LY62W10248
修订版1.7
1024K ×8位低功耗CMOS SRAM
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修订版1.3
描述
创刊号
加我
SB
规格。
修订后的我
CC1
/I
SB1
/V
DR
/I
DR
规格。
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
在加入填料类型
订购信息
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
修订
包装外形尺寸
第11页
修订后的V
IH
0.7 * Vcc的
修订
订购信息
第11页
删除E级
加入SL级
修订后的V
IH
在第3页
修订
测试条件
V的
IH
第4页
修订
包
发行日期
Jan.10.2008
Feb.1.2008
Mar.2.2009
May.7.2010
修订版1.4
REV 。 1.5
Aug.25.2010
Apr.25.2011
修订版1.6
修订版1.7
外形尺寸
第10页
May.13.2011
Jul.27.2011
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
0
LY62W10248
修订版1.7
1024K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该LY62W10248是8388608位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器组织成
1,048,576字×8位。它使用非常捏造
高性能，高可靠性的CMOS技术。
其待机电流的范围内稳定
工作温度。
该LY62W10248是精心设计的非常低
电力系统的应用，并特别好
适合用于电池后备的非易失性存储器
应用程序。
该LY62W10248单电源工作
供应2.7V 5.5V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间： 55 / 70ns的
低功耗：
工作电流： 30 / 20毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 6A （典型值）， LL-版
3A （ TYP。 ） SL版
单2.7V 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY62W10248
LY62W10248(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
2.7 ~ 5.5V
2.7 ~ 5.5V
速度
55/70ns
55/70ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
6A(LL)/3A(SL)
30/20mA
6A(LL)/3A(SL)
30/20mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A19
DQ0 - DQ7
解码器
1024Kx8
存储阵列
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A19
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
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1
LY62W10248
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1024K ×8位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
NC
NC
WE＃
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
44
43
42
41
40
39
38
A5
A6
A7
OE ＃
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
LY62W10248
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
DQ0
OE ＃
NC
NC
A0
A3
A5
A1
A4
A6
A7
A2
CE＃
NC
CE2
NC
DQ4
VSS DQ1 A17
VCC DQ2
DQ3
NC
A18
NC
NC
A8
NC
A14
A12
A9
DQ5的Vcc
A16 DQ6 Vss的
A15
NC
DQ7
NC
A19
A13 WE＃
A10
A11
1
TSOP -II
2
3
4
TFBGA
5
6
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2
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1024K ×8位低功耗CMOS SRAM
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE ＃
X
X
H
L
X
WE＃
X
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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1024K ×8位低功耗CMOS SRAM
DC电气特性
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
V
CC
V
IH
*1
测试条件
V
CC
= 2.7 ~ 3.6V
V
CC
= 4.5 ~ 5.5V
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
输出禁用
I
OH
= -1mA
I
OL
= 2毫安
周期时间=最小。
- 55
CE＃ = V
IL
和CE2 = V
IH
I
I / O
= 0毫安
- 70
其他引脚在V
IL
或V
IH
周期时间= 1μ s
CE＃
≦
0.2V和CE2
≧
V
CC
-0.2V
I
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
CE＃ = V
IH
或CE2 = V
IL
其他引脚在V
IL
或V
IH
LL
LLI
CE＃
≧V
CC
-0.2V
*5
25
℃
SL
或CE2
≦
0.2V
*5
SLI
其他引脚在0.2V
40
℃
或V
CC
-0.2V
SL
SLI
V
IL
I
LI
*2
分钟。
2.7
2.2
2.4
- 0.2
-1
-1
2.4
-
-
-
典型值。
3.0
-
-
-
-
-
2.7
-
30
20
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
0.6
1
1
-
0.4
60
50
单位
V
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
平均开工
电源电流
I
CC1
-
4
12
mA
I
SB
待机功耗
电源电流
-
-
-
-
-
-
-
0.15
6
6
3
3
3
3
2
30
50
10
10
20
25
mA
A
A
A
A
A
A
I
SB1
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
电容
(T
A
= 25 ℃ ， F = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
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4
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