LY612568
1.0版
5V 256K ×8位高速CMOS SRAM
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描述
初步
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
修订
特点
&放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
在加入填料类型
订购信息
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
修订
包装外形尺寸
修订
订购信息
第9页
在第3页修订后的注意事项第1项和第2
1. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
2. V
IL
(分钟) = V
SS
- 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
发行日期
Dec.6.2006
Aug.26.2009
修订版0.3
1.0版
Aug.30.2010
Aug.29.2013
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Lyontek公司
保留权利更改规格和产品,恕不另行通知。
5楼, 2号,工业东路。九,科学工业园区,新竹300 ,台湾。
电话: 886-3-6668838
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0
LY612568
1.0版
5V 256K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY612568是2,097,152位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由8位。它采用非常高的制作
高性能,高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内,稳定
工作温度。
该LY612568是精心设计的低功耗
应用程序,并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY612568单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间: 15/20 / 25ns的
低功耗:
工作电流:100 /80 / 75毫安( TYP 。 )
待机电流: 100μA (典型值)
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压: 2.0V ( MIN )
提供绿色包装
封装: 44引脚400密耳的TSOP -II
产品系列
产品
家庭
LY612568
LY612568(E)
LY612568(I)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
功耗
待机(我
SB1,
TYP 。 )工作(ICC , TYP 。 )
100A
100/80/75mA
100A
100/80/75mA
100A
100/80/75mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A17
DQ0 - DQ7
解码器
256Kx8
存储阵列
CE#
WE#
OE #
V
CC
V
SS
NC
A0-A17
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE#
WE#
OE #
控制
电路
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1
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5V 256K ×8位高速CMOS SRAM
引脚配置
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE#
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
WE#
A17
A16
A15
A14
A13
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
44
43
42
41
40
39
38
37
NC
NC
NC
A5
A6
A7
A8
OE #
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
NC
NC
LY612568
XXXXXXX
XXXX
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
TSOP -II
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 (C级)
-20 80 (E级)
-40 85 ( I级)
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
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真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意:
CE#
H
L
L
L
OE #
X
H
L
X
WE#
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中,L = V
IL
,X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -4mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 8毫安
-15
周期时间=最小。
平均开工
I
CC
CE# = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
-20
电源电流
其他引脚在V
IH
或V
IL
-25
待机功耗
CE#
≧
V
CC
- 0.2V
I
SB1
电源电流
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
注意事项:
1. V
IH
(MAX) = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
2. V
IL
(分钟) = V
SS
- 2.0V的脉冲宽度小于6ns的。
3.过冲/下冲规范的特点,而不是100 %测试。
4.典型值包括仅供参考,不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
( TYP。 )和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
分钟。
4.5
2.2
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.8
1
1
-
0.4
140
110
100
3*
5
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
-
-
100
80
75
0.1
电容
(T
A
= 25
℃
中,f = 1.0MHz的)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注:这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
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3
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5V 256K ×8位高速CMOS SRAM
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ,我
OH
/I
OL
= -8mA / 16毫安
AC电气特性
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能,以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
( 2 )写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
LY612568-15
分钟。
马克斯。
15
-
-
15
-
15
-
7
4
-
0
-
-
7
-
7
3
-
LY612568-20
分钟。
马克斯。
20
-
-
20
-
20
-
8
4
-
0
-
-
8
-
8
3
-
LY612568-25
分钟。
马克斯。
25
-
-
25
-
25
-
9
4
-
0
-
-
9
-
9
3
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
LY612568-15
分钟。
马克斯。
15
-
12
-
12
-
0
-
10
-
0
-
8
-
0
-
4
-
-
8
LY612568-20
分钟。
马克斯。
20
-
16
-
16
-
0
-
11
-
0
-
9
-
0
-
5
-
-
9
LY612568-25
分钟。
马克斯。
25
-
20
-
20
-
0
-
12
-
0
-
10
-
0
-
6
-
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证,但未经生产测试。
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