EliteMT
DRAM
特点
X16组织
EDO （扩展数据输出）接入方式
2
CAS
字节/字的读/写操作
单5V （
±
10 ％ ）电源
TTL兼容的输入和输出
在8ms的512周期刷新
刷新方式：
RAS
只是，
CAS
前
RAS
（ CBR ）
和隐藏
JEDEC标准引脚
AC关键参数
t
RAC
-25
-28
-30
-35
-40
25
28
30
35
40
t
CAC
8
9
9
10
11
t
RC
43
48
55
65
75
t
PC
10
11
12
14
16
M11B416256A
256的K× 16的DRAM
EDO页模式
订购信息 - 包
40引脚400mil SOJ
40分之44引脚400mil TSOP （ Ⅱ型）
产品编号
M11B416256A-25J
M11B416256A-28J
M11B416256A-30J
M11B416256A-35J
M11B416256A-40J
M11B416256A-25T
M11B416256A-28T
M11B416256A-30T
M11B416256A-35T
M11B416256A-40T
包装类型
SOJ
TSOPII
概述
该M11B416256A是一个随机访问固态存储器，组织为262144 ×16位的设备。它提供了扩展
数据输出， 5V （
±
10 ％ ），单电源供电。访问时间（ -25 ， -28 ， -30 ， -35 ， -40 ）和封装类型（ SOJ ， TSOP II ）是可选的
这个家族的特点。所有这些家庭都有
CAS
- 前 -
RAS
,
RAS
- 只刷新和隐藏刷新功能。
两种接入方式是通过本机支持：字节访问和Word的访问。只使用两个中的一个
CAS
离开
其他的高企将导致字节访问。字访问发生在当两个
CAS
(
CASL
,
现金
）被使用。
CASL
读或写周期将输出或输入数据到低字节（ IO0 IO7 ） ，并在过境低
现金
过境过低都会输出或输入数据到高字节（ IO8 15 ） 。
引脚分配
SOJ顶视图
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
TSOP （ Ⅱ型）顶视图
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I/O9
I/O8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I / O 9
I / O 8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
1/15
EliteMT
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压... ...... -1V至+ 7V
工作温度，T
A
（环境） ... 0.0
°
C至+70
°
C
存储温度（塑料） ......... 。 ， 55
°
C至+150
°
C
功耗....................................... 1.43W
短路输出电流........................ 50毫安
M11B416256A
如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现
最大额定值“被超过。这是一个压力等级
以上这些设备只和功能的操作
在这个业务部门所标明的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
直流电气特性与推荐
工作条件
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
℃; V
CC
= 5V
±
10％除非另有说明）
参数
条件
符号
民
最大
单位备注
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
注： 1，所有电压参考V
SS
0V
≤
V
IN
≤
V
IH
（最大）
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出（S ）禁用
I
OH
= -5毫安
I
OL
= 4.2毫安
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
4.5
0
2.4
-0.3
-10
-10
2.4
-
5.5
0
V
CC
+0.3
0.8
10
10
-
0.4
V
V
V
V
A
A
1
1
1
V
V
参数
条件
RAS
,
CAS
骑自行车，T
RC
=分钟
符号
最大
-25
-28
-30 -35 -40
单位备注
工作电流
待机电流
RAS
只刷新当前
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
210 190 170 150 135
4
2
4
2
4
2
4
2
4
2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1,2
TTL接口，
RAS
,
CAS
= V
IH
,
D
OUT
=高阻
CMOS接口，
RAS
,
CAS
≥
V
CC
-0.2V
t
RC
=分钟
t
PC
=分钟
RAS
=V
IH
,
CAS
= V
IL
210 190 170 150 135
210 190 170 150 135
5
5
5
5
5
2
1,3
1
EDO页面模式电流
待机电流
CAS
前
RAS
刷新
当前
t
RC
=分钟
210 190 170 150 135
记
:
1. ICC最大指定在输出开路状态。
2.地址是可以改变的两次或更小，而
RAS
=V
IL 。
3.地址可以一次或更少，而改变
CAS
=V
IH
.
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出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
3/15
EliteMT
电容
（ TA = 25
°
C，V
CC
= 5V
±
10%)
参数
符号
典型值
最大
M11B416256A
单位
输入电容（地址）
输入电容（
RAS
,
现金
,
CASL
我们，
OE
)
输出电容（ I / O0I / O15 ）
C
I1
C
I2
C
I / O
-
-
-
5
7
10
pF
pF
pF
AC电气特性
（ TA = 0 70
°
C，V
CC
=5V
±
10%, V
SS
= 0V ）（注14 ）
测试条件
输入时序参考电平： 0V ， 3V
输出参考电平： V
OL
= 0.8V, V
OH
=2.0V
输出负载： 2TTL门+ CL （ 50pF的）
采取的T
T
= 2ns的
参数
读或写周期时间
读写周期时间
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
访问时间从
OE
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
符号
-25
-28
-30
-35
-40
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位注
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PCM
t
RAC
t
CAC
t
OAC
t
AA
t
ACP
t
RAS
t
RASC
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CP
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
拉德
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
43
65
10
32
25
8
8
12
14
25
10K
48
70
11
35
28
9
9
15
17
28
10K
55
85
12
37
30
9
9
15
17
30
10K
65
95
14
42
35
10
10
18
20
35
10K
75
105
16
47
40
11
11
20
22
40
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
22
22
4
5,20
13,20
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度（ EDO页面模式）
RAS
保持时间
RAS
预充电时间
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
预充电时间
RAS
to
CAS
延迟时间
CAS
to
RAS
预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
25 100K 100K 28 30 35 10万10万10万40纳秒
8
15
4
21
4
10
5
0
5
8
0
5
22
12
13
17
10K
9
17
5
24
4
10
5
0
5
8
0
5
24
15
13
19
10K
9
20
5
26
4
10
5
0
5
8
0
5
26
15
15
21
10K
10
25
5
30
5
10
5
0
5
8
0
5
30
18
17
25
10K
11
30
6
35
5
10
5
0
5
8
0
5
34
20
20
29
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
18
18
24
19
6,23
7,18
19
25
RAS
到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间（参考
RAS
)
列地址为
RAS
交货时间
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
4/15
EliteMT
（续）
参数
READ命令设置时间
读命令保持时间参考
M11B416256A
符号
-25
-28
-30
-35
-40
单位注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
OFF1
t
OFF2
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
RWD
t
AWD
t
CWD
t
T
t
REF
t
RPC
t
企业社会责任
t
CHR
t
OEH
t
OES
t
OEHC
t
OEP
t
ORD
t
CLCH
t
COH
t
WHZ
0
0
0
3
3
15
6
0
5
22
5
7
5
0
5
22
34
21
17
1.5
10
5
7
4
4
2
2
0
4
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
7
0
5
24
5
7
5
0
5
24
38
25
19
1.5
10
5
7
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
26
5
8
6
0
5
26
46
31
25
1.5
10
10
10
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
30
5
9
7
0
5
30
51
34
26
2.5
10
10
10
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
34
5
10
8
0
5
34
56
36
27
2.5
10
10
10
5
5
2
2
0
6
3
3
7
50
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15,18
9,15,19
9
20
10,17,2
0
17,26
11,15,1
8
15,25
15
15
15
15,19
12,20
12,20
11
11
11,18
2,3
CAS
读命令保持时间参考
RAS
CAS
到输出低-Z
输出缓冲关断延迟从
CAS
or
RAS
输出缓冲关断，
OE
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间（参考
to
RAS
)
WRITE命令的脉冲宽度
写命令
RAS
交货时间
写命令
CAS
交货时间
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间（参考
RAS
)
RAS
to
WE
延迟时间
列地址为
WE
延迟时间
CAS
to
WE
延迟时间
转换时间（上升或下降）
刷新周期（ 512个周期）
RAS
to
CAS
预充电时间
CAS
建立时间（ CBR刷新）
CAS
保持时间（ CBR刷新）
OE
从保持时间
WE
中
阅读模式 - 写周期
1,18
1,19
16
OE
低
CAS
高建立时间
OE
从高保持时间
CAS
高
OE
预充电时间
OE
安装前
RAS
在隐
刷新周期
LAST
CAS
将低到第一
CAS
返回HIGH
数据输出保持后
CAS
回国
低
输出禁用延迟从
WE
21
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
5/15
EliteMT
DRAM
特点
X16组织
EDO （扩展数据输出）接入方式
2
CAS
字节/字的读/写操作
单5V （
±
10 ％ ）电源
TTL兼容的输入和输出
在8ms的512周期刷新
刷新方式：
RAS
只是，
CAS
前
RAS
（ CBR ）
和隐藏
JEDEC标准引脚
AC关键参数
t
RAC
-25
-28
-30
-35
-40
25
28
30
35
40
t
CAC
8
9
9
10
11
t
RC
43
48
55
65
75
t
PC
10
11
12
14
16
M11B416256A
256的K× 16的DRAM
EDO页模式
订购信息 - 包
40引脚400mil SOJ
40分之44引脚400mil TSOP （ Ⅱ型）
产品编号
M11B416256A-25J
M11B416256A-28J
M11B416256A-30J
M11B416256A-35J
M11B416256A-40J
M11B416256A-25T
M11B416256A-28T
M11B416256A-30T
M11B416256A-35T
M11B416256A-40T
包装类型
SOJ
TSOPII
概述
该M11B416256A是一个随机访问固态存储器，组织为262144 ×16位的设备。它提供了扩展
数据输出， 5V （
±
10 ％ ），单电源供电。访问时间（ -25 ， -28 ， -30 ， -35 ， -40 ）和封装类型（ SOJ ， TSOP II ）是可选的
这个家族的特点。所有这些家庭都有
CAS
- 前 -
RAS
,
RAS
- 只刷新和隐藏刷新功能。
两种接入方式是通过本机支持：字节访问和Word的访问。只使用两个中的一个
CAS
离开
其他的高企将导致字节访问。字访问发生在当两个
CAS
(
CASL
,
现金
）被使用。
CASL
读或写周期将输出或输入数据到低字节（ IO0 IO7 ） ，并在过境低
现金
过境过低都会输出或输入数据到高字节（ IO8 15 ） 。
引脚分配
SOJ顶视图
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
TSOP （ Ⅱ型）顶视图
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I/O9
I/O8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I / O 9
I / O 8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
1/15
EliteMT
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压... ...... -1V至+ 7V
工作温度，T
A
（环境） ... 0.0
°
C至+70
°
C
存储温度（塑料） ......... 。 ， 55
°
C至+150
°
C
功耗....................................... 1.43W
短路输出电流........................ 50毫安
M11B416256A
如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现
最大额定值“被超过。这是一个压力等级
以上这些设备只和功能的操作
在这个业务部门所标明的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
直流电气特性与推荐
工作条件
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
℃; V
CC
= 5V
±
10％除非另有说明）
参数
条件
符号
民
最大
单位备注
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
注： 1，所有电压参考V
SS
0V
≤
V
IN
≤
V
IH
（最大）
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出（S ）禁用
I
OH
= -5毫安
I
OL
= 4.2毫安
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
4.5
0
2.4
-0.3
-10
-10
2.4
-
5.5
0
V
CC
+0.3
0.8
10
10
-
0.4
V
V
V
V
A
A
1
1
1
V
V
参数
条件
RAS
,
CAS
骑自行车，T
RC
=分钟
符号
最大
-25
-28
-30 -35 -40
单位备注
工作电流
待机电流
RAS
只刷新当前
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
210 190 170 150 135
4
2
4
2
4
2
4
2
4
2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1,2
TTL接口，
RAS
,
CAS
= V
IH
,
D
OUT
=高阻
CMOS接口，
RAS
,
CAS
≥
V
CC
-0.2V
t
RC
=分钟
t
PC
=分钟
RAS
=V
IH
,
CAS
= V
IL
210 190 170 150 135
210 190 170 150 135
5
5
5
5
5
2
1,3
1
EDO页面模式电流
待机电流
CAS
前
RAS
刷新
当前
t
RC
=分钟
210 190 170 150 135
记
:
1. ICC最大指定在输出开路状态。
2.地址是可以改变的两次或更小，而
RAS
=V
IL 。
3.地址可以一次或更少，而改变
CAS
=V
IH
.
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
3/15
EliteMT
电容
（ TA = 25
°
C，V
CC
= 5V
±
10%)
参数
符号
典型值
最大
M11B416256A
单位
输入电容（地址）
输入电容（
RAS
,
现金
,
CASL
我们，
OE
)
输出电容（ I / O0I / O15 ）
C
I1
C
I2
C
I / O
-
-
-
5
7
10
pF
pF
pF
AC电气特性
（ TA = 0 70
°
C，V
CC
=5V
±
10%, V
SS
= 0V ）（注14 ）
测试条件
输入时序参考电平： 0V ， 3V
输出参考电平： V
OL
= 0.8V, V
OH
=2.0V
输出负载： 2TTL门+ CL （ 50pF的）
采取的T
T
= 2ns的
参数
读或写周期时间
读写周期时间
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
访问时间从
OE
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
符号
-25
-28
-30
-35
-40
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位注
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PCM
t
RAC
t
CAC
t
OAC
t
AA
t
ACP
t
RAS
t
RASC
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CP
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
拉德
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
43
65
10
32
25
8
8
12
14
25
10K
48
70
11
35
28
9
9
15
17
28
10K
55
85
12
37
30
9
9
15
17
30
10K
65
95
14
42
35
10
10
18
20
35
10K
75
105
16
47
40
11
11
20
22
40
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
22
22
4
5,20
13,20
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度（ EDO页面模式）
RAS
保持时间
RAS
预充电时间
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
预充电时间
RAS
to
CAS
延迟时间
CAS
to
RAS
预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
25 100K 100K 28 30 35 10万10万10万40纳秒
8
15
4
21
4
10
5
0
5
8
0
5
22
12
13
17
10K
9
17
5
24
4
10
5
0
5
8
0
5
24
15
13
19
10K
9
20
5
26
4
10
5
0
5
8
0
5
26
15
15
21
10K
10
25
5
30
5
10
5
0
5
8
0
5
30
18
17
25
10K
11
30
6
35
5
10
5
0
5
8
0
5
34
20
20
29
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
18
18
24
19
6,23
7,18
19
25
RAS
到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间（参考
RAS
)
列地址为
RAS
交货时间
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
4/15
EliteMT
（续）
参数
READ命令设置时间
读命令保持时间参考
M11B416256A
符号
-25
-28
-30
-35
-40
单位注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
OFF1
t
OFF2
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
RWD
t
AWD
t
CWD
t
T
t
REF
t
RPC
t
企业社会责任
t
CHR
t
OEH
t
OES
t
OEHC
t
OEP
t
ORD
t
CLCH
t
COH
t
WHZ
0
0
0
3
3
15
6
0
5
22
5
7
5
0
5
22
34
21
17
1.5
10
5
7
4
4
2
2
0
4
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
7
0
5
24
5
7
5
0
5
24
38
25
19
1.5
10
5
7
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
26
5
8
6
0
5
26
46
31
25
1.5
10
10
10
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
30
5
9
7
0
5
30
51
34
26
2.5
10
10
10
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
34
5
10
8
0
5
34
56
36
27
2.5
10
10
10
5
5
2
2
0
6
3
3
7
50
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15,18
9,15,19
9
20
10,17,2
0
17,26
11,15,1
8
15,25
15
15
15
15,19
12,20
12,20
11
11
11,18
2,3
CAS
读命令保持时间参考
RAS
CAS
到输出低-Z
输出缓冲关断延迟从
CAS
or
RAS
输出缓冲关断，
OE
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间（参考
to
RAS
)
WRITE命令的脉冲宽度
写命令
RAS
交货时间
写命令
CAS
交货时间
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间（参考
RAS
)
RAS
to
WE
延迟时间
列地址为
WE
延迟时间
CAS
to
WE
延迟时间
转换时间（上升或下降）
刷新周期（ 512个周期）
RAS
to
CAS
预充电时间
CAS
建立时间（ CBR刷新）
CAS
保持时间（ CBR刷新）
OE
从保持时间
WE
中
阅读模式 - 写周期
1,18
1,19
16
OE
低
CAS
高建立时间
OE
从高保持时间
CAS
高
OE
预充电时间
OE
安装前
RAS
在隐
刷新周期
LAST
CAS
将低到第一
CAS
返回HIGH
数据输出保持后
CAS
回国
低
输出禁用延迟从
WE
21
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
5/15
EliteMT
DRAM
特点
X16组织
EDO （扩展数据输出）接入方式
2
CAS
字节/字的读/写操作
单5V （
±
10 ％ ）电源
TTL兼容的输入和输出
在8ms的512周期刷新
刷新方式：
RAS
只是，
CAS
前
RAS
（ CBR ）
和隐藏
JEDEC标准引脚
AC关键参数
t
RAC
-25
-28
-30
-35
-40
25
28
30
35
40
t
CAC
8
9
9
10
11
t
RC
43
48
55
65
75
t
PC
10
11
12
14
16
M11B416256A
256的K× 16的DRAM
EDO页模式
订购信息 - 包
40引脚400mil SOJ
40分之44引脚400mil TSOP （ Ⅱ型）
产品编号
M11B416256A-25J
M11B416256A-28J
M11B416256A-30J
M11B416256A-35J
M11B416256A-40J
M11B416256A-25T
M11B416256A-28T
M11B416256A-30T
M11B416256A-35T
M11B416256A-40T
包装类型
SOJ
TSOPII
概述
该M11B416256A是一个随机访问固态存储器，组织为262144 ×16位的设备。它提供了扩展
数据输出， 5V （
±
10 ％ ），单电源供电。访问时间（ -25 ， -28 ， -30 ， -35 ， -40 ）和封装类型（ SOJ ， TSOP II ）是可选的
这个家族的特点。所有这些家庭都有
CAS
- 前 -
RAS
,
RAS
- 只刷新和隐藏刷新功能。
两种接入方式是通过本机支持：字节访问和Word的访问。只使用两个中的一个
CAS
离开
其他的高企将导致字节访问。字访问发生在当两个
CAS
(
CASL
,
现金
）被使用。
CASL
读或写周期将输出或输入数据到低字节（ IO0 IO7 ） ，并在过境低
现金
过境过低都会输出或输入数据到高字节（ IO8 15 ） 。
引脚分配
SOJ顶视图
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
TSOP （ Ⅱ型）顶视图
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I/O9
I/O8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
C C
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RA S
NC
A0
A1
A2
A3
V
C C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
S S
的I / O 1 5
的I / O 1 4
I / O1 3
的I / O 1 2
V
S S
的I / O 1 1
的I / O 1 0
I / O 9
I / O 8
NC
CASL
现金
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
S S
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:
2004年2月
调整
:
1.9
1/15
EliteMT
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压... ...... -1V至+ 7V
工作温度，T
A
（环境） ... 0.0
°
C至+70
°
C
存储温度（塑料） ......... 。 ， 55
°
C至+150
°
C
功耗....................................... 1.43W
短路输出电流........................ 50毫安
M11B416256A
如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现
最大额定值“被超过。这是一个压力等级
以上这些设备只和功能的操作
在这个业务部门所标明的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
直流电气特性与推荐
工作条件
(0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
℃; V
CC
= 5V
±
10％除非另有说明）
参数
条件
符号
民
最大
单位备注
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
注： 1，所有电压参考V
SS
0V
≤
V
IN
≤
V
IH
（最大）
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
输出（S ）禁用
I
OH
= -5毫安
I
OL
= 4.2毫安
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
4.5
0
2.4
-0.3
-10
-10
2.4
-
5.5
0
V
CC
+0.3
0.8
10
10
-
0.4
V
V
V
V
A
A
1
1
1
V
V
参数
条件
RAS
,
CAS
骑自行车，T
RC
=分钟
符号
最大
-25
-28
-30 -35 -40
单位备注
工作电流
待机电流
RAS
只刷新当前
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
210 190 170 150 135
4
2
4
2
4
2
4
2
4
2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1,2
TTL接口，
RAS
,
CAS
= V
IH
,
D
OUT
=高阻
CMOS接口，
RAS
,
CAS
≥
V
CC
-0.2V
t
RC
=分钟
t
PC
=分钟
RAS
=V
IH
,
CAS
= V
IL
210 190 170 150 135
210 190 170 150 135
5
5
5
5
5
2
1,3
1
EDO页面模式电流
待机电流
CAS
前
RAS
刷新
当前
t
RC
=分钟
210 190 170 150 135
记
:
1. ICC最大指定在输出开路状态。
2.地址是可以改变的两次或更小，而
RAS
=V
IL 。
3.地址可以一次或更少，而改变
CAS
=V
IH
.
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出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
3/15
EliteMT
电容
（ TA = 25
°
C，V
CC
= 5V
±
10%)
参数
符号
典型值
最大
M11B416256A
单位
输入电容（地址）
输入电容（
RAS
,
现金
,
CASL
我们，
OE
)
输出电容（ I / O0I / O15 ）
C
I1
C
I2
C
I / O
-
-
-
5
7
10
pF
pF
pF
AC电气特性
（ TA = 0 70
°
C，V
CC
=5V
±
10%, V
SS
= 0V ）（注14 ）
测试条件
输入时序参考电平： 0V ， 3V
输出参考电平： V
OL
= 0.8V, V
OH
=2.0V
输出负载： 2TTL门+ CL （ 50pF的）
采取的T
T
= 2ns的
参数
读或写周期时间
读写周期时间
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
访问时间从
OE
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
符号
-25
-28
-30
-35
-40
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位注
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PCM
t
RAC
t
CAC
t
OAC
t
AA
t
ACP
t
RAS
t
RASC
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CP
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
拉德
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
43
65
10
32
25
8
8
12
14
25
10K
48
70
11
35
28
9
9
15
17
28
10K
55
85
12
37
30
9
9
15
17
30
10K
65
95
14
42
35
10
10
18
20
35
10K
75
105
16
47
40
11
11
20
22
40
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
22
22
4
5,20
13,20
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度（ EDO页面模式）
RAS
保持时间
RAS
预充电时间
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
预充电时间
RAS
to
CAS
延迟时间
CAS
to
RAS
预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
25 100K 100K 28 30 35 10万10万10万40纳秒
8
15
4
21
4
10
5
0
5
8
0
5
22
12
13
17
10K
9
17
5
24
4
10
5
0
5
8
0
5
24
15
13
19
10K
9
20
5
26
4
10
5
0
5
8
0
5
26
15
15
21
10K
10
25
5
30
5
10
5
0
5
8
0
5
30
18
17
25
10K
11
30
6
35
5
10
5
0
5
8
0
5
34
20
20
29
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
18
18
24
19
6,23
7,18
19
25
RAS
到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间（参考
RAS
)
列地址为
RAS
交货时间
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
4/15
EliteMT
（续）
参数
READ命令设置时间
读命令保持时间参考
M11B416256A
符号
-25
-28
-30
-35
-40
单位注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
OFF1
t
OFF2
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
RWD
t
AWD
t
CWD
t
T
t
REF
t
RPC
t
企业社会责任
t
CHR
t
OEH
t
OES
t
OEHC
t
OEP
t
ORD
t
CLCH
t
COH
t
WHZ
0
0
0
3
3
15
6
0
5
22
5
7
5
0
5
22
34
21
17
1.5
10
5
7
4
4
2
2
0
4
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
7
0
5
24
5
7
5
0
5
24
38
25
19
1.5
10
5
7
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
26
5
8
6
0
5
26
46
31
25
1.5
10
10
10
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
30
5
9
7
0
5
30
51
34
26
2.5
10
10
10
4
4
2
2
0
5
3
3
7
50
8
0
0
0
3
3
15
8
0
5
34
5
10
8
0
5
34
56
36
27
2.5
10
10
10
5
5
2
2
0
6
3
3
7
50
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15,18
9,15,19
9
20
10,17,2
0
17,26
11,15,1
8
15,25
15
15
15
15,19
12,20
12,20
11
11
11,18
2,3
CAS
读命令保持时间参考
RAS
CAS
到输出低-Z
输出缓冲关断延迟从
CAS
or
RAS
输出缓冲关断，
OE
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间（参考
to
RAS
)
WRITE命令的脉冲宽度
写命令
RAS
交货时间
写命令
CAS
交货时间
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间（参考
RAS
)
RAS
to
WE
延迟时间
列地址为
WE
延迟时间
CAS
to
WE
延迟时间
转换时间（上升或下降）
刷新周期（ 512个周期）
RAS
to
CAS
预充电时间
CAS
建立时间（ CBR刷新）
CAS
保持时间（ CBR刷新）
OE
从保持时间
WE
中
阅读模式 - 写周期
1,18
1,19
16
OE
低
CAS
高建立时间
OE
从高保持时间
CAS
高
OE
预充电时间
OE
安装前
RAS
在隐
刷新周期
LAST
CAS
将低到第一
CAS
返回HIGH
数据输出保持后
CAS
回国
低
输出禁用延迟从
WE
21
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
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