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LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
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描述
创刊号
修订后的VCC范围(VCC = 4.5 5.5V = > 2.7 5.5V )
修订后的我
SB1
加PKG型:瘦P- DIP
修订后的V
IH
(分钟)= 2.4V ,V
IL
(max)=0.6V
修订后的V
IH
(分钟)= 2.4V ,V
IL
(最大值) = 0.6V (Ⅴ
CC
=2.7~3.6V)
V
IH
(分钟)= 2.4V ,V
IL
(最大值) = 0.8V (Ⅴ
CC
=4.5~5.5V)
修订
STSOP封装外形尺寸
加入SL级
加我
SB1
/I
DR
值当T
A
= 25
和T
A
= 40
修订
特点
&放大器;
订购信息
领导
免费提供绿色包装
to
提供绿色包装
在加入填料类型
订购信息
修订后的我
SB1(MAX)
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
修订
包装外形尺寸
在第8页& 9
修订
包装外形尺寸
第10页
修订
订购信息
在第12页
修订
包装外形尺寸
第9页
发行日期
Jul.25.2004
May.4.2005
May.13.2005
Aug.29.2005
Feb.24.2006
Jul.31.2006
Mar.26.2008
Mar.30.2009
第2.7版
修订版2.8
修订版2.9
Dec.18.2009
May.7.2010
Aug.25.2010
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
传真: 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
0
LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
概述
该LY62256是262,144位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为32768
字由8位。它采用非常高的制作
高性能,高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内,稳定
工作温度。
该LY62256是精心设计的低功耗
应用程序,并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY62256单电源工作
供应2.7 5.5V ,所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间:35 /55 / 70ns的
低功耗:
工作电流:20 /15 / 10毫安( TYP 。 )
待机电流: 1μA (典型值)
单2.7 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压: 1.5V (分钟)
提供绿色包装
封装:28引脚600密耳PDIP
28引脚330密耳SOP
28引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
28引脚300密耳瘦P- DIP
产品系列
产品
家庭
LY62256
LY62256(E)
LY62256(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
2.7 ~ 5.5V
2.7 ~ 5.5V
2.7 ~ 5.5V
速度
35/55/70ns
35/55/70ns
35/55/70ns
功耗
待机(我
SB1,
TYP 。 )工作(ICC , TYP 。 )
1A
20/15/10mA
1A
20/15/10mA
1A
20/15/10mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
VCC
VSS
A0 - A14
DQ0 - DQ7
解码器
32Kx8
存储阵列
CE#
WE#
OE #
V
CC
V
SS
A0-A14
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE#
WE#
OE #
控制
电路
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1
LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE#
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
OE #
A11
A9
A8
A13
WE#
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
骨感P- DIP / P- DIP / SOP
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 (C级)
-20 80 (E级)
-40 85 ( I级)
-65到150
1
50
单位
V
V
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
LY62256
LY62256
STSOP
真值表
模式
待机
输出禁用
注意:
CE#
H
L
L
L
OE #
X
H
L
X
WE#
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中,L = V
IL
,X =无关。
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2
LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
DC电气特性
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
V
CC
*1
V
IH
V
IL
*2
测试条件
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
平均开工
电源电流
I
CC1
I
SB
待机功耗
电源电流
I
SB1
V
CC
=2.7~3.6V
V
CC
=4.5~5.5V
V
CC
V
IN
V
SS
V
CC
V
OUT
V
SS
,
输出禁用
I
OH
= -1mA
I
OL
= 2毫安
-35
周期时间=最小。
CE# = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
-55
其他引脚在V
IL
或V
IH
-70
周期时间= 1μs的时间
CE#
0.2V和我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
CE# = V
IH ,
其他引脚在V
IL
或V
IH
LL
LLE / LLI
*5
SL
CE#
V
CC
-0.2V
25℃
*5
SLE
其他人在0.2V或
*5
40℃
SLI
V
CC
- 0.2V
SL
SLE / SLI
分钟。
2.7
2.4
- 0.5
- 0.5
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.3
-
-
-
-
-
3.0
-
20
15
10
3
1
1
1
1
1.5
1
1
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
0.6
0.8
1
1
-
0.4
50
45
40
10
3
20
30
3
4
10
20
单位
V
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
A
注意事项:
1. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
(分钟) = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点,而不是100 %测试。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
( TYP。 )和T
A
= 25℃
5.该参数测量V
CC
= 3.0V
电容
(T
A
= 25
中,f = 1.0MHz的)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注:这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 50pF的+ 1TTL ,我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
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3
LY62256
修订版2.9
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
AC电气特性
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能,以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
( 2 )写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
LY62256-35
分钟。
马克斯。
35
-
-
35
-
35
-
25
10
-
5
-
-
15
-
15
10
-
LY62256-55
分钟。
马克斯。
55
-
-
55
-
55
-
30
10
-
5
-
-
20
-
20
10
-
LY62256-70
分钟。
马克斯。
70
-
-
70
-
70
-
35
10
-
5
-
-
25
-
25
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
LY62256-35
分钟。
马克斯。
35
-
30
-
30
-
0
-
25
-
0
-
20
-
0
-
5
-
-
15
LY62256-55
分钟。
马克斯。
55
-
50
-
50
-
0
-
45
-
0
-
25
-
0
-
5
-
-
20
LY62256-70
分钟。
马克斯。
70
-
60
-
60
-
0
-
55
-
0
-
30
-
0
-
5
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ:851428111 复制

电话:0755-23051326
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
LY62256PL-70LL
LYONTEK
2023+
6845
DIP28
专注进口原装,公司现货出售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
LY62256PL-70LL
LYONTEK
24+
8000
DIP
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
LY62256PL-70LL
LYONTEK
2406+
939
DIPPB
十年芯路!坚持原装正品!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
LY62256PL-70LL
LYONTEK
2443+
23000
DIPPB
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
LY62256PL-70LL
LYONTEK
24+
18650
DIP28
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
LY62256PL-70LL
LYONTEK
25+23+
13050
DIPPB
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
LY62256PL-70LL
LY
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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15+
1004
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电话:0755-23613962/82706142
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