LY62L12816
修订版1.2
128K x 16位低功耗CMOS SRAM
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调整
1.0版
修订版1.1
修订版1.2
描述
创刊号
修订后的封装外形尺寸（ TSOP - II ）
加我
SB1
/I
DR
值当T
A
= 25
℃
和T
A
= 40
℃
加入SL级
删除L级
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
在加入填料类型
订购信息
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
发行日期
Jul.25.2004
Apr.12.2007
Mar.30.2009
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
0
LY62L12816
修订版1.2
128K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该LY62L12816是2,097,152位低功耗
的CMOS静态随机存取存储器，具有
如131,072字由16位。据制作
采用非常高的性能，高可靠性
CMOS技术。其待机电流稳定
内的工作温度范围。
该LY62L12816是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY62L12816从单一操作
的2.7V 3.6V电源和所有输入和
输出完全兼容TTL
特点
快速存取时间：45 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流：23 /20 / 18毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 1μA （典型值）， LL / SL -version
单2.7V 3.6V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 DQ15 ）
数据保持电压： 1.5V （分钟）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY62L12816
LY62L12816(E)
LY62L12816(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
2.7 ~ 3.6V
速度
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
1A
23/20/18mA
1A
23/20/18mA
1A
23/20/18mA
功能框图
VCC
VSS
引脚说明
符号
A0 - A16
描述
地址输入
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
DQ0 - DQ15数据输入/输出
A0-A16
解码器
128Kx16
存储阵列
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
V
CC
DQ0-DQ7
低字节
DQ8-DQ15
高字节
I / O数据
电路
列I / O
V
SS
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
控制
电路
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1
LY62L12816
修订版1.2
128K x 16位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE＃
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
TSOP II
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE ＃
UB ＃
磅＃
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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LY62L12816
A
B
C
D
E
F
G
H
LB ＃ OE ＃
DQ8 UB ＃
A0
A3
A1
A4
A6
A7
A2
NC
CE＃ DQ0
DQ1 DQ2
DQ3的Vcc
DQ9 DQ10 A5
VSS DQ11 NC
VCC DQ12 NC
DQ14 DQ13 A14
DQ15 NC
NC
A8
A12
A9
A16 DQ4 Vss的
A15 DQ5 DQ6
A13 WE＃ DQ7
A10
A11
NC
1
2
3
4
TFBGA
5
6
2
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128K x 16位低功耗CMOS SRAM
真值表
模式
待机
输出禁用
读
CE＃
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE＃ LB ＃
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB ＃
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O操作
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
写
注意：
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
- 45
周期时间=最小。
I
CC
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
- 55
其他引脚在V
IL
或V
IH
平均开工
- 70
电源电流
周期时间= 1μs的时间
I
CC1
CE＃ = 0.2V ，我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
- 0.2V
I
SB
CE＃ = V
IH ，
其他引脚在V
IL
或V
IH
LL
LLE / LLI
*5
待机功耗
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
SL
25℃
*5
电源电流
I
SB1
其他人在0.2V或
SLE
*5
40℃
V
CC
- 0.2V
SLI
SL
SLE / SLI
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5.该参数测量V
CC
= 3.0V
分钟。
2.7
2.2
- 0.2
-1
-1
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.0
-
-
-
-
2.7
-
23
20
18
4
0.3
1
1
1
1
1
1
*4
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
40
35
30
5
0.5
10
20
3
3
10
15
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
A
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3
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128K x 16位低功耗CMOS SRAM
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
LB ＃ ， UB ＃访问时间
LB ＃ ， UB ＃到输出高阻态
LB ＃ ， UB ＃为低阻抗输出
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
LB ＃ ， UB ＃有效的写操作的结束
SYM 。 LY62L12816-45 LY62L12816-55 LY62L12816-70单位
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
t
RC
45
-
55
-
70
-
ns
t
AA
-
45
-
55
-
70
ns
t
ACE
-
45
-
55
-
70
ns
t
OE
-
25
-
30
-
35
ns
t
CLZ
*
10
-
10
-
10
-
ns
t
OLZ
*
5
-
5
-
5
-
ns
t
CHZ
*
-
15
-
20
-
25
ns
t
OHZ
*
-
15
-
20
-
25
ns
t
OH
10
-
10
-
10
-
ns
t
BA
-
45
-
55
-
70
ns
t
BHZ
*
-
20
-
25
-
30
ns
t
BLZ
*
10
-
10
-
10
-
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
t
BW
LY62L12816-45 LY62L12816-55 LY62L12816-70
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
45
-
55
-
70
-
40
-
50
-
60
-
40
-
50
-
60
-
0
-
0
-
0
-
35
-
45
-
55
-
0
-
0
-
0
-
20
-
25
-
30
-
0
-
0
-
0
-
5
-
5
-
5
-
-
15
-
20
-
25
35
-
45
-
60
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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4
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