us刷新间隔
SSTL - 2 I / O接口
66pin TSOPII封装
M13S2561616A
4M ×16位×4银行
双倍数据速率SDRAM
订购信息：
产品编号
M13S2561616A -4TG
M13S2561616A -5TG
M13S2561616A -6TG
最大频率
250MHz
200MHz
166MHz
VDD
2.7V
2.5V
包
TSOPII
TSOPII
评论
无铅
无铅
无铅
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2007年7月
修订： 1.3
2/48
ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
1500
50
M13S2561616A
单位
V
V
V
°C
mW
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐的操作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件&规格
DC操作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CLK和CLK输入
输入差分电压， CLK和CLK输入
输入漏电流
输出漏电流
高输出电流（普通强度的驱动程序）
(V
OUT
=V
DDQ
-0.373V ，分V
REF
，分V
TT
)
低输出电流（普通强度的驱动程序）
(V
OUT
= 0.373V)
符号
-4
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
2.6
2.6
民
-5/6
2.3
2.3
-4
2.8
2.8
最大
-5/6
2.7
2.7
V
V
V
V
V
V
V
V
1
2
单位
记
0.49*V
DDQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
-5
-5
-16.8
+16.8
0.51*V
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
5
5
μ
A
3
μ
A
mA
mA
注意事项1. V
REF
预计是等于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。
峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过DC值的2％。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是系统供应信号的端接电阻，有望被设置成等于
到V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
ID
是在CLK的输入电平，并在CLK信号的输入电平之间的差的量值。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2007年7月
修订： 1.3
5/48
ESMT
DDR SDRAM
特点
JEDEC标准
内部流水线双数据速率的体系结构，在每个时钟周期2的数据访问
双向数据选通（ DQS）
片上DLL
差分时钟输入（ CLK和CLK ）
DLL对齐DQ和DQS与CLK的过渡转型
四银行操作
CAS延迟： 2 ; 2.5 ; 3
突发类型：顺序和交错
突发长度： 2 ， 4 ， 8
除了数据& DM进行采样的系统时钟的上升沿的所有输入（CLK）
我的数据在数据选通信号的两边/ O转换（ DQS ）
DQS是边沿对齐的数据进行读取;中心对齐与写入数据
数据屏蔽（ DM）只写屏蔽
V
DD
= 2.3V ~ 2.7V, V
DDQ
= 2.3V ~ 2.7V
V
DD
= 2.4V ~ 2.8V, V
DDQ
= 2.4V 2.8V （速度-4 ）
自动&自我刷新
7.8us刷新间隔
SSTL - 2 I / O接口
66pin TSOPII和60球BGA封装
M13S2561616A
4M ×16位×4银行
双倍数据速率SDRAM
订货信息：
产品编号
M13S2561616A -4TG
M13S2561616A -5TG
M13S2561616A -6TG
M13S2561616A -4BG
M13S2561616A -5BG
M13S2561616A -6BG
最大频率
250MHz
200MHz
2.5V
166MHz
250MHz
200MHz
2.5V
166MHz
2.6V
BGA
无铅
VDD
2.6V
TSOPII
包
评论
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年9月
修订： 2.0
1/49
ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
1500
50
M13S2561616A
单位
V
V
V
°C
mW
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐的操作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件&规格
DC操作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CLK和CLK输入
输入差分电压， CLK和CLK输入
输入漏电流
输出漏电流
高输出电流（普通强度的驱动程序）
(V
OUT
=V
DDQ
-0.373V ，分V
REF
，分V
TT
)
低输出电流（普通强度的驱动程序）
(V
OUT
= 0.373V)
输出高电流（弱实力的驱动程序）
(V
OUT
=V
DDQ
-0.373V ，分V
REF
，分V
TT
)
输出电流低（弱力驱动程序）
(V
OUT
= 0.373V)
注意事项：
1.
2.
3.
V
REF
预计是等于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。
峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过DC值的2％。
V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是系统供应信号的端接电阻，有望被设置成等于
V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
V
ID
是在CLK的输入电平，并在CLK信号的输入电平之间的差的量值。
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
民
-4
2.4
2.4
-5/6
2.3
2.3
-4
2.8
2.8
最大
-5/6
2.7
2.7
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
3
4
1
2
记
0.49*V
DDQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
-2
-5
-16.8
+16.8
-9
+9
0.51*V
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
2
5
μ
A
μ
A
mA
mA
mA
mA
4.
V
IN
= 0V至V
DD
，所有其他引脚没有在V测试
IN
= 0V.
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年9月
修订： 2.0
4/49
ESMT
DC特定网络阳离子
参数
工作电流
（一银行活动）
工作电流
（一银行活动）
预充电掉电
待机电流
空闲待机电流
主动掉电
待机电流
主动待机电流
工作电流（读）
工作电流（写）
自动刷新当前
自刷新电流
工作电流
（四银行操作）
符号
测试条件
t
RC
= t
RC
（分钟） ，T
CK
= t
CK
（分钟）
主动 - 预充电
突发长度= 2 ，T
RC
= t
RC
（分钟），CL = 2.5 ，
I
OUT
= 0毫安，主动 - 读 - 预充电
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟） ，所有的银行闲置
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
= t
CK
（分钟）
所有银行ACT ， CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟）
一家银行;主动预充电，T
RC
= t
RAS
（最大） ，
t
CK
= t
CK
（分钟）
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，T
CK
= t
CK
（ MIN）
I
OUT
= 0毫安
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，T
CK
= t
CK
（分钟）
t
RC
≥
t
RFC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
四大银行， BL = 4 ，T交织
RC
= t
RC
（ MIN）
突发模式;阅读与自动预充电;
地址和控制输入端上的NOP边缘不
不断变化的。我
OUT
= 0毫安
-4
M13S2561616A
VERSION
-5
130
185
30
60
50
95
290
290
270
5
300
-6
120
165
25
55
45
90
250
250
250
5
270
单位注
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2N
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7
140
190
40
70
55
120
300
300
300
6
350
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1
注： 1。启用芯片刷新和地址计数器。
交流工作条件&时序规范
交流工作条件
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入不同的电压， CLK和CLK输入
输入交叉点电压， CLK和CLK输入
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
IX
（AC）的
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
民
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
记
注：1， V
ID
是在CLK的输入电平与所述输入上的CLK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的DC电平
同样的。
输入/输出电容
(V
DD
= 2.3V~2.7V, V
DDQ
= 2.3V 2.7V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
(V
DD
= 2.4V~2.8V, V
DDQ
= 2.4V 2.8V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的（仅适用于速度-4 ） ）
参数
输入电容
（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
)
输入电容（ CLK ， CLK ）
数据& DQS输入/输出电容
输入电容（DM）的
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
IN3
2.0
2.0
4.0
4.0
3.0
3.0
5.0
5.0
pF
pF
pF
pF
符号
民
最大
单位
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年9月
修订： 2.0
5/49
QQ：2880707522 复制
