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LZ2353B/LZ2354BJ
LZ2353B/
LZ2354BJ
描述
该LZ2353B / LZ2354BJ有三分之一型(6.0 MM)
固态图像传感器,其包含的PN光电的
二极管和CCD芯片(电荷耦合器件)。同
约41万像素( 811水平x 507
垂直的) ,该传感器提供了一个稳定的高分辨率
颜色( LZ2353B ) / B / W ( LZ2354BJ )的图像。
V4
1
V3
2
V2
3
三分之一型CCD传感器面积
与410的k个像素
引脚连接
16针半间距WDIP
顶视图
16
H2
15
H1
14
LH1
13
RS
12 PW
11 OFD
10 GND
9 OD
特点
有效像素数: 768 (H )× 494 ( V)
光黑色像素数
- 水平: 3前部和后部40
- 垂直: 11前部和后部2
像素间距: 6.4微米(H )× 7.5微米( V)
镁,G , Cy和叶补色滤镜
(对于LZ2353B )
低的固定模式噪声和滞后
无老化,无图像失真
盛开的抑制结构
内置输出放大器
可变电子快门( 1/60至1/10 000秒)
兼容NTSC标准( LZ2353B ) /
EIA标准( LZ2354BJ )
包装:
16针半间距WDIP [陶瓷]
(WDIP016-N-0450)
后排空间: 11.43毫米
V1
4
GND 5
NC
1
6
NC
2
7
OS 8
(WDIP016-N-0450)
注意事项
透镜的出射光瞳位置应该更
从超过25毫米( LZ2353B ) / 20毫米( LZ2354BJ )
CCD的顶表面上。
- 请参阅
"PRECAUTIONS FOR CCD面积
SENSORS"
了解详细信息。
比较表
电视标准
特征
LZ2353B
NTSC制式(彩色)
LZ2354BJ
EIA标准( B / W)
请参考以下各规格。
在没有确认元器件规格说明书中,夏普采取的任何缺陷,在使用的任何夏普元器件的设备可能发生的任何责任
产品目录,数据手册等所刊载在使用任何夏普元器件之前,以获取最新的元器件规格说明书。
1
LZ2353B/LZ2354BJ
引脚说明
符号
OD
OS
RS
V1
,
V2
,
V3
,
V4
H1
,
H2
LH1
OFD
PW
GND
NC
1
, NC
2
引脚名称
输出晶体管的漏
输出信号
复位晶体管,时钟
垂直移位寄存器时钟
水平移位寄存器时钟
水平移位寄存器最后阶段的时钟
溢出漏
P阱
无连接
绝对最大额定值
参数
输出晶体管的漏极电压
溢出漏极电压
复位门时钟电压
垂直移位寄存器时钟电压
水平移位寄存器时钟电压
水平移位寄存器的最后级的时钟电压
P阱和垂直时钟之间的电压差
储存温度
工作环境温度
符号
V
OD
V
OFD
V
φRS
V
V
V
H
V
LH
V
PW
-V
V
T
英镑
T
OPR
等级
0至+18
0至+55
-0.3至+18
V
PW
+18
-0.3至+18
-0.3至+18
-28到0
-40至+85
-20至+70
(T
A
= +25 C)
单位
V
V
V
V
V
V
V
C
C
1
注意:
1. OFD时钟
OFD
被排除在外。
2
LZ2353B/LZ2354BJ
推荐工作条件
参数
工作环境温度
输出晶体管的漏极电压
溢出漏
电压
P阱电压
低层
垂直移动
寄存器时钟
中级水平
高层
低层
高层
低层
高层
低层
高层
当直流电施加
当脉冲加到P-P级
符号
T
OPR
V
OD
V
OFD
V
OFD
GND
V
PW
V
V1L
, V
V2L
V
V3L
, V
V4L
V
V1I
, V
V2I
V
V3I
, V
V4I
V
V1H
, V
V3H
V
H1L
, V
H2L
V
H1H
, V
H2H
V
LH1L
V
LH1H
V
RSL
V
RSH
f
V1
, f
V2
f
V3
, f
V4
f
H1
, f
H2
, f
LH1
f
φRS
14.5
–0.05
4.7
–0.05
4.7
0.0
V
OD
– 9.5
15.73
14.32
14.32
–10.0
–9.5
–9.0
0.0
15.0
0.0
5.0
0.0
5.0
17.0
0.05
6.0
0.05
6.0
V
OD
– 14.0
10.0
分钟。
14.5
5.0
21.5
0.0
V
VL =
–7.5
典型值。
25.0
15.0
马克斯。
16.0
19.0
单位
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
千赫
兆赫
兆赫
1
2
水平移动
寄存器时钟
水平移动
最后注册
台钟
复位门时钟
垂直移位寄存器的时钟频率
水平移位寄存器时钟频率
复位门时钟频率
注意事项:
连接NC
1
和NC
2
到GND直接或通过一个电容器比0.047 μF的大。
1.当施加直流电压时,快门速度为1/ 60秒。
2.当脉冲被施加,快门速度是小于1/ 60秒。
*要接通电源,先连接GND ,然后打开V
OFD
。打开V后
OFD
,打开PW ,然后再打开其他
权力和豆类。不要将设备连接到或当电源正在应用其从插座拔下。
3
LZ2353B/LZ2354BJ
特征线LZ2353B
(驱动方式:现场累积)
(T
A
= + 25℃ ,工作条件:在"RECOMMENDED指定的典型值
操作CONDITIONS" 。
的光源色温: 3 200 K,红外截止滤光器(CM- 500 , 1万吨)被使用)。
参数
标准输出电压
光致响应非均匀性
饱和输出电压
暗输出电压
暗信号的非均匀性
灵敏度
涂抹比
图像滞后
盛开的抑制率
输出晶体管的漏电流
输出阻抗
暗噪声
在水平OB差
矢量分手
行蠕动
亮度闪烁
符号
V
O
PRNU
V
SAT
V
黑暗
DSNU
R
SMR
AI
ABL
I
OD
R
O
V
噪音
分钟。
典型值。
150
马克斯。
10
700
0.5
0.5
350
–84
3.0
2.0
–76
1.0
8.0
0.3
1.0
5.0
1.5
2.0
单位
mV
%
mV
mV
mV
mV
dB
%
mA
$
mV
mV
, %
%
%
2
3
4
1, 5
1, 6
7
8
9
10
260
1 000
4.0
350
0.2
11
1, 12
13
14
15
注意事项:
V
OFD
应调整到的最小电压,例如
该ABL满足规范,或者为值
显示在设备上。
1. T
A
= +60 C
2.根据照度均匀,平均输出电压。
在标准曝光条件被定义为当
Vo为150毫伏。
3.图像面积是根据划分为10 ×10的段
标准曝光条件。每一段的
电压是所有的像素内的平均输出电压
段。 PRNU被定义(的Vmax - 值V min ) /武,
其中, Vmax和值V min是在最大和最小
每段的电压值分别为。
4.图像区域被划分成10×10的段。每
段的电压是一切的平均输出电压
该段内的像素。 V
SAT
是最小
在10次曝光的片段的电压
标准曝光条件。
5.在非接触的平均输出电压
条件。
6.图像面积是根据划分为10 ×10的段
非曝光条件。 DSNU是由( Vdmax定义 -
Vdmin ),其中Vdmax和Vdmin分别是最大和
各段的电压分别为最小值。
7.平均输出电压时, 1 000勒克斯的光
源具有90 %的反射为F4的透镜成像时,
F50毫米。
8.传感器V中的中心区域只露出/ 10
用透镜在F4中,其中V是垂直图像方
尺寸。 SMR是通过将输出电压的比值定义
在垂直消隐期间所检测到的
最大输出电压在V / 10万。
9.传感器在曝光量曝光
对应于标准条件。 AI的定义
由输出电压中的所述第一测得的比
在非曝光时间段的标准场
输出电压。
10.传感器仅在V的中心区域露出/ 10
方,其中,V是垂直图像尺寸。 ABL是
通过曝光在标准之比定义
条件下曝光的点处起霜是
观察到。
暗噪声11. RMS值(CDS之后)。 ( 100千赫
4.2兆赫, SC上的陷阱。 )
12.平均输出电压之间的差
有效面积和在非接触的OB区
条件。
13.观察矢量范围时颜色柱形图
在标准曝光条件下成像。
14的平均输出电压之间的差
(镁+叶),( G +赛扬) ,并且该(镁+赛扬)的, (G +
叶)线的标准曝光条件下。
15的平均输出电压之间的差
奇数场和,根据偶数场的
标准曝光条件。
4
LZ2353B/LZ2354BJ
特征线LZ2354BJ
(驱动方式:现场累积)
(T
A
= + 25℃ ,工作条件:在"RECOMMENDED指定的典型值
操作CONDITIONS" 。
的光源色温: 3 200 K,红外截止滤光器(CM- 500 , 1万吨)被使用)。
参数
标准输出电压
光致响应非均匀性
饱和输出电压
暗输出电压
暗信号的非均匀性
灵敏度
伽玛
涂抹比
图像滞后
盛开的抑制率
输出晶体管的漏电流
输出阻抗
暗噪声
在水平OB差
符号
V
O
PRNU
V
SAT
V
黑暗
DSNU
R
SMR
AI
ABL
I
OD
R
O
V
噪音
1 000
4.0
350
0.2
0.3
1.0
8.0
mA
$
mV
mV
11
1, 12
410
700
0.5
0.5
550
1
–84
3.0
2.0
分钟。
典型值。
150
马克斯。
10
单位
mV
%
mV
mV
mV
mV
dB
%
2
3
4
1, 5
1, 6
7
8
9
10
–76
1.0
注意事项:
V
OFD
应调整到的最小电压,例如
该ABL满足规范,或者为值
显示在设备上。
1. T
A
= +60 C
2.根据照度均匀,平均输出电压。
在标准曝光条件被定义为当
Vo为150毫伏。
3.图像面积是根据划分为10 ×10的段
标准曝光条件。每一段的
电压是所有的像素内的平均输出电压
段。 PRNU被定义(的Vmax - 值V min ) /武,
其中, Vmax和值V min是在最大和最小
每段的电压值分别为。
4.图像区域被划分成10×10的段。每
段的电压是一切的平均输出电压
该段内的像素。 V
SAT
是最小
在10次曝光的片段的电压
标准曝光条件。
5.在非接触的平均输出电压
条件。
6.图像面积是根据划分为10 ×10的段
非曝光条件。 DSNU是由( Vdmax定义 -
Vdmin ),其中Vdmax和Vdmin分别是最大和
各段的电压分别为最小值。
7.平均输出电压时, 1 000勒克斯的光
源具有90 %的反射为F4的透镜成像时,
F50毫米。
8.传感器V中的中心区域只露出/ 10
用透镜在F4中,其中V是垂直图像方
尺寸。 SMR是通过将输出电压的比值定义
在垂直消隐期间所检测到的
最大输出电压在V / 10万。
9.传感器在曝光量曝光
对应于标准条件。 AI的定义
由输出电压中的所述第一测得的比
在非曝光时间段的标准场
输出电压。
10.传感器仅在V的中心区域露出/ 10
方,其中,V是垂直图像尺寸。 ABL是
通过曝光在标准之比定义
条件下曝光的点处起霜是
观察到。
的CDS之后的暗噪声11. RMS值。 (100 kHz至
在4.2兆赫, SC陷阱。 )
12的平均输出电压之间的差
下的非有效区域和该OB区
曝光条件。
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LZ2354BJ
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    -
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