UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
M1008
初步
CMOS IC
16位CCD / CIS模拟
信号处理器
描述
该
M1008
对于一个16位的CCD / CIS模拟信号处理器
成像应用。三通道架构的设计来样
和控制三线性彩色CCD阵列的输出。每个通道
处理一个彩色模拟信号，并包括一个输入钳位，
相关双采样（ CDS ），偏移DAC和可编程
增益放大器（PGA ） ，以及一个16位的A / D转换器。
如果存在的传感器，例如接触式图像传感器（CIS）和
CMOS有源像素传感器，所述CDS的放大器是没有必要的。
16位的数字输出由高和低8位的
输出，并且被两个读周期评估。内部寄存器
通过3线串行接口，它提供可编程的增益，
偏移量和操作模式的调整。
的典型操作电源
M1008
400mW的是在5V电源
供应量。
TSSOP-28
特点
*为400mW在5V工作电源
*在2毫安掉电模式
*内置IN16位， 30 Msps的A / D转换器
*无失码
*输入钳位电路
*相关双采样
*可编程增益
*为250mV可编程失调
*内置基准电压源
*可编程的3线串行接口
* 3V / 5V数字I / O兼容性
*高达25 Msps的在1通道工作
*高达30 Msps的2通道（奇偶）操作
*高达30 Msps的3通道运行
订购信息
订购数量
M1008G-P28-T
M1008G-P28-R
包
TSSOP-28
TSSOP-28
填料
管
带盘
M1008G-P28-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）无卤素
（ 1 ） T：管， R：带卷轴
（ 2 ） P28 ： TSSOP -28
（ 3 ）G ：无卤
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1 11
QW-R502-434.a
M1008
销刀豆网络gurations
初步
CMOS IC
引脚说明
PIN号
引脚名称
PIN TYPE
引脚说明
1
CDSCLK1
DI
CDS的参考时钟脉冲输入
2
CDSCLK2
DI
CDS数据时钟脉冲输入
3
ADCCLK
DI
A / D采样时钟输入3通道模式
4
DI
输出使能，低电平有效
OE
5
DRV
DD
P
数字驱动电源
6
DRV
SS
P
数字地面驱动
7~14
D7~D0
DO
数字数据输出
15
SDATA
DI / DO
串行数据输入/输出
16
SCLK
DI
时钟输入串行接口
17
SLOAD
DI
串行接口负载脉冲
18,28
AV
DD
P
模拟电源
19,27
AV
SS
P
模拟地
20
REFB
AO
参考脱钩
21
REFT
AO
参考脱钩
22
VINB
AI
模拟量输入，蓝色
23
CML
AO
内部基准电压
24
咏
AI
模拟量输入，绿色
25
OFFSET
AO
夹具偏置电平解耦
26
VINR
AI
模拟量输入，红色
注： I =输入， O =输出， I / O =输入/输出， P =电源，G =地面
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QW-R502-434.a
M1008
框图
初步
CMOS IC
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QW-R502-434.a
M1008
绝对最大额定值
初步
CMOS IC
参数
符号
评级
单位
电源电压
V
DD
V
SS
-0.3到V
SS
+5.5
V
输入电压
V
IN
V
SS
-0.3到V
DD
+0.3
V
工作环境温度
T
OPR
-25 ~ +75
°C
储存温度
T
英镑
-50 ~ +125
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ AV
DD
= 5V ， DV
DD
= 3V ，T
A
= 25°C 。除非另有规定）
参数
模拟电源
数字电源
与CDS 3通道模式
2通道模式与CDS
与CDS 1通道模式
ADC的分辨率
积分非线性（ INL ）
微分非线性（ DNL ）
偏移误差
增益误差
满量程输入范围
输入限制
输入电流
PGA增益最小
PGA增益最大
PGA的增益分辨率
可编程的偏移最小
可编程的偏移最高处
胶印解决方案
操作
总功耗
高电平输入电压
（ CDSCLK1 ， CDSCLK2 ， ADCCLK ，
OE
， SCK ， SLOAD ）
低电平输入电压
（ CDSCLK1 ， CDSCLK2 ， ADCCLK ，
OE
， SCK ， SLOAD ）
高电平输入电压（ SDATA ）
低电平输入电压（ SDATA ）
高电平输入电流
低电平输入电流
输入电容
高电平输出电压
（ SDATA ， D0 D7 ）
低电平输出电压
（ SDATA ， D0 D7 ）
高电平输出电流
低电平输出电流
符号
V
添加
V
DRDD
t
MAX3
t
MAX2
t
MAX1
测试条件
民
4.75
3
30
30
25
典型值
5
5
最大
5.25
5.25
单位
V
V
MSPS
MSPS
MSPS
位
最低位
最低位
mV
16
±32
-1
-100
R
FS
V
我（限）
I
IN
1
100
A
VSS
-0.3
T
A
P
合计
V
IH
0
％ FSR
5
2.0
V
P-P
A
VDD
+0.3
5
V
10
nA
1
V/V
5.85
V/V
6
位
-250
mV
250
mV
9
位
70
°C
400
mW
0.8*V
DD
V
V
IL
V
IH1
V
IL1
I
IH
I
IL
C
IN
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
1
1
0.8*V
DD
0.2*V
DD
V
V
V
uA
uA
pF
V
0.2*V
DD
10
10
10
V
DD
-0.5
0.5
V
mA
mA
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QW-R502-434.a
M1008
时序特定网络阳离子
参数
3通道像素速率
2通道像素速率
1通道像素速率
ADCCLK脉冲宽度
CDSCLK1脉冲宽度
CDSCLK2脉冲宽度
CDSCLK1下降到CDSCLK2上升
ADCCLK瑞星CDSCLK1下降
ADCCLK瑞星CDSCLK2下降
模拟量采样延迟
3通道模式下
CDSCLK2下降到CDSCLK1上升
CDSCLK2下降到ADCCLK上升
双通道模式下
CDSCLK2下降到ADCCLK上升
CDSCLK1瑞星瑞星ADCCLK
CDSCLK2下降到CDSCLK1上升
单通道模式下
CDSCLK2下降到ADCCLK上升
CDSCLK1瑞星ADCCLK下降
CDSCLK2下降到CDSCLK1上升
串行接口
最大SCLK频率
SLOAD到SCLK建立时间
SCLK为SLOAD保持时间
SDATA到SCLK上升沿建立时间
SCLK上升沿到SDARA保持时间
下降到SDATA有效
数据输出
输出延迟
潜伏期（流水线延迟）
初步
符号
t
PRA
t
PRB
t
中国
t
ADCLK
t
C1
t
C2
t
C1C2
t
ADC1
t
ADC2
t
AD
ta
C2C1
ta
C2ADR
tb
C2ADR
tb
C1ADR
tb
C2C1
tc
C2ADR
tc
C1ADF
tc
C2C1
f
SCLK
t
LS
t
LH
t
DS
t
DH
t
RDV
t
OD
测试条件
民
100
66
40
16
12
12
0
0
0
5
30
30
30
15
15
20
0
15
10
10
10
10
10
10
8
9
典型值
CMOS IC
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
周期
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