LY61L1024
2.2版
128K ×8位高速CMOS SRAM
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1.0版
修订版1.1
修订版2.0
2.1版
Rev.2.2
描述
创刊号
删除ICC1规格。
添加-10ns规格。
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
新增LL规格。
对我修改测试条件
CC
/I
SB
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
在加入填料类型
订购信息
发行日期
Jul.25.2004
Sep.21.2004
Aug.30.2005
Feb.2.2009
Feb.2.2009
Apr.17.2009
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
0
LY61L1024
2.2版
128K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY61L1024是1,048,576位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为131072
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY61L1024是精心设计的超高速
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY61L1024单电源工作
电源3.3V和所有输入和输出完全
TTL兼容
特点
快速存取时间：10 /12 / 15ns的
低功耗：
工作电流75 /70 / 65毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 0.6毫安（ TYP 。 ）
1μA （典型值） LL -version
单3.3V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 32引脚300密耳SOJ
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
产品系列
产品
家庭
LY61L1024
LY61L1024
LY61L1024(E)
LY61L1024(E)
LY61L1024(LL)
LY61L1024(LL)
LY61L1024(LLE)
LY61L1024(LLE)
操作
温度
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-20 ~ 80℃
0 ~ 70℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-20 ~ 80℃
VCC范围
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
3.15 ~ 3.6V
3.0 ~ 3.6V
速度
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
10ns
12/15ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）
工作（ICC ， TYP 。 ）
0.6mA
75mA
0.6mA
70/65mA
0.6mA
75mA
0.6mA
70/65mA
1A
75mA
1A
70/65mA
1A
75mA
1A
70/65mA
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1
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128K ×8位高速CMOS SRAM
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
功能框图
VCC
VSS
A0 - A16
DQ0 - DQ7
解码器
128Kx8
存储阵列
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A16
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
引脚配置
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
SOJ
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A11
A9
A8
A13
WE＃
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
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LY61L1024
TSOP -I / STSOP
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128K ×8位高速CMOS SRAM
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5到4.6
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE ＃
X
X
H
L
X
WE＃
X
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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128K ×8位高速CMOS SRAM
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -4mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 8毫安
周期时间=最小。
-10
平均开工
CE＃ = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
CC
-12
电源电流
I
I / O
= 0毫安
-15
其他在V
IL
或V
IH
CE＃ = V
IH
或CE2 = V
IL
I
SB
其他在V
IL
或V
IH
CE＃
≧
V
CC
-0.2V
正常
待机功耗
或CE2
≦
0.2V
电源电流
I
SB1
CE＃
≧
V
CC
-0.2V
LL
或CE2
≦
0.2V
其他人在0.2V或V
CC
-0.2V
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
分钟。
3.0
2.0
- 0.5
-1
-1
2.2
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
3.3
-
-
-
-
-
-
75
70
65
3
0.6
1
*4
马克斯。
3.6
V
CC
+0.5
0.6
1
1
-
0.4
120
100
90
20
3
30
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -4mA / 8毫安
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