ESMT
SDRAM
M12S16161A
512K X 16Bit的X 2Banks
同步DRAM
特点
2.5V电源
LVCMOS与复用地址兼容
双银行操作
MRS周期与解决关键程序
-
CAS延迟（ 1 ， 2 & 3 ）
-
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
-
突发类型（顺序&交错）
EMRS周期地址重点项目。
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
特殊功能的支持。
-
PASR （部分阵列自刷新）
-
TCSR （温度补偿自刷新）
-
DS （驱动力）
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 2K周期）
概述
该M12S16161A是16777216位同步高
数据速率动态随机存储器组织成2× 524,288字经
16位，制造高性能CMOS技术。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟的I / O事务是可能的每一个
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
订购信息
产品型号
M12S16161A-10T
M12S16161A-15T
M12S16161A-10TG
M12S16161A-15TG
最大
频率。
100MHz
66MHz
100MHz
66MHz
接口封装评论
非无铅
50
非无铅
TSOP （II）的
无铅
无铅
LVCMOS
引脚配置（顶视图）
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
N.C / RFU
UDQM
CLK
CKE
N.C
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50PIN TSOP （II）的
（ 400mil X 825mil ）
（0.8毫米针距）
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
1/28
ESMT
功能框图
M12S16161A
I / O控制
BANK SELECT
数据输入寄存器
LWE
LDQM
行缓冲区
刷新计数器
行解码器
SENSE AMP
输出缓冲器
512K ×16
512K ×16
地址寄存器
LRAS
CLK
DQI
CLK
添加
LCBR
LRAS
上校缓冲区
列解码器
延迟&突发长度
LCKE
编程注册
LCBR
LWE
LCAS
LWCBR
LDQM
注册时间
CKE
L（ U） DQM
CS
RAS
CAS
WE
引脚功能说明
针
CLK
CS
CKE
A0 A10 / AP
BA
RAS
CAS
WE
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和L （ U） DQM 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA10 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
锁存的列地址，在CLK的与正向边沿
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存数据从CAS开始，
WE
活跃的。
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
L（ U） DQM
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出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
2/28
ESMT
DQ0 15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
N.C / RFU
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接/
留作将来使用
M12S16161A
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲隔离电源和接地，以提供改进的
抗干扰能力。
该引脚建议留在设备上的连接。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
,V
OUT
V
DD
,V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ + 150
0.7
50
单位
V
V
°
C
W
MA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0
°C
~ 70
°C
)
参数
电源电压
符号
V
DD
V
DDQ
民
2.3
2.3
典型值
2.5
2.5
最大
2.7
2.7
单位
V
V
记
1.65
-
2.7
V
1
输入逻辑高电压
V
IH
0.8× V
DDQ
-
V
DDQ
+0.3
V
1
输入逻辑低电压
V
IL
-0.3
0
0.3
V
2
输出逻辑高电平
V
OH
V
DDQ
– 0.2
-
-
V
I
OH
=-0.1mA
输出逻辑低电压
V
OL
-
-
0.2
V
I
OL
= 0.1毫安
输入漏电流
I
IL
-10
-
10
uA
3
输出漏电流
I
OL
-10
-
10
uA
4
注意：
1. ESMT可支持2.5V VDDQ （一般情况下）和1.8V （在特定情况下）为VDD 2.5V的产品。请联系
销售。部condisering FO VDDQ 1.8V （ 1.65V分钟），使用的时候。
2.V
IH
（ MAX）= 4.6V AC脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
3.V
IL
（分钟） = -1.0V交流脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
4.Any输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
所有其他引脚都没有被测= 0V 。
5.Dout被禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
.
电容
(V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25
°C
， F = 1MHz的）
针
时钟
RAS ， CAS ，
WE
， CS ， CKE ， LDQM ，
UDQM
地址
DQ0 DQ15
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
-
-
-
-
最大
4.0
4.0
4.0
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
3/28
ESMT
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0
°C
~ 70
°C
)
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机
目前在掉电
模式
预充电待机
目前在非
掉电模式
符号
测试条件
CAS
潜伏期
M12S16161A
VERSION
-10
35
-
0.2
-
-15
25
单位注
mA
mA
mA
mA
1
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟） ，T
CC
≥
t
CC
（分钟） ，我
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=15ns
输入信号时为30ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=15ns
输入信号时为30ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安，页突发
全波段激活， TCCD = TCCD （分钟）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
TCSR范围
2银行
I
CC2NS
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
（一银行活动）
工作电流
（突发模式）
刷新当前
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
I
CC3NS
I
CC4
I
CC5
-
-
-
15
-
35
35
45
100
95
90
85
10
25
25
70
120
110
100
90
mA
mA
mA
mA
mA
1
mA
2
°C
自刷新电流
I
CC6
CKE
≤
0.2V
1银行
1/2银行
1/4银行
uA
深度掉电
当前
I
CC7
CKE
≤
0.2V
uA
注意：
1.Measured具有输出开路。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
2.Refresh周期为32ms 。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
4/28
ESMT
AC运行试验条件
(V
DD
=2.5V
±
0.2V,T
A
= 0 °C ~ 70 °C )
参数
输入电平（ VIH / VIL）
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
VDDQ
M12S16161A
价值
0.9× V
DDQ
/ 0.2
0.5× V
DDQ
潮流/ TF = 1/1的
0.5× V
DDQ
见图2
单位
V
V
ns
V
VTT = 0.5× VDDQ
500
50
产量
VOH （ DC ）= VDDQ - 0.2V ， IOH = -0.1mA
VOL （ DC ） = 0.2V ， IOL = 0.1毫安
500
30 pF的
产量
Z0=50
20 pF的
（图1 ）直流输出负载电路
（图2 ） AC输出负载电路
经营AC参数
（交流工作条件，除非另有说明）
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
符号
t
RRD
（分钟）
t
RCD
（分钟）
t
RP
（分钟）
t
RAS
（分钟）
t
RAS
（最大）
t
RC
（分钟）
t
CDL
（分钟）
t
RDL
（分钟）
t
BDL
（分钟）
t
CCD
（分钟）
CAS延时= 3
的有效输出数据的数量
CAS延时= 2
CAS延迟时间= 1
70
1
2
1
1
2
1
0
ea
4
VERSION
-10
20
30
20
50
100
90
-15
30
30
30
60
单位
ns
ns
ns
ns
us
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
1
2
2
2
3
记
1
1
1
1
注意：
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间和所需要的最小时间来确定
然后四舍五入到下一个较大整数。
2.
最小延迟才能完成写操作。
3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
最早的一个预充电命令可以读出指令后没有数据的丢失被发出是CL + BL-2时钟。
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2005年6月
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1.0
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SDRAM
M12S16161A
512K X 16Bit的X 2Banks
同步DRAM
特点
2.5V电源
LVCMOS与复用地址兼容
双银行操作
MRS周期与解决关键程序
-
CAS延迟（ 1 ， 2 & 3 ）
-
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
-
突发类型（顺序&交错）
EMRS周期地址重点项目。
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
特殊功能的支持。
-
PASR （部分阵列自刷新）
-
TCSR （温度补偿自刷新）
-
DS （驱动力）
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 2K周期）
概述
该M12S16161A是16777216位同步高
数据速率动态随机存储器组织成2× 524,288字经
16位，制造高性能CMOS技术。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟的I / O事务是可能的每一个
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
订购信息
产品型号
M12S16161A-10T
M12S16161A-15T
M12S16161A-10TG
M12S16161A-15TG
最大
频率。
100MHz
66MHz
100MHz
66MHz
接口封装评论
非无铅
50
非无铅
TSOP （II）的
无铅
无铅
LVCMOS
引脚配置（顶视图）
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
N.C / RFU
UDQM
CLK
CKE
N.C
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50PIN TSOP （II）的
（ 400mil X 825mil ）
（0.8毫米针距）
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
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ESMT
功能框图
M12S16161A
I / O控制
BANK SELECT
数据输入寄存器
LWE
LDQM
行缓冲区
刷新计数器
行解码器
SENSE AMP
输出缓冲器
512K ×16
512K ×16
地址寄存器
LRAS
CLK
DQI
CLK
添加
LCBR
LRAS
上校缓冲区
列解码器
延迟&突发长度
LCKE
编程注册
LCBR
LWE
LCAS
LWCBR
LDQM
注册时间
CKE
L（ U） DQM
CS
RAS
CAS
WE
引脚功能说明
针
CLK
CS
CKE
A0 A10 / AP
BA
RAS
CAS
WE
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和L （ U） DQM 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA10 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
锁存的列地址，在CLK的与正向边沿
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存数据从CAS开始，
WE
活跃的。
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
L（ U） DQM
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出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
2/28
ESMT
DQ0 15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
N.C / RFU
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接/
留作将来使用
M12S16161A
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲隔离电源和接地，以提供改进的
抗干扰能力。
该引脚建议留在设备上的连接。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
,V
OUT
V
DD
,V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ + 150
0.7
50
单位
V
V
°
C
W
MA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0
°C
~ 70
°C
)
参数
电源电压
符号
V
DD
V
DDQ
民
2.3
2.3
典型值
2.5
2.5
最大
2.7
2.7
单位
V
V
记
1.65
-
2.7
V
1
输入逻辑高电压
V
IH
0.8× V
DDQ
-
V
DDQ
+0.3
V
1
输入逻辑低电压
V
IL
-0.3
0
0.3
V
2
输出逻辑高电平
V
OH
V
DDQ
– 0.2
-
-
V
I
OH
=-0.1mA
输出逻辑低电压
V
OL
-
-
0.2
V
I
OL
= 0.1毫安
输入漏电流
I
IL
-10
-
10
uA
3
输出漏电流
I
OL
-10
-
10
uA
4
注意：
1. ESMT可支持2.5V VDDQ （一般情况下）和1.8V （在特定情况下）为VDD 2.5V的产品。请联系
销售。部condisering FO VDDQ 1.8V （ 1.65V分钟），使用的时候。
2.V
IH
（ MAX）= 4.6V AC脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
3.V
IL
（分钟） = -1.0V交流脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
4.Any输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
所有其他引脚都没有被测= 0V 。
5.Dout被禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
.
电容
(V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25
°C
， F = 1MHz的）
针
时钟
RAS ， CAS ，
WE
， CS ， CKE ， LDQM ，
UDQM
地址
DQ0 DQ15
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
-
-
-
-
最大
4.0
4.0
4.0
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
3/28
ESMT
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0
°C
~ 70
°C
)
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机
目前在掉电
模式
预充电待机
目前在非
掉电模式
符号
测试条件
CAS
潜伏期
M12S16161A
VERSION
-10
35
-
0.2
-
-15
25
单位注
mA
mA
mA
mA
1
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟） ，T
CC
≥
t
CC
（分钟） ，我
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=15ns
输入信号时为30ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=15ns
CKE
≤
V
IL
（最大）时，CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
=15ns
输入信号时为30ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安，页突发
全波段激活， TCCD = TCCD （分钟）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
TCSR范围
2银行
I
CC2NS
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
（一银行活动）
工作电流
（突发模式）
刷新当前
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
I
CC3NS
I
CC4
I
CC5
-
-
-
15
-
35
35
45
100
95
90
85
10
25
25
70
120
110
100
90
mA
mA
mA
mA
mA
1
mA
2
°C
自刷新电流
I
CC6
CKE
≤
0.2V
1银行
1/2银行
1/4银行
uA
深度掉电
当前
I
CC7
CKE
≤
0.2V
uA
注意：
1.Measured具有输出开路。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
2.Refresh周期为32ms 。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
4/28
ESMT
AC运行试验条件
(V
DD
=2.5V
±
0.2V,T
A
= 0 °C ~ 70 °C )
参数
输入电平（ VIH / VIL）
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
VDDQ
M12S16161A
价值
0.9× V
DDQ
/ 0.2
0.5× V
DDQ
潮流/ TF = 1/1的
0.5× V
DDQ
见图2
单位
V
V
ns
V
VTT = 0.5× VDDQ
500
50
产量
VOH （ DC ）= VDDQ - 0.2V ， IOH = -0.1mA
VOL （ DC ） = 0.2V ， IOL = 0.1毫安
500
30 pF的
产量
Z0=50
20 pF的
（图1 ）直流输出负载电路
（图2 ） AC输出负载电路
经营AC参数
（交流工作条件，除非另有说明）
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
符号
t
RRD
（分钟）
t
RCD
（分钟）
t
RP
（分钟）
t
RAS
（分钟）
t
RAS
（最大）
t
RC
（分钟）
t
CDL
（分钟）
t
RDL
（分钟）
t
BDL
（分钟）
t
CCD
（分钟）
CAS延时= 3
的有效输出数据的数量
CAS延时= 2
CAS延迟时间= 1
70
1
2
1
1
2
1
0
ea
4
VERSION
-10
20
30
20
50
100
90
-15
30
30
30
60
单位
ns
ns
ns
ns
us
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
1
2
2
2
3
记
1
1
1
1
注意：
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间和所需要的最小时间来确定
然后四舍五入到下一个较大整数。
2.
最小延迟才能完成写操作。
3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
最早的一个预充电命令可以读出指令后没有数据的丢失被发出是CL + BL-2时钟。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
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