LY625128
修订版2.5
512K ×8位低功耗CMOS SRAM
修订历史
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1.0版
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修订版1.3
修订版1.4
REV 。 1.5
修订版2.0
2.1版
描述
创刊号
修订后的我
SB1
/I
DR
对我修改测试条件
CC
新增-45ns规格。
增加了P- DIP PKG
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
加PKG型： 44 TSOP -II
添加SL规格。
修订
绝对最高可评级
加我
SB1
/I
DR
值当T
A
= 25
℃
和T
A
= 40
℃
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
在加入填料类型
订购信息
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
删除-35ns规格。
修订后的V
DR
修订
包装外形尺寸
页面
11/12/13/14
修订
订购信息
第16页
删除PKG型： 44 TSOP -II
发行日期
Jul.19.2005
Oct.31.2005
Sep.20.2006
Jan.12.2007
May.14.2007
Jun.4.2007
Jul.11.2007
Mar.30.2009
2.2版
修订版2.3
修订版2.4
修订版2.5
Sep.11.2009
May.7.2010
Aug.30.2010
Feb.21.2012
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
0
LY625128
修订版2.5
512K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该LY625128是4,194,304位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为524288
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY625128是精心设计的功耗非常低
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY625128单电源工作
供应4.5V 5.5V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间：45 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流： 45/40 / 30毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 5μA @ 5V （典型值）， LL / SL版
3μA @ 3V （ TYP 。 ） SL版
单4.5V 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
提供绿色包装
封装： 32引脚450密耳SOP
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
36球的6mm x 8毫米TFBGA
32引脚600密耳的P- DIP
产品系列
产品
操作
家庭
温度
0 ~ 70℃
LY625128(LL)
-20 ~ 80℃
LY625128(LLE)
-40 ~ 85℃
LY625128(LLI)
0 ~ 70℃
LY625128(SL)
LY625128 （ SLE ） -20 80 ℃
-40 ~ 85℃
LY625128(SLI)
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
45/55/70ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）
工作（ICC ， TYP 。 ）
-
5A@5V
45/40/30mA
-
5A@5V
45/40/30mA
-
5A@5V
45/40/30mA
3μA @ 3V 5μA @ 5V
45/40/30mA
3μA @ 3V 5μA @ 5V
45/40/30mA
3μA @ 3V 5μA @ 5V
45/40/30mA
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512K ×8位低功耗CMOS SRAM
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
功能框图
VCC
VSS
A0 - A18
DQ0 - DQ7
解码器
512Kx8
存储阵列
CE＃
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A18
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
控制
电路
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512K ×8位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32
31
30
29
28
VCC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A11
A9
A8
A13
WE＃
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
LY625128
SOP / P- DIP
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
LY625128
TSOP -I / STSOP
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
DQ4
DQ5
VSS
VCC
DQ6
A1
A2
NC
WE＃
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
DQ0
DQ1
VCC
VSS
A18
A17
DQ2
A15 DQ3
A13
A14
DQ7 OE ＃ CE ＃ A16
A9
A10
A11
A12
1
2
3
4
TFBGA
5
6
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512K ×8位低功耗CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
L
L
L
OE ＃
X
H
L
X
WE＃
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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