LY61L1288
修订版1.2
128K ×8位高速CMOS SRAM
修订历史
调整
1.0版
修订版1.1
修订版1.2
描述
创刊号
删除ICC1规格。
添加了I级规格。
对我修改测试条件
CC
/I
SB1
/I
DR
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
在加入填料类型
订购信息
发行日期
Jul.25.2004
Sep.21.2004
Apr.20.2009
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
0
LY61L1288
修订版1.2
128K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L1288是1,048,576位高速
的CMOS静态随机存取存储器组织成
131,072字由8位。它使用非常捏造
高性能，高可靠性的CMOS技术。
其待机电流的范围内稳定
工作温度。
该LY61L1288是精心设计的高速
系统应用。易扩展是通过提供
采用低电平有效芯片使能（ CE ＃ ） 。活跃
LOW写使能（WE ＃ ）控制写入和
读存储器。
该LY61L1288单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间：8 /10/ 12 / 15ns的
低功耗：
工作电流：80 /75/ 70 / 65毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 0.6毫安（ TYP 。 ）
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
产品系列
产品
家庭
LY61L1288
LY61L1288
LY61L1288(E)
LY61L1288(E)
LY61L1288(I)
LY61L1288(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
8/10ns
12/15ns
8/10ns
12/15ns
8/10ns
12/15ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）工作（ICC ， TYP 。 ）
0.6mA
80/75mA
0.6mA
70/65mA
0.6mA
80/75mA
0.6mA
70/65mA
0.6mA
80/75mA
0.6mA
70/65mA
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
1
LY61L1288
修订版1.2
128K ×8位高速CMOS SRAM
引脚说明
符号
A0 - A16
解码器
128Kx8
存储阵列
功能框图
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
DQ0 - DQ7
CE＃
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
A0-A16
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
控制
电路
引脚配置
A0
A1
A2
A3
CE＃
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
WE＃
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
LY61L1288
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE ＃
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
A12
A11
A10
A9
A8
STSOP
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
2
LY61L1288
修订版1.2
128K ×8位高速CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
L
L
L
OE ＃
X
H
L
X
WE＃
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
平均开工
电源电流
待机功耗
电源电流
符号
V
CC
V
IH
*2
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB
I
SB1
*1
测试条件
-8/-10
-12/-15
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
输出禁用
I
OH
= -4mA
I
OL
= 8毫安
-8
-10
-12
-15
CE＃ = V
IH ，
其他在V
IH
或V
IL
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V,
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
周期时间=最小。
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
其他引脚在V
IH
或V
IL
分钟。
3.15
3.0
2.0
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.3
3.3
-
-
-
-
-
-
80
75
70
65
3
0.6
*4
马克斯。
3.6
3.6
V
CC
+0.5
0.8
1
1
-
0.4
150
120
100
90
10
3
*5
单位
V
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
3
LY61L1288
修订版1.2
128K ×8位高速CMOS SRAM
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -4mA / 8毫安
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
SYM 。 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288单位
-8
-10
-12
-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
读周期时间
t
RC
8
-
10
-
12
-
15
-
ns
地址访问时间
t
AA
-
8
-
10
-
12
-
15
ns
芯片使能存取时间
t
ACE
-
8
-
10
-
12
-
15
ns
输出启用访问时间
t
OE
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
芯片使能在低Z输出
t
CLZ
*
2
-
2
-
3
-
4
-
ns
输出使能到输出低-Z吨
OLZ
*
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
芯片禁用到输出的高阻吨
CHZ
*
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
输出禁止到输出的高阻吨
OHZ
*
-
4
-
5
-
6
-
7
ns
从地址变更吨输出保持
OH
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
（ 2 ）写周期
参数
SYM 。 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288 LY61L1288单位
-8
-10
-12
-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
写周期时间
t
WC
8
-
10
-
12
-
15
-
ns
地址有效到写结束
t
AW
6.5
-
8
-
10
-
12
-
ns
芯片使能写操作的结束
t
CW
6.5
-
8
-
10
-
12
-
ns
地址建立时间
t
AS
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
把脉冲宽度
t
WP
6.5
-
8
-
9
-
10
-
ns
写恢复时间
t
WR
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
数据写入时间重叠
t
DW
5
-
6
-
7
-
8
-
ns
从写时刻T end数据保持
DH
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
输出写入结束活动
t
OW
*
1.5
-
2
-
3
-
4
-
ns
写在高Z输出
t
WHZ
*
-
5
-
6
-
7
-
8
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
4
QQ：2880707522 复制
