ESMT
SDRAM
M12L2561616A
工作温度条件-40 85°C
4M ×16位×4银行
同步DRAM
订购信息
产品编号
M12L2561616A-6TIG
M12L2561616A-6BIG
M12L2561616A-7TIG
M12L2561616A-7BIG
最大频率。包装
评论
166MHz
166MHz
143MHz
143MHz
TSOP II
BGA
TSOP II
BGA
无铅
无铅
无铅
无铅
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 突发类型（顺序及放大器;交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单一写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 8K循环）
概述
该M12L2561616A是268435456位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4× 4,194,304字×16位。
同步设计允许在每个时钟周期中使用系统时钟的I / O事务处理可精确的周期控制。
的工作频率范围，可编程脉冲串长度和可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽，高性能存储系统的应用程序。
管脚配置
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
S SQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
S SQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
1
A
VSS
2
DQ15
3
VSSQ
4
5
6
7
VDDQ
8
DQ0
9
VDD
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
A12
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年5月
修订： 1.2
1/45
ESMT
框图
CLK
CKE
地址
模式
注册
时钟
发电机
组D
C银行
B组
ROW
地址
卜FF器
＆放大器;
刷新
计数器
行解码器
M12L2561616A
工作温度条件-40 85°C
银行
检测放大器
命令解码器
控制逻辑
L（ U） DQM
CS
RAS
CAS
WE
COLUMN
地址
卜FF器
＆放大器;
计数器
列解码器
输入输出&
卜FF器
闩锁电路
数据控制电路
DQ
引脚说明
针
CLK
CS
CKE
A0 ~ A12
BA1 ， BA0
RAS
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入
禁用或启用的设备操作通过屏蔽或使所有
除了输入CLK ， CKE和L （ U） DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA12 ，列地址： CA0 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存行地址，在CLK的与正向边沿
RAS低。 （启用行存取&预充电）。
闩锁， CLK与正边沿列地址
CAS低。 （允许列的访问。 ）
允许写操作和行预充电。
锁存数据从CAS开始，
WE
活跃的。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲，以提供分离的电源和接地
增强抗干扰性。
该引脚建议留在设备上的连接。
CAS
WE
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
L（ U） DQM
DQ0 DQ15
V
DD
/ V
SS
V
DDQ
/ V
SSQ
N.C
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年5月
修订： 1.2
2/45
ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
TSTG
PD
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
M12L2561616A
工作温度条件-40 85°C
单位
V
V
°
C
W
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -40 85
°
C )
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
输出漏电流
注意：
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
5
5
单位
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
记
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
4
1. V
IH
（ MAX）= 4.6V AC脉冲宽度
≤
10ns的接受。
2. V
IL （ MIN ）
= -1.5V交流脉冲宽度
≤
10ns的接受。
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
+ 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V 。
4. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
V
DD.
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25
°
C
， F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 A12 ， BA0 BA1 ）
输入电容（ CLK ）
输入电容
（ CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
& L（ U） DQM ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ15 ）
C
OUT
2
4.5
pF
符号
C
IN1
C
CLK
C
IN2
民
1.5
2
1.5
最大
3
3
4.5
单位
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年5月
修订： 1.2
3/45
QQ：2880707522 复制
