LY626416
修订版1.6
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
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描述
创刊号
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加我
SB1
/I
DR
值当T
A
= 25
℃
和T
A
= 40
℃
修订后的我
SB1 （MAX）中
SL级
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
在加入填料类型
订购信息
修订后的我
SB1
/I
DR （ MAX）
当T
A
= 25
℃
和T
A
= 40℃
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
修订后的V
DR
修订
包装外形尺寸
第11页
修订
订购信息
在第12页
发行日期
Oct.30.2007
Nov.2.2007
Mar.30.2009
修订版1.3
修订版1.4
REV 。 1.5
修订版1.6
Apr.13.2009
Sep.11.2009
May.6.2010
Aug.25.2010
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
0
LY626416
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64K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该LY626416是1,048,576位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为65,536
字由16位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY626416是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY626416单电源工作
供应4.5V 5.5V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间：45 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流： 50/40 / 30毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 3μA @ 5V （典型值）， LL / SL版
2μA @ 3V （ TYP 。 ） SL版
单4.5V 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 DQ15 ）
数据保持电压： 1.5V （分钟）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
操作
家庭
温度
0 ~ 70℃
LY626416(LL)
-20 ~ 80℃
LY626416(LLE)
-40 ~ 85℃
LY626416(LLI)
0 ~ 70℃
LY626416(SL)
LY626416 （ SLE ） -20 80 ℃
-40 ~ 85℃
LY626416(SLI)
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）
工作（ICC ， TYP 。 ）
-
3A@5V
50/40/30mA
-
3A@5V
50/40/30mA
-
3A@5V
50/40/30mA
2A@3V
3A@5V
50/40/30mA
2A@3V
3A@5V
50/40/30mA
2A@3V
3A@5V
50/40/30mA
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引脚说明
符号
描述
地址输入
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
功能框图
VCC
VSS
A0 - A15
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
V
CC
DQ0 - DQ15数据输入/输出
解码器
64Kx16
存储阵列
A0-A15
DQ0-DQ7
低字节
DQ8-DQ15
高字节
V
SS
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
控制
电路
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引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE＃
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
44
43
42
41
40
39
38
37
A5
A6
A7
OE ＃
UB ＃
磅＃
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
1
2
3
4
TFBGA
5
6
F
G
H
DQ14 DQ13 A14
DQ15 NC
NC
A8
A12
A9
A15 DQ5 DQ6
A13 WE＃ DQ7
A10
A11
NC
LY626416
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
B
C
D
E
LB ＃ OE ＃
DQ8 UB ＃
A0
A3
A1
A4
A6
A7
NC
A2
NC
CE＃ DQ0
DQ1 DQ2
DQ3的Vcc
DQ4 Vss的
DQ9 DQ10 A5
VSS DQ11 NC
VCC DQ12 NC
TSOP II
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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真值表
模式
待机
输出禁用
读
CE＃
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE＃ LB ＃
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB ＃
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O操作
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
D
IN
高 - z
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
写
注意：
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
- 45
周期时间=最小。
I
CC
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
- 55
其他引脚在V
IL
或V
IH
平均开工
- 70
电源电流
周期时间= 1μs的时间
I
CC1
CE＃ = 0.2V ，我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
- 0.2V
LL / LLE / LLI
*5
SL
25℃
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
*5
SLE
待机功耗
其他人在0.2V或
I
SB1
*5
40℃
SLI
电源电流
V
CC
- 0.2V
SL
SLE / SLI
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5.该参数测量V
CC
= 3.0V
分钟。
4.5
2.4
- 0.2
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
50
40
30
4
3
2
2
3
3
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
80
60
50
10
50
5
5
20
25
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
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