LY6251216
1.0版
512K x 16位低功耗CMOS SRAM
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加我
SB
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特点
＆放大器;
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无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
在加入填料类型
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删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
修订后的V
DR
修订
订购信息
第11页
删除E级
修订后的我
SB1
在第3页
第4页修订后的注意事项第1项和第2
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
发行日期
Oct.14.2007
Feb.1.2008
May.20.2009
修订版0.4
修订版0.5
修订版0.6
Rev.1.0
Sep.11.2009
Aug.30.2010
Apr.12.2011
Aug.29.2013
修订
订购信息
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
0
LY6251216
1.0版
512K x 16位低功耗CMOS SRAM
概述
该LY6251216是8388608位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为524288
字由16位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY6251216是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY6251216单电源工作
供应4.5V 5.5V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间： 55 / 70ns的
低功耗：
工作电流： 45 / 30毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 8μA （典型值）， LL-版
单4.5V 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 DQ15 ）
数据保持电压： 1.5V （分钟）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
产品系列
产品
家庭
LY6251216
LY6251216(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
55/70ns
55/70ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
8A(LL)
45/30mA
8A(LL)
45/30mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
VCC
VSS
A0 - A18
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
V
CC
V
SS
I / O数据
电路
列I / O
DQ0 - DQ15数据输入/输出
解码器
512Kx16
存储阵列
A0-A18
DQ0-DQ7
低字节
DQ8-DQ15
高字节
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
控制
电路
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1
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512K x 16位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A
B
C
D
E
F
G
H
LB ＃ OE ＃
DQ8 UB ＃
A0
A3
A1
A4
A6
A7
A2
NC
CE＃ DQ0
DQ1 DQ2
DQ3的Vcc
DQ9 DQ10 A5
VSS DQ11 A17
VCC DQ12 NC
DQ14 DQ13 A14
DQ15 NC
A18
A8
A12
A9
A16 DQ4 Vss的
A15 DQ5 DQ6
A13 WE＃ DQ7
A10
A11
NC
1
2
3
4
TFBGA
5
6
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2
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绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该设备甚至超过上述业务部门所标明的任何其他条件，只有和功能这种操作规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
CE＃
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE＃ LB ＃
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB ＃
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O操作
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
D
IN
高 - z
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
写
注意：
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 2毫安
周期时间=最小。
- 55
CE＃ = V
IL
,
I
CC
I
I / O
= 0毫安
- 70
平均开工
其他引脚在V
IL
或V
IH
电源电流
周期时间= 1μs的时间
I
CC1
CE＃
≦
0.2V ，我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
CE＃ = V
IH
I
SB
其他引脚在V
IL
或V
IH
待机功耗
-LL
电源电流
CE＃
≧
V
CC
-0.2V
I
SB1
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V -LLI
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型值是在V测量
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
分钟。
4.5
2.4
- 0.2
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
45
30
6
0.2
8
8
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.6
1
1
-
0.4
60
50
12
2
30
50
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
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